Рассматривается электрическое сопротивление на постоянном токе полупроводниковой квантовой проволоки вдиэлектрической матрице, обусловленное взаимодействием носителей заряда спродольными акустическими фононами матрицы. Для случая невырожденного газа носителей впроволоке на основе приближения времени релаксации получены простые аналитические выражения для расчета электропроводности. При независящей от температуры концентрации носителей заряда сопротивление проволоки растет стемпературой какT5/2, т. е. более сильно, чем вобъемном ковалентном полупроводнике.

Исследованы электрические характеристики монокристаллов Cd1-xZnxTe (x=0.05) и Cd1-xMnxTe (x=0.04) p-типа проводимости с удельным сопротивлением 103-1010 Ом·см (300 K). Проводимость и ее изменение с температурой интерпретируются на основе статистики электронов и дырок в полупроводнике с глубокими акцепторными примесями (дефектами) с учетом их компенсации донорами. Найдена глубина акцепторных уровней и степень их компенсации. Обсуждаются проблемы достижения проводимости, близкой к собственной.

Проведены измерения электропроводности и термоэдс в жидком теллуре с примесями переходных 3d-металлов в широком температурном интервале (от1700 K до кристаллизации) под давлением аргона (до25 МПа). Показано, что примесиTi, V, Cr, Mn уменьшают электропроводность и незначительно увеличивают теромоэдс, а примесиFe, Co, Ni иCu увеличивают электропроводность и незначительно уменьшают термоэдс. При уменьшении электропроводности в области выше 1200 K термоэдс остается практически постоянной. Полученные результаты интерпретируются в рамках модели s-d-гибридизации. Для описания рассеяния электронов в таких системах использована процедура Фриделя-Андерсона, базирующаяся на идеях о существовании виртуальных связанных состояний.

Получены выражения для времени релаксации, подвижности электронов и статической электропроводности вдоль полупроводниковой квантовой проволоки, обусловленные случайным полем гауссовых флуктуаций толщины проволоки. Для невырожденной статистики носителей тока при достаточно низких температурах(T) подвижность электронов un прапорционально T1/2. Впредельном случае сильного магнитного поляH, направленного вдоль длины проволоки, в подвижности возникает множитель H-1/2. Показано, что рассмотренный механизм релаксации носителей заряда является существенным для электропроводности достаточно тонкой и чистой проволоки при низких температурах.

В квазиклассическом приближении рассмотрена осциллирующая часть продольной проводимости слоистых кристаллов в случае, когда электрическое поле и квантующее магнитное поле перпендикулярны слоям. Рассмотрение отличается от традиционного учетом непараболичности узкой минизоны проводимости и зависимости протяженности поверхности Ферми вдоль направления магнитного поля от плотности носителей заряда. Это позволяет рассмотреть не только традиционный случай открытых поверхностей Ферми, но и случай замкнутых поверхностей Ферми для таких кристаллов. Показано, что в случае замкнутых поверхностей Ферми наличие частот, не отождествляемых с экстремальными сечениями поверхностей Ферми плоскостями, перпендикулярными магнитному полю, может служить критерием узости минизоны проводимости, определяющей трансляционное движение носителей тока поперек слоев.

Методами математического моделирования исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в субмикронных n+-n-n+-структурах с существенным рельефом концентрации примеси в высокоомной части. Использовано квазигидродинамическое описание электронного дрейфа, включающее учет зависимостей подвижности и времени энергетической релаксации от электронной температуры, термодиффузионную составляющую электронного потока и дивергенцию потока электронной температуры. Показано, что секционирование высокоомной пролетной n-области дополнительными низкоомными n+-включениями наноразмерной протяженности существенно снижает температуру электронного газа, повышает эффективную подвижность носителей, а следовательно, и высокополевую электропроводность структуры за счет соответствующего повышения дрейфовой скорости.

Проведено исследование электрофизических свойств нелегированных и намеренно легированных фосфором пленок alpha-Si : H, содержащих нанокристаллы кремния. Нанокристаллы кремния формировались при твердофазном фазовом переходе в результате наносекундного воздействия излучения эксимерного XeCl-лазера на аморфную пленку. Образование нанокристаллов в нелегированных пленках сопровождалось увеличением проводимости на 2--3 порядка с одновременным уменьшением эффективной энергии активации проводимости с 0.7 до0.14 эВ. Размер нанокристаллов составлял величину от2 до10 нм в зависимости от режимов лазерных обработок, что было определено исходя из данных комбинационного рассеяния света и высокоразрешающей электронной микроскопии. На основе расчета энергий локализованных состояний электронов и дырок в нанокристаллах получена температурная зависимость уровня Ферми. Показано, что при понижении температуры уровень Ферми стремится к энергии состояний в нанокристаллах кремния в широком интервале концентраций легирующей примеси. Привязка уровня Ферми к состояниям в нанокристаллах является следствием их многозарядности. Обнаружено, что при лазерных обработках легированных аморфных пленок кремния происходит эффективная трансформация фосфора в электрически активное состояние, что является актуальным для создания мелких p-n-переходов и контактов к аморфным пленкам кремния.

Изучалась фотолюминесценция и электрические свойства органических полупроводников полиамидокислоты(PAA) иее комплексов с лантоноидами. При добавлении в PAA лантана и тербия наблюдалось увеличение интенсивности излучения на40%. Собственных полос лантоноидов в спектре излучения обнаружено не было. Исследование вольт-амперных характеристик и температурной зависимости проводимости PAA и ее комплексов проводилось на слоях толщиной от40 до0.1 мкм. Особенностью электрических свойств является гистерезис температурной зависимости проводимости при увеличении и понижении температуры. Значительное отклонение вольт-амперных характеристик от линейности, связанное с инжекционными токами, наблюдалось на слоях толщиной0.1-0.2 мкм. Пробойное напряжение и предельный ток для них составляют соответственно3-8 В и(2-1)·10-2 А/см2. Полученная величина плотности тока сравнима с плотностью тока в слоях электролюминесцентных сопряженных полимеров при тех же напряжениях.

Определена электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в случае, когда электрическое и квантующее магнитное поле перпендикулярны слоям. Зарядовое упорядочение при этом рассматривается как чередование слоев с различной плотностью носителей тока. Электропроводность при рассеянии на акустических фононах вычисляется в приближении сильного квантования, когда межподзонные переходы можно считать подавленными. Показано, что при переходе слоистого кристалла из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное осцилляции электропроводности становятся двупериодическими, причем высокая основная частота определяется величиной эффективного притягивающего межэлектронного взаимодействия, отвечающего за зарядовое упорядочение, а низкая модулирующая--- шириной узкой минизоны в направлении, перпендикулярном слоям. Показано также, что при переходе из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное продольная проводимость слоистого кристалла понижается на 2--3порядка, а относительный вклад осцилляций резко возрастает, что находится в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. PACS: 73.61.At, 72.15.Gd

Методами математического моделирования на основе уравнения энергетического баланса исследована электропроводность наноразмерных слоистых гетероструктур в сильных электрических полях. Показано, что характерной особенностью соответствующих характеристик является пик дифференциальной проводимости, положение и величина которого определяются высотой и крутизной гетеробарьеров, равно как и уровнем легирования структуры. Предложена физическая модель, интерпретирующая форму расчетных характеристик кумулятивным действием электростатического снижения высоты гетеробарьеров и ростом электронной температуры в окрестности инжектирующих гетерограниц. PACS: 73.63.-b