Методом ЯМР (1H, 19F) изучена динамика ионов фтора и аммония в  соединениях Na(NH4)6Zr4F23 и Li(NH4)6Zr4F23 в диапазоне температур 170 - 440 K. Определены виды ионных движений и оценена энергия их активации. Установлено наличие фазовых переходов в области температур 360 - 370 K и 410 - 415 K. Измеренные значения удельной проводимости (сигма) соединений Na(NH4)6Zr4F23 и Li(NH4)6Zr4F23 (сигма = 4х10-3 См/см при T = 420 K) позволяют отнести данные фториды к классу суперионных проводников

Рабкин Л.М., Петин Г.П., Зарубин И.А. Исследование электропроводности сегнетоэлектрика при экзоэлектронной эмиссии с его поверхности // Электронный журнал "Исследовано в России", 1-4, 1075-1084, 2000. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2000/078.pdf

Щербаков В.В., Ермаков В.И. Измерение электропроводности и диэлектрической проницаемости растворов электролитов // Электронный журнал "Исследовано в России", 1-4, , 1999. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/1999/036.pdf

Рассматривается система уравнений гидродинамики и теплообмена для описания колебаний газового пузырька в электропроводной жидкости, помещенной в магнитное поле. Приводятся результаты численного исследования поля скоростей, давлений и температур. Найдены частотные характеристики системы. Показано, что при высоких частотах колебаний газ в пузырьке ведет себя почти как адиабатический.

А.П. Васильев Расчет индуцированного магнитного поля при схлопывании кавитационного пузырька в электропроводной жидкости, помещенной во внешнее однородное магнитное поле. Вестник Оренбургского государственного университета, 2002, 5. http://www.osu.ru/?doc=1037

Исследуется влияние магнитного поля на динамику пузырька в двух процессах: затухающее адиабатическое колебание пузырька с идеальным газом и схлопывание парового пузырька в динамическом режиме. На основе закона сохранения энергии для второго случая получено расчетное соотношение для ударного повышения давления. В численном исследовании показано, что магнитное поле приводит к быстрому затуханию колебаний газового пузырька и демпфированию ударного давления парового, которое в отсутствии магнитного поля может достигать 100 МПа.

Ю.И. Сухарев, И.Ю. Сухарева, А.М.Кострюкова, А.Г.Рябухин . Электропроводность гелевых систем оксигидратов иттрия и циркония. Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Выпуск 4(21), 2003

Ю.И.Сухарев, И.Ю.Сухарева, А.Г.Рябухин, А.М.Кострюкова, К.Р.Зиганшина, В.А.Захаров. Особенности электропроводности оксигидратных систем иттрия и гелей кремневой кислоты. Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Выпуск 2(23), 2004

Ю.И.Сухарев, И.Ю.Сухарева, А.М.Кострюкова . Электропроводность самоорганизации оксигидратных гелей. Известия Челябинского научного центра, http://www.csc.ac.ru/news/, Выпуск 3(24), 2004

А.М. Солодуха. Особенности прыжковой электропроводности в тонких слоях триоксида вольфрама. // Вестник Самарского Государственного Университета, http://ssu.samara.ru/~vestnik/est/, Серия "Физика, Математика", № 2, 2005