На примере туннельного контакта показано, что взаимодействие одноэлектронных процессов в многоэлектронной системе может служить источником безмасштабных фликкерных низкочастотных флуктуаций ее проводимости (взаимодействие заключается в том, что квантовая вероятность электронного перехода зависит от быстрых случайных изменений обстановки в течение перехода, в том числе вызванных аналогичными переходами). Теория связывает фликкерные флуктуации туннельной проводимости с дискретностью спектра электронных состояний и объясняет нелинейность шум-амперной характеристики, наблюдавшуюся в нанокомпозитах. Работа поддержана Министерством образования и науки Украины (проект N 2M/71-2000) и Королевской Академией наук Швеции.

С использованием методики химического жидкофазного осаждения (chemical bath deposition technique) в поры синтетического опала введены соединения эрбия: оксид и силикаты. Электронно-микроскопическими исследованиями установлено, что синтезированные вещества преимущественно осаждаются тонким однородным слоем на внутренней поверхности пор. Из исследований спектров пропускания показано, что полученный композит опал-эрбий сохраняет фотонно-кристаллические свойства (photonic band gap properties) исходной упорядоченной матрицы опала. Ионы Er3+ в составе композита люминесцируют на нескольких длинах волн в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах (550, 860, 980, 1240 и 1530 nm) при температуре 80 K. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект 02-02-16502a), Минпромнауки (\glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq) и гранта NATO (PST.CLG.978079).

Предложена модель токового разогрева широкой сверхпроводящей пленки, учитывающая нелинейный характер ее проводимости. Показано, что в рамках этой модели свойства пленки могут характеризоваться одним безразмерным коэффициентом теплового баланса, включающим в себя как тепловые, так и резистивные параметры системы. Проанализирована устойчивость состояний пленки, несущей транспортный ток. Построена диаграмма состояний пленки в зависимости от средней плотности тока и коэффициента теплового баланса. Расчитана скорость движения стационарного неоднородного распределения температуры в пленке как функция плотности тока при разных значениях коэффициента теплового баланса. Работа поддержана Министерством образования и науки Украины (проект 2M/71-2000).

Измерена температурная зависимость диссипативной части отклика пленки из высокотемпературного сверхпроводника YBCO, несущего транспортный ток, на переменное магнитное поле. Обнаружен температурный гистерезис отклика, величина которого зависит от величины транспортного тока. Явление гистерезиса связывается с тем, что в некотором интервале температур термостата имеются два устойчивых равновесных состояния сверхпроводника с током, существование которых определяется особенностями производства и отвода тепла. Работа частично поддержана Министерством образования и науки Украины (проект 2М.71-2000).

Исследованы амплитудно-фазовые спектры отражения света от распределенных брэгговских отражателей и микрорезонаторов Фабри--Перо, выращенных на основе тонких пленок a-Si : H/a-SiOx : H. Измерена частотная зависимость разности фаз амплитудных p- и s-коэффициентов отражения света в пределах фотонной запрещенной зоны. Фазовый спектр в основном характеризуется плавной зависимостью от частоты (близкой к линейной), за исключением спектральных участков в области краев фотонной запрещенной зоны и особенностей, связанных с собственными модами микрорезонатора. Экспериментальные спектры сравниваются с результатами теоретических расчетов, выполненных с использованием метода матриц переноса и приближенных аналитических выражений. Предложен способ структурной характеризации многослойной микрорезонаторной системы, основанный на анализе амплитудно-фазовых спектров отражения. Работа выполнена при финансовой поддержке программы Минпромнауки \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq (проект 01.40.01.09.03) и гранта NATO PST.CLG 980399.

Представлены результаты исследования структурного совершенства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста (240--300oC) и разных соотношениях потоков As и Ga (от 3 до 13). На кривых дифракционного отражения выявлены характерные особенности для указанных образцов до и после отжига в диапазоне температур от 300 до 800oC. Выдвинуты предположения, объясняющие эти особенности. Установлен диапазон изменения соотношения потоков мышьяка и галлия, при котором происходит низкотемпературный рост в условиях, близких к стехиометрическому.

Легированные эрбием пленки a-Si : H получены магнетронным распылением мишени Si--Er при температуре осаждения 200oC. Затем проведен кумулятивный термический отжиг. После отжига при 300oC в течение 15 мин в атмосфере азота обнаружено резкое возрастание (в ~50раз) интенсивности фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм. При температуре отжига <=500oC сигнал фотолюминесценции спадал практически до нуля. Влияние процессов термического отжига обсуждается в рамках модели частичной перестройки структурной сетки аморфных пленок a-Si(Er) : H.

Представлен новый сублимационный метод очистки веществ в вакууме, основанный на фазовом превращении кристалл--пар--кристалл. Приведена принципиальная конструкция ростового реактора и основные параметры глубокой очистки соединения CdTe. С помощью низкотемпературной фотолюминесценции показана динамика очистки, характеризующаяся полным распадом различных комплексов и резким уменьшением концентрации как мелких, так и глубоких остаточных примесей. На финишном этапе очистки получен поликристаллический CdTe состава, близкого к стехиометрическому, в спектре фотолюминесценции которого полностью отсутствует примесное излучение и остается только экситонная часть. Экспериментально подтверждена необходимость глубокой очистки исходных компонент. Аналогичные результаты получены для ZnTe и ZnSe.

Выполнены синтез и структурный анализ трехмерных композитов опал--кремний как с прямой (сразными степенями заполнения пор опала кремнием), так и инвертированной структурой. Вдиапазоне длин волн400-900 нм измерены спектры зеркального отражения света от ростовых поверхностей(111) синтезированных композитов. Наблюдаемые спектральные особенности изучены теоретически и интерпретированы как проявление фотонной запрещенной зоны в направлении[111], перестрaиваемой по положению и ширине в видимом и ближнем инфракрасном спектральном диапазоне.

Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и спектры фотопроводимости крупнозернистых поликристаллов CdTe стехиометрического состава, синтезированных из глубоко очищенных компонентов и подвергнутых тонкой очистке при температуре, в2раза меньшей, чем температура плавления. Показано, что основные характеристики поликристаллов (удельное сопротивление, время жизни и подвижность носителей) определяются сложными комплексами, которые формируются при взаимодействии протяженных и точечных дефектов. Найдены величины произведения подвижности и времени жизни электронов.