В гетероструктурах со связанными квантовыми ямами измерены температурные зависимости проводимости ихолловской подвижности. Изучены их зависимости от ширины квантовой ямы. Показано, что введение туннельно-прозрачного барьера всередине ямы увеличивает подвижность вузких ямах иуменьшает--- вшироких. Проведено сравнение экспериментальных результатов срассчитанными зависимостями. Показано, что число заполненных подзон размерного квантования зависит от ширины ямы иналичия барьера. При температуре4.2 K вдиапазоне магнитных полей от1 до40 Тл измерены магнетосопротивление исопротивление Холла. Спомощью фурье--анализа осцилляций Шубникова--де-Гааза определено заполнение подзон. Получено хорошее согласие срассчитанными величинами.

Представлена модель для объяснения особенностей электронного транспорта всильных электрических полях вуниполярном гетероструктурном транзисторе сквантовыми точками (AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs). Показано, что двухступенчатая форма выходной вольт-амперной характеристики ID(VD) ианомальная зависимость тока стокаID от напряжения на затвореVG обусловлены ионизацией квантовых точек всильном электрическом поле вблизи стокового края затвора. Ионизация квантовых точек зарождается при напряжении стокаVD, превышающем значениеVD1, при котором зависимость ID(VD) выходит на насыщение (первая ступенька вольт-амперной характеристики). При последующем увеличенииVD, т. е. при VD>VD1, зависимость ID(VD) за счет ионизации квантовых точек снова испытывает крутой подъем изатем при VD=VD2>VD1 токID вторично выходит на насыщение (вторая ступенька на характеристике). Этот эффект предлагается использовать для определения заселенности квантовых точек электронами. Представленная модель также описывает наблюдаемое вэксперименте двукратное изменение знака крутизны gm=dID/dVG как функцииVG.

Методами поляризованной горячей фотолюминесценции исследованы оcобенности баллистического транспорта горячих фотовозбужденных электронов из сверхрешетки в уширенную квантовую яму. Установлено, что подавляющая часть фотовозбужденных электронов успевает термализоваться до захвата в уширенную квантовую яму. Однако малая часть фотовозбужденных электронов достигает уширенной квантовой ямы баллистически, сохраняя анизотропию распределения по импульсам или спиновую ориентацию, возникшую в результате поглощения линейно или циркулярно поляризованного света в сверхрешетке.

Исследованы закономерности электрического транспорта в слоях пористого кремния, полученного методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния p-типа с ориентацией поверхности(110). Обнаружено, что латеральные проводимость и фотопроводимость слоев вдоль кристаллографической оси[110] значительно выше, чем вдоль оси[001]. Для объяснения полученного результата использована модель эффективной среды, в которой учтено наличие потенциальных барьеров на границах кремниевых нанокристаллов, характеризующихся анизотропией формы. Экспоненциальная зависимость проводимости пористого кремния от корня квадратного из приложенного напряжения интерпретирована в рамках эффекта Пула-Френкеля.

Измерены вольт-амперные характеристики и получены осциллограммы импульсов тока в многослойных гетероструктурах n-InGaAs / GaAs с квантовыми ямами и эпитаксиальных пленках n-GaAs с различным уровнем легирования. Показано, что при низких уровнях легирования в полях порядка 300-400 В/см имеет место насыщение вольт-амперных характеристик. Вболее сильно легированных образцах наблюдается возникновение осцилляций тока с периодом, соответствующим транспортной скорости (3-3.5)·105 см/с при E||[110] и примерно в 1.5раза большим при E||[100]. Полученные результаты объясняются возникновением в структурах соответственно статических и движущихся акустоэлектрических доменов. Вполях выше 1.5 кВ/см наблюдались высокочастотные осцилляции ганновского типа, соответствующие пролетной скорости электронов 1.5·107 см/с.

Впервые исследованы спектры фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции, рамановское рассеяние на фононах и вертикальный транспорт (вдоль направления роста) фотовозбужденных носителей и экситонов в слабонапряженных сверхрешетках CdSe/CdMgSe типаI, выращенных на подложках InAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследования проводились при различных температурах и интенсивностях возбуждения. Вертикальный транспорт исследовался чисто оптически по методу встроенной в сверхрешетку уширенной квантовой ямы, служившей резервуаром, в который попадают экситоны и носители заряда после туннелирования через сверхрешетку. При температурах 2--150 K транспорт преимущественно осуществляется свободными экситонами, но в сверхрешетках с периодами 5.9 и 7.3 нм он не является блоховским. Сравнение расчетных энергий межподзонных переходов в сверхрешетках с экспериментом дает относительную величину разрыва для валентной зоны в диапазоне 0.4--0.5. Из спектров рамановского рассеяния установлен двухмодовый характер поведения для оптических фононов в CdMgSe.

Ваморфном углероде, модифицированном медью, выявлено влияние меди на уширение полосы поглощения инфракрасного излучения в области растяжения водородных связейOH...O (~3100-3700 см-1). Показано, что уширение полосы поглощения, сопровождающееся ее сдвигом в низкочастотную область спектра, происходит благодаря транспорту протонов между соседними гидроксильными группами в линейных цепочках OH...O. Определена функция распределения таких цепочек по длинам.

Исследовались структуры на основе GaN с квантовыми точками InGaN в активной области, излучающие в синем и зеленом диапазонах света. Сравнивались структуры, выращенные как традиционным способом, так и с применением специальных методик выращивания активной области. Применение таких специальных режимов роста стимулирует активированный фазовый распад, приводящий к образованию квантовых точек с существенно большей глубиной локализации электронов. Показано, что образование таких глубоких квантовых точек, так же как и образование более крупных неоднородностей активной области, существенно подавляет латеральный транспорт носителей. Это улучшает характеристики светодиодных структур при малом уровне инжекции, а также увеличивает температурную стабильность квантовой эффективности. PACS: 85.60.Th, 68.55.Bd, 78.67.Hc, 85.60.Dm, 78.55.-m, 85.42.+m, 72.40.+w

Исследовано влияние отжига в атмосфере насыщенных паровCd на проводимость мелко- и крупнозернистных поликристалловCdTe. Показано, что до отжига и в мелко- и в крупнозернистных поликристаллах транспорт носителей определяется в основном прыжковой проводимостью. Отжиг приводит к исчезновению прыжковой проводимости и возникновению в крупнозернистых поликристаллах единственного дефекта, по-видимому, сложного, однако никак не связанного с наличием межзеренных границ. Вмелкозернистых поликристаллах отжиг приводит к появлению сложных протяженных дефектов, определяемых либо сегрегацией примесей на межзеренных границах, либо скоплением вблизи них собственных дефектов. PACS: 72.20.Ee, 81.20.Dz, 81.40.Rs

Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса. PACS: 73.40.Gk, 85.30.Mn