Методом плазмохимического газофазного осаждения изготовлены микрорезонаторы Фабри--Перо на длину волны 1.5 мкм на основе a-Si : H и a-SiOx : H. Распределенные брэгговские отражатели и активный слой выращены в едином технологическом цикле. Активный полуволновый слой легирован эрбием в процессе роста с помощью металлорганического соединения. За счет высокого оптического контраста достигнута большая добротность микрорезонатора (Q=355) при 3периодах в распределенных брэгговских отражателях. При этом интенсивность фотолюминесценции эрбия из микрорезонатора оказывается на 2порядка выше по сравнению с интенсивностью излучения эрбия из идентичного слоя a-Si : H без распределенных брэгговских отражателей. Проанализированы спектры пропускания, отражения и фотолюминесценции. Установлено, что спектральная форма линии фотолюминесценции эрбия (переход 4I13/2-> 4I15/2) из микрорезонатора практически совпадает с формой резонансного пика его спектра пропускания. Выполнены теоретические расчеты, позволившие полностью описать наблюдаемые экспериментальные спектры.

Электронно-микроскопическими методами показано, что синтезированный в порах опала нитрид галлия имеет совершенную кристаллическую структуру. Из исследований спектров отражения установлено, что полученные нанокомпозиты опал--<нитрид галлия> сохраняют фотонно-кристаллические свойства исходной упорядоченной матрицы опала при любой(0-100%) степени заполнения пор опала нитридом галлия.

Исследованы спектры фотопроводимости текстурированных крупнозернистых поликристаллов CdTe, синтезированных при низких температурах из глубокоочищенных компонентов. Показано, что фотопроводимость определяется сложными комплексами, состоящими из протяженных дефектов и захваченных на них атомов примесей.

Определен набор глубоких электронных состояний в текстурированном поликристалле p-CdTe состава, близкого к стехиометрическому, методом емкостной спектроскопии (DLTS). Наблюдались четыре дырочные и две электронные ловушки. Показано, что наиболее глубокая дырочная ловушка с уровнем Ev+0.86 эВ является преобладающим дефектом в данном материале. Особенности формы линии в спектре DLTS и логарифмическая зависимость заселенности этого уровня от длительности заполняющего импульса соответствуют протяженному дефекту, обусловленному, наиболее вероятно, дислокациями на границах зерен.

Методом селективного травления ирентгенодифрактометрии изучены особенности строения нелегированных слитков CdTe, выращенных вгазодинамическом потоке при 620oC. Установлено, что вплоть до скорости осаждения 500 мкм/ч образцы состоят из независимо растущих стержней < 111> обеих полярностей, что свидетельствует впользу стехиометричности состава паров взоне роста. Оба типа стержней имеют поперечную штриховку из-за присутствия вних восновном двойников вращения, при этом взернах снаправлением роста[111] A двойниковые границы являются также ималоугловыми границами сдополнительной разориентацией двойниковых индивидов на 0.2--0.3o.

Экспериментально исследовано расщепление резонансных оптических мод в микрорезонаторах Фабри-Перо с распределенными брэгговскими отражателями. Расщепление проявляется в поляризованном свете при больших углах падения на внешнюю границу микрорезонатора. Построена теоретическая модель явления, которая позволяет количественно описать все наблюдаемые особенности расщепления.

В порах искусственных опалов синтезированы нанокристаллическийGaP и аморфный твердый растворGaPN. Полученные композиты опал-GaP и опал-GaPN обладают выраженными фотонно-кристаллическими свойствами. Вспектрах отражения композита опал-GaPN наблюдаются особенности, связанные с множественным характером брэгговской дифракции на двух системах кристаллографических плоскостей{ 111}, параллельных и непараллельных поверхности фотонного кристалла. Исследованы спектры фотолюминесценции синтезированных композитов. Обнаружена заметная модификация полосы излучения композита опал-GaPN, обусловленная влиянием фотонной запрещенной зоны.

Представлены результаты экспериментальных исследований спонтанной эмиссии ионов эрбия в спектральной области края нижайшей фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей (одномерных фотонных кристаллов). Фотонные кристаллы состояли из чередующихся четвертьволновых слоев a-Si : H и a-SiOx : H, выращенных методом плазмохимического газофазного осаждения (plasma enhancement chemical vapor deposition). Эрбий вводился в слои a-Si : H магнетронным распылением эрбиевой мишени в процессе роста структуры. Наблюдаемое изменение интенсивности спонтанного излучения обусловлено немонотонным поведением плотности оптических мод вблизи края фотонной зоны.

Айнутдинов В.а., Медведев М.в. Управление интегрированными производственными системами // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.5 Информатика, вычислительная техника. Автоматизация. Электронные измерительные системы. Информационные технологии и электроника. Электроника. Микроэлектроника, стр. 50

Медведев А.в., Шепелев А.э. Система автоматизированного проектирования технологического процесса сварки типовых узлов отрасли (для учебных целей) // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.11 Конференция студентов и молодых ученых. Техническая физика, стр. 124-126