Исследованы изменения низкотемпературных спектров фотопроводимости (ФП) кристаллов CdS под влиянием внешних воздействий. Продемонстрирована высокая чувствительность тонкой (экситонной) структуры (ТС) спектров к изменениям условий рекомбинации неравновесных носителей вблизи поверхности и в объеме полупроводника.
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Ботов О.Э., Карасенко Н.В., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В. Исследование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 941

Анализируются результаты теоретического и экспериментального исследования резонансного рассеяния света Мандельштама--Бриллюэна тепловыми акустическими фононами с k=0 вблизи прямого края поглощения (на примере кристаллов ZnSe). Сообщается также и об обнаружении нового типа резонансного усиления интенсивности комбинационного рассеяния света оптическими фононами с k# 0, соответствующего резонансу с рассеянным светом в выходном канале, вблизи непрямого края поглощения (на примере кристаллов si--GaP : N). При этом резонансное усиление достигало ~4·103 на частотах обертонного рассеяния с участием LO(X) и LO(L) фононов. При расчетах резонансных тензоров рассеяния в качестве промежуточных состояний, вовлеченных в процессы рассеяния, рассмотрены экситонные состояния, принадлежащие как дискретным экситонным зонам, так и непрерывному спектру. Кроме того, учтены все внутренние переходы, а также межзонные переходы между зоной проводимости, валентными зонами и зоной, отщепленной спин-орбитальным взаимодействием и получено хорошее согласие с экспериментальными результатами.
Байрамов Б.Х., Гольцев А.В., Топоров В.В., Филлипс Р.Т., Лайхо Р., Деттмер К. Резонансное рассеяние Мандельштама--Бриллюэна и комбинационное рассеяние света в полупроводниках с промежуточными экситонными состояниями, принадлежащими дискретным экситонным зонам и непрерывному спектру // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 938

Исследовано влияние поля барьера Шоттки и высокой плотности возбуждения на спектры рекомбинационного излучения эпитаксиальных пленок GaN, выращенных MOCVD методом. Обнаружено, что при обратном смещении происходит гашение люминесценции, а при прямом --- ее возгорание. Наблюдаемый эффект объясняется вариацией толщины слоя объемного заряда под действием приложенного напряжения. В условиях высокой плотности возбуждения наблюдалось возгорание новой полосы, обусловленной процессом экситон-экситонных столкновений.
Якобсон M.A., Нельсон Д.К., Калинина Е.В. Влияние электрического поля и высокой плотности возбуждения на люминесценцию эпитаксиальных пленок GaN // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 936

Исследовано гистерезисное поведение действительной и мнимой частей восприимчивости полупроводника в экситонной области спектра при учете экситон-фононного и упругого экситон-экситонного взаимодействий в режиме pump-probe в зависимости от интенсивности и частоты сильного лазерного импульса и частоты зондирующего импульса. Определены условия возникновения эффекта подавления затухания и усиления зондирующего импульса. Предсказаны скачкообразные красный и фиолетовый сдвиги спектрального положения полосы экситонного поглощения в зависимости от интенсивности импульса накачки.
Хаджи П.И., Ткаченко Д.В. Экситонные восприимчивости полупроводников при высоких уровнях лазерного возбуждения // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 934

Теоретически изучены бистабильные свойства тонкой полупроводниковой пленки в условиях резонансного возбуждения когерентных экситонов и биэкситонов фотонами одного либо двух различных импульсов.
Хаджи П.И., Гайван С.Л. Безрезонаторная оптическая бистабильность в тонкой пленке полупроводника при резонансном возбуждении экситонов и биэкситонов // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 932

Экситоны в многодолинных полупроводниках образуют экситонные молекулы, состоящие из 4-х и более экситонов. Фактор вырождения g зоны проводимости в германии равен 8, а в кремнии g=12. Как в случае акцепторов, так и в случае экситонов основное состояние дырок четырехкратно вырождено. Это же справедливо и для экситонных молекул, поскольку они являются квантовыми объектами, имеющими сферическую симметрию. Энергия связи экситона в молекулах близка к энергии связи экситонов в каплях экситонной жидкости. Рассмотрены экспериментальные доказательства того, что кроме биэкситонов существуют стабильные экситонные молекулы, содержащие 3 и 4 экситона и 11 и 12 экситонов. Молекулы, содержащие от 5 до 10 экситонов, по-видимому, не являются стабильными.
Рогачев А.А. Экситонные молекулы и экситонные жидкости в полупроводниках // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 929

Изучена роль экситон-экситонных, экситон-биэкситонных и биэкситон-биэкситонных взаимодействий в нелинейной функции пропускания кольцевого резонатора. Показано, что благодаря учету упругих межчастичных взаимодействий в экситон-биэкситонной системе можно получить функцию пропускания как без гистерезиса, так и с одной, либо двумя петлями гистерезиса.
Пасечник О.Ф., Хаджи П.И. Особенности оптической бистабильности в экситон-биэкситонной системе // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 927

Рассмотрены полосы поглощения и усиления слабого зондирующего сигнала в присутствии бозе-эйнштейновской конденсации экситонов, возникающей в неравновесных условиях в поле когерентного лазерного излучения. Показано, что поглощение света обусловлено квантовым переходом из основного состояния кристалла на квазиэкситонную ветвь спектра. Усиление сигнала происходит за счет перехода с квазиэнергетической ветви спектра в основное состояние кристалла.
Москаленко С.А., Павлов В.Г., Мисько В.Р. Экситонные полосы поглощения и усиления света в присутствии лазерного излучения // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 924

We discuss novel nonlinear optical responses due to weak localization of exciton-polaritons (EP's): first phase-conjugated signal induced and enhanced by the weak localization of EP's under a single pump and a test beam which are two-photon-resonant to a biexciton. This observation will give us clear evidence of the weak localization. Second, we analyze, in terms of weak localization of EP's, the coherent light emission in the direction normal to the surface under a single beam pumping tilted from the normal to a planar semiconductor microcavity.
Hanamura Eiichi Weak localization and nonlinear optical responses of exciton polaritons // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 919

Представлено теоретическое описание многофононных распадов сильно возбужденных локализованных колебаний. Предсказаны замедление скорости распада при больших колебательных амплитудах и прыжковое ускорение релаксации при некоторых критических амплитудах. Сильно возбужденные колебательные состояния могут возникать на локализованных экситонах в кристаллах благородных газов, что может также проявляться в горячей люминесценции. Проведены сравнительные оценки наблюдаемого и рассчитанного спектров Xe*2 в кристалле Xe.
Хижняков В., Сельг М., Неведров Д. Релаксация и горячая люминесценция в твердом Xe // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 916