Исследованы экситонные спектры фотоотражения (ЭСФО) кристаллов CdS. Установлено, что вид ЭСФО определяется штарковским сдвигом энергии экситона в электрическом поле поверхностных состояний (ПС). Изучены зависимости ЭСФО от температуры, интенсивности и длины волны модулирующего облучения (МО), а также процессы релаксации сигнала фотоотражения. Предложена энергетическая схема ПС, объясняющая наблюдаемые эффекты фотоиндуцированного изменения поверхностного поля. Установлена корреляция ЭСФО с видом тонкой структуры фотопроводимости.
Бисенгалиев Р.А., Батырев Э.Д., Новиков Б.В., Селькин А.В. Спектры фотоотражения и фотопроводимости кристаллов CdS: экситоны в электрических полях поверхностных состояний // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 875

В рамках приближения сильно локализованной волновой функции экситона расчитаны спектры оптического отражения от гетерограницы Ga0.7Al0.3As/GaAs. В основу расчета положены электронный Gamma6 и дырочный Gamma8 kp-гамильтонианы с позиционно зависящими параметрами.
Глинский Г.Ф., Кравченко К.О. Оптика экситонов в системах с резкими гетерограницами. Приближение сильно локализованной волновой функции экситона // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 872

При температуре 1.7 K исследовано оптическое поглощение кристаллов GaAs с толщинами d=0.4-4.4 mum в области экситон-поляритонного резонанса. При уменьшении толщины наблюдается не только уширение экситонной линии, но и рост поглощения при незначительном штарковском сдвиге. Зависимость характера спектров поглощения от толщины кристалла рассматривается в рамках представления о конкуренции двух областей свето-экситонного взаимодействия в кристалле: находящейся в поле поверхностных зарядов и свободной от электрического поля.
Алиев Г.Н., Лукьянова Н.В., Сейсян Р.П. Толщинная зависимость экситонного поглощения в чистых кристаллах GaAs "доквантового" предела // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 869

The interaction of excitons with rough surfaces and its effect on light scattering spectra were investigated theoretically. We have employed a model for the excitonic surface potential based upon the generalized Morse potential, taking into account its random fluctuations, produced by the surfaсe roughness. Applying first-order perturbation theory, we calculate the cross section of light scattering from a rough GaAs surface and analyze its frequency dependence in the presence of an extrinsic surface-potential well with excitonic bound states.
Madrigal-Melchor J., Perez-Rodriguez F., Silva-Castillo A., Azucena-Coyotecatl H. Manifestation of near-surface localized excitons in spectra of diffuse reflection of light // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 865

В рамках модели многозонного гамильтониана рассмотрено влияние параметров Латтингера и конечной величины спин-орбитального расщепления на положение низших уровней размерного квантования дырки в сферических микрокристаллитах с кубической симметрией для случая полупроводников типа II--VI. Показано, что в условиях сильного размерного ограничения определяющим фактором инверсии s и p-состояний является соотношение параметров Латтингера. Для микрокристаллов CdS и CdTe проведено сопоставление теории и эксперимента.
Липовский А.А., Колобкова Е.В., Петриков В.Д. Влияние спин-орбитального расщепления на электронно-дырочные переходы в микрокристаллах CdS, CdTe // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 862

Теоретически и экспериментально исследованы оптическая ориентация и выстраивание экситонов в квантовых точках InAlAs в матрице AlGaAs. В продольном магнитном поле (геометрия Фарадея) обнаружены эффекты преобразования оптической ориентации в выстраивание и выстраивания в ориентацию, обусловленные обменным расщеплением дипольно-активного экситонного дублета и допускаемые низкой симметрией квантовой точки. Сравнение теории с экспериментом, проведенное с учетом анизотропии генерации и рекомбинации экситонов в осях [110] и [110], позволяет выяснить характер распределения по направлениям диполей для резонансных оптических переходов в исследованном самоорганизованном ансамбле квантовых точек.
Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Ивченко Е.Л., Коренев В.Л., Кусраев Ю.Г., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Жуков А.Е., Цацульников А.Ф. Оптическая ориентация и выстраивание экситонов в квантовых точках // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 858

Исследованы эффекты влияния разориентации подложки  (001) GaAs в направлении [010] на распределение квантовых точек InAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием эффектов самоорганизации, по размерам и положению в матрице GaAs. Обнаружено температурное сужение линии экситонной фотолюминесценции массива квантовых точек, вызванное перераспределением фотовозбужденных носителей между точками разного размера.
Васильев Д.Г., Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Кудряшов И.В., Кочерешко В.П. Влияние разориентации подложки на распределение квантовых точек по размерам в системе InAs/GaAs // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 855

Исследованы дифференциальные по длине волны спектры поглощения кристаллов RbAg4I5 в спектральной области экситонного поглощения AgI в интервале температур 27-250oC. В этой же температурной области методом дифференциальной сканирующей калориметрии получены температурные зависимости теплоемкости кристаллов RbAg4I5, Rb2AgI3 и KAg4I5. Анализ полученных результатов позволяет предположить, что в микрокристаллах AgI размером менее rcr имеет место стабилизация низкотемпературной beta-модификации на несколько десятков градусов выше температуры перехода в массивных образцах.
Акопян И.Х., Новиков Б.В., Соболева С.А. Исследование фазового состава микрокристаллов AgI методами экситонной спектроскопии и дифференциальной сканирующей калориметрии // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 852

Self-organized nano-objects fabricated in different semiconductor systems are currently in focus of scientific interest because of their unique electronic properties. Transmission electron microscopy and high resolution electron microscopy have been used to study the InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs and InP substrates. Optimal imaging conditions for visualization of quantum dots were extablished. Size, shape and stability of the equilibrium island arrays were analysed with respect to the growth conditions. Both decrease and increase of the As-pressure compared to the optimal value were shown to destroy the regular arrangement of the islands. Energy benefit due to the strain relaxation in the InAs islands is likely to be the driving force for their formation.
Ruvimov S., Liliental-Weber Z., Washburn J., Ledentsov N.N., Ustinov V.M., Shchukin V.A., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Bimberg D. Structural characterization of self-organized nanostructures // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 849

Excitonic properties and the dynamics are reported in quantum dots (QDs) and quantum wells (QW) of diluted magnetic semiconductors. Transient spectroscopies of photoluminescence and nonlinear-optical absorption and emission have been made on these quantum nanostructures. The Cd1-xMnxSe QDs show the excitonic magnetic polaron effect with an increased binding energy. The quantum wells of the Cd1-xMnxTe/ZnTe system display fast energy and dephasing relaxations of the free and localized excitons as well as the tunneling process of carriers and excitons in the QWs depending on the barrier widths. The observed dynamics and the enhanced excitonic effects are the inherent properties of the diluted magnetic nanostructures.
Oka Yasuo Excitonic effects in diluted magnetic semiconductor nanostructures // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 846