Исследована фотопроводимость структур на основе Si : B с блокированной проводимостью по примесной зоне с концентрацией бора в активном слое ~1018 см-3. Измерения проводились в диапазоне температур 4.2/10 K при различных интенсивностях возбуждающего излучения 1010/ 1015 фотон/см2·с. Фотовозбуждение осуществлялось с помощью излучения полупроводникового лазера на длине волны 5.5 мкм. Обнаружено, что при температурах ниже 6 K и малых напряжениях смещения (

Экспериментально исследованы зависимости суперлюминесценции и просветления GaAs, возникающие при межзонном поглощении мощного пикосекундного импульса света, от энергии фотона homegaex этого света. Просветление (увеличение прозрачности) в основном отображает концентрацию фотогенерированной электронно-дырочной плазмы. Обнаружено, что когда в зоне проводимости расстояние между энергетическим уровнем, где электроны рождаются, и уровнем, с которого они стимулированно рекомбинируют, кратно энергии продольного оптического фонона, то: 1)усиливается рекомбинационная суперлюминесценция, 2)замедляется рост просветления при увеличении homegaex, 3)усиливается сдвиг края спектра излучения в длинноволновую сторону. Эти эффекты качественно объясняются увеличением доли переходов с излучением LO-фононов в энергетическом транспорте электронов ко дну зоны проводимости и влиянием этого на разогрев электронно-дырочной плазмы и плотность неравновесных LO-фононов.

Показано, что в канале субмикронных полевых транзисторов электроны не успевают разогреться до квазистационарных температур, отвечающих балансу джоулева разогрева и терморелаксации. Отмеченный "недоразогрев" увеличивает эффективную подвижность по сравнению со значением mu(E), отвечающим дрейфово-диффузионному приближению. Используя редукцию уравнения теплового баланса за счет терморелаксационного члена, получено простое аналитическое выражение для вольт-амперных характеристик транзистора. В частности, ток насыщения транзистора в развитой ультраквазигидродинамической модели пропорционален (VG-Vt)3/2. Приведены результаты измерений характеристик тестовых гетеротранзисторов P-HEMT GaAlAs/InGaAs/GaAs с длиной канала~ 0.3 мкм, подтверждающие адекватность развитой модели, точность которой с дальнейшим уменьшением длины канала будет лишь увеличиваться.

Обнаружено и экспериментально исследовано явление гистерезиса магнитосопротивления нейтронно-легированного Ge : Ga в режиме прыжкового транспорта по состояниям кулоновской щели. Гистерезис сопровождается скачкообразным уменьшением сопротивления в магнитном поле величиной около800 Э после предварительного намагничивания образца в полях, превосходящих1 кЭ. Относительная величина скачка сопротивления растет с понижением температуры. Этот эффект наблюдается на изоляторной стороне перехода металл--изолятор, который происходит при концентрации Ga 1.85· 1017 см-3. Исследованы основные закономерности и предложены возможные объяснения обнаруженного явления.

В образцах структур дырочного типа GaAs/Al0.3Ga0.7As на переднем фронте импульса тока в сильном электрическом поле обнаружен острый пик. Анализ его формы и величины в зависимости от величины электрического поля, а также перераспределение поля вдоль образца позволяют сделать вывод о существовании в этих условиях доменной неустойчивости. При этом показано, что разогрев дырок в умеренных электрических полях может существенно превышать энергию оптического фонона.

Исследование транспорта горячих электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния позволило впервые получить практически все ранее предсказанные теоретически эффекты ванье--штарковской локализации: блоховские осцилляции, штарк-фононные резонансы, локализацию минизоны, резонансное межминизонное туннелирование. В структурах n+-n--n+, оптимизированных для сверхвысокочастотных измерений, в области электрических полей, соответствующих режиму блоховских осцилляций, наблюдался эффект подвижного электрического домена, что позволило с большой степенью вероятности прогнозировать наличие в естественной сверхрешетке 6H-SiC колебаний сверхвысокочастотного диапазона.

Предложена схема лазера, способного генерировать излучение в дальнем инфракрасном диапазоне (lambda~ 150 мкм). Для создания инверсии населенностей подзон предлагается использовать электронный транспорт в трех туннельно-связанных квантовых ямах в сильном электрическом поле, лежащем в плоскости квантовых ям. Важной особенностью предлагаемой структуры является присутствие одной шероховатой гетерограницы. Проведенное моделирование электронного транспорта методом Монте--Карло в гетероструктуре AlxGa1-xAs/GaAs (x=0.2,0.3) показало, что в поле свыше1.2 кВ/см при T=4.2 и77 K реализуется инверсная заселенность первой и второй подзон размерного квантования.

Проведены сравнительные исследования катодолюминесцентных свойств пленок ZnO в гетероэпитаксиальных структурах ZnO/GaN/alpha-Al2O3 и ZnO/alpha-Al2O3, выращенных методом химических транспортных реакций в проточном реакторе пониженного давления. Установлена сверхлинейная зависимость интенсивности экситонной полосы спектра катодолюминесценции структур ZnO/GaN/alpha-Al2O3 от тока электронного пучка, свидетельствующая о стимулированном характере излучения при относительно низких пороговых значениях уровня возбуждения. Показано, что пленкиZnO, выращенные наGaN, обладают значительно более эффективной катодолюминесценцией по сравнению с пленками на alpha-Al2O3. Обнаружена высокая термостойкость люминесцентных свойств слоевZnO в структурах ZnO/GaN/alpha-Al2O3, подвергнутых длительной термообработке при 750oC в атмосфере кислорода.

Исследованы температурные зависимости сопротивления в интервале температура 0.7 K

Обсуждаются транспортные свойства сверхрешеток со слабыми барьерами ивозможность создания блоховского генератора на основе таких сверхрешеток. Предлагается терагерцовый блоховский генератор всверхрешетке на основе структур n-GaAs--GaAlAs со слабыми барьерами. Из-за межминизонного туннелирования ток является растущей функцией поля, так что образование доменов невозможно. В то же время туннелирование иблоховские колебания приводят кдинамической отрицательной проводимости втерагерцовой области. Расчеты методом Монте--Карло показывают, что динамическая отрицательная проводимость существует вобласти частот 1-7 ТГц для сверхрешеток сумеренной подвижностью при77 K. Блоховский генератор должен состоять из сверхрешетки в350-700 периодов по150 Angstrem, помещенной между двумя контактными областями, которые представляют собой также отрезок полосковой линии (резонатор генератора). Предположительно он будет работать при77 K внепрерывном режиме.