Исследована фотолюминесценция в видимой и инфракрасной областях спектра пористого GaAs, полученного с помощью электролитического или химического травления GaAs. Полоса инфракрасной люминесценции пористого GaAs сдвинута относительно максимума кристаллического GaAs в длинноволновую область спектра и обладает большей шириной. Все образцы характеризуются широкой полосой излучения в видимой области спектра, интенсивность и форма которой зависят от условий приготовления слоев. В полосе можно выделить 2 максимума--- около 420 и 560 нм. Дано объяснение как видимого свечения, так и модификации инфракрасной полосы пористого GaAs. Из сравнения видимой лиминесценции пористого GaAs с излучением гидратированных оксидов мышьяка и галлия сделан вывод о том, что в видимой области люминесценция пористого GaAs, в особенности полученного химическим травлением, в значительной мере определяется присутствием оксидов. Высказаны соображения о путях получения квантово-размерных образований на поверхности GaAs.

Аморфные пленки твердого раствора Ge0.90Si0.10 : Hx (x=1.3, 5.1, 8.7, 14.2 и23.7 ат%) толщиной 1 мкм были получены в атмосфере с различными парциальными давлениями водорода методом плазмохимического осаждения. Скорость осаждения составляла 0.3-0.5 Angstrem/c. Измерения электропроводности пленок проведены в температурной области 100-420 K. Измерена темновая проводимость пленки, рассчитаны энергия активации прыжка при температуре 100 K, длина прыжка, подвижность электронов на уровнях varepsilonF и varepsilonC, а также энергия активации проводимости.

Разработан метод иизготовлены p-i-n-фотодиоды для спектрального диапазона 1.3-1.5 мкм на основе многослойных гетероструктур Ge/Si сквантовыми точками Ge, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевой подложке. Слоевая плотность квантовых точек составляет 1.2·1012 см-2, размеры точек вплоскости роста~8 нм. Достигнута наименьшая из известных влитературе для фотоприемников Ge/Si величина темнового тока при комнатной температуре (2·10-5 А/см2 при обратном смещении1 В). Получена квантовая эффективность 3% на длине волны1.3 мкм.

В статье освещаются результаты изучения мнения медицинского персонала Городской станции скорой медицинской помощи г. Саратова о роли среднего медицинского персонала при оказании скорой медицинской помощи населению.

Воспалительные заболевания пародонта характеризуются неуклонным ростом и широкой распространенностью среди детского и подросткового возраста. Наиболее часто заболевания пародонта встречаются у детей школьного возраста. Патологические изменения маргинального пародонта наблюдаются у детей с зубочелюстными аномалиями более чем в два раза чаще, чем у детей без таковых. Основным заболеванием пародонта воспалительного генеза у детей и подростков является хронический катаральный гингивит. Ведущую роль в развитии воспалительных заболеваний пародонта играет микробный фактор.

Полученные в ходе исследования результаты указывают на сочетанное и взаимосвязанное развитие и усугубление провоспалительного состояния по мере прогрессирования ожирения и инсулинорезистентности, являющихся патофизиологическими основами метаболического синдрома и сердечно-сосудистых заболеваний.Изучение патогенетических связей между метаболическим синдромом, его отдельными компонентами и злокачественными новообразованиями позволяет получить новые данные для разработки способов эффективной профилактики рака эндометрия.