Исследованы рамановские спектры и электропроводность тонких пленок гидрогенизированного кремния со смешанным аморфно-нанокристаллическим фазовым составом. Показано, что интерпретация экспериментальных результатов в рамках теории протекания позволяет определить отношение интегральных поперечных сечений рамановского рассеяния нанокристаллической и аморфной фаз и провести количественную оценку объемной доли каждой фазы.

В интервале температур 80--450 K исследована электропроводность кристаллов ниобата лития в зависимости от условий окислительно-восстановительного отжига. Результаты интерпретируются в рамках поляронной электропроводности в области температур от комнатной и выше. Понижение температуры измерения приводит к "вымораживанию" поляронов малого радиуса, и определяющим механизмом электропроводности становятся прыжки биполяронов Гайтлера--Лондона по незаполненным узлам NbLi.

Вычислены средние величины плотностей тока и заряда, наведенных слабым электромагнитным полем в случае пространственно неоднородных систем при конечной температуре. Формула Кубо для тензора электропроводности обобщена на случай неоднородных в пространстве систем и полей. Выделены вклады, содержащие электрические поля и производные от полей по координатам. В качестве пространственно неоднородных систем могут выступать полупроводниковые квантовые ямы, проволоки и точки.

Изучено влияние условий получения пленок поликристаллического кремния методом молекулярно-лучевого осаждения на их структуру и электропроводность. Показано, что приложение к подложке отрицательного относительно кремниевого источника напряжения в интервале от 50 до 300 В приводит к формированию более совершенных пленок по сравнению с пленками, полученными в обычных условиях. Они имеют также более высокую электропроводность. Полученные данные объясняются влиянием бомбардировки растущей пленки ионами легирующей плимеси.

Предложен новый механизм многозначной анизотропии продольной электропроводности двухъямных и многоямных гетерструктур на основе многодолинных полупроводников. Механизм основан на предположении о том, что при разогреве электронного газа межъямная термоэлектронная эмиссия через невысокий потенциальный барьер становится доминирующим каналом электронных переходов между ямами и что межъямные переходы с сохранением долины могут быть чаще междолинных. Учетены внутренние электрические напряжения на барьерах, возникающие вследствие различного междолинного перераспределения в ямах.

Представлены результаты исследований электрических свойств наноструктурированных пленок аморфного бора a-B в сравнении с результатами, полученными для объемных образцов того же материала, а также для кристаллов некоторых "аморфноподобных" боридов со сложной икосаэдрической структурой. Предлагаются модели, объясняющие повышенную электропроводность пленок a-B.

Монокристаллы германия n-типа с концентрацией доноров 3· 1012 см-3 деформировались при 760oC до степеней delta=<q 71% со скоростью 6· 10-3 с-1, охлаждались до комнатной температуры, а затем отжигались при 900oC в течение t=<q 20 ч. Низкотемпературная статическая электропроводность дырок, захваченных на дислокации, по разветвленной дислокационной системе, измерялась до и после отжига деформированных образцов. Было обнаружено, что отжиг способствует увеличению дислокационной электропроводности в образцах с delta60%. Избирательное травление и рентгенодифракционный анализ показали, что основным структурным отличием образцов с delta >60% является присутствие рекристаллизованных областей. Влияние отжига на дислокационную электропроводность объясняется увеличением связности дислокационной системы при delta60%.

Рассмотрено влияние сильного электрического поля на электропроводность пленок n-InSb, выращенных на подложках из окисленного кремния. Установлено, что рост электропроводности происходит за счет увеличения концентрации носителей заряда. Произведена оценка энергии активации носителей заряда из данных измерений.

Из формулы Кубо получено общее выражение для статической электропроводности вмагнитном поле, направленном параллельно поверхности параболической квантовой ямы. Сиспользованием куммулянтного усреднения сформулированы условия \glqq приближения времени релаксации\grqq для расчета корреляционных функций. Вычислены тензоры продольной и поперечной электропроводности врассматриваемой размерно-ограниченной системе сучетом взаимодействия электрона сакустическими и оптическими колебаниями. Показано, что поперечная электропроводность значительно больше (на несколько порядков), чем вобъемных системах. Исследована зависимость продольной электропроводности вслучае сильно вырожденного электронного газа от величины магнитного поля.

В пределе бесконечно большой длины релаксации энергии носителей тока получено аналитическое решение кинетического уравнения для функции распределения электронов в одномерном полупроводнике с пространственно-периодическим потенциалом в присутствии слабого тянущего электрического поля. Явное выражение для проводимости системы найдено в случае синусоидального потенциального рельефа произвольной амплитуды. Показано, что сингулярности функции распределения электронов, возникающие в асимптотическом пределе, сглаживаются в области конечных значений длины релаксации энергии. Сопоставление с результатами обратного, локального режима, показывает, что проводимость в сильно нелокальном случае меньше при любых амплитудах потенциала.