Дана теоретическая интерпретация тонкой структуры спектров полного тока и спектров прохождения низкоэнергетических электронов по нормали к поверхности (0001) монокристалла MoS2. В расчетах учитывались энергетическая зависимость уширения зонных уровней энергии и электронное строение конечных незаполненных высоколежащих состояний (выше уровня вакуума Evac), в которые попадают электроны при входе в твердое тело. Проведено сравнение с существующими экспериментальными и теоретическими данными. Показана преобладающая роль эффектов объемной зонной структуры (экстремумы в спектрах отражают энергетическое положение критических точек типа краев (границ) энергетических зон или точек экстремальной кривизны дисперсионных ветвей ) в формировании спектров. Развиваемый метод позволяет отделить объемные эффекты в спектрах от поверхностных, что может успешно применяться для контроля состояния поверхности в процессе обработки. Настоящая работа выполнена при поддержке Государственного фонда фундаментальных исследований Украины.

На основе метода эффективной среды, корректно учитывающего динамическое взаимодействие спиновой и упругой подсистем, изучено влияние равновесной магнитной конфигурации на условия прохождения сдвиговой упругой волны через ограниченную магнитную сверхрешетку, состоящую из ферромагнитных и сверхпроводящих слоев, обе внешние поверхности которой имеют немагнитное покрытие.

Исследованы электрические свойства гетеропереходов туллурид--селенид цинка, полученных методом реакций твердофазного замещения. Установлено, что прямой ток определяется туннельно-рекомбинационными процессами при низких смещениях и диффузией носителей над барьером--- при высоких. Начальные участки обратных ветвей вольт-амперных характеристик описываются в рамках модели туннельного прохождения носителей с участием глубоких уровней. При больших обратных смещениях наблюдается резкое увеличение тока вследствие процессов ударной ионизации.

Исследованы изменения времени жизни неравновесных носителей заряда, спектров фотопроводимости, температурные зависимости темнового тока и фототока высокоомных кристаллов p-CdTe при воздействии лазерной ударной волны. Показано, что изменения вышеуказанных характеристик в процессе воздействия ударной волны обусловлены генерацией неравновесных носителей с глубоких центров, а после ее воздействия--- образованием собственных дефектов и их последующим взаимодействием с дефектами, существующими в исходном кристалле.

Рассмотрены основные механизмы прохождения носителей заряда в контакте металл--сверхпроводящий полупроводник. Проведены расчеты вольт-амперной характеристики контакта для токов термоэлектронной, термополевой и туннельной эмиссии. Определены зависимости условий токопрохождения от значений параметров контакта и приложенного напряжения. Показано, что переход полупроводника в сверхпроводящее состояние приводит к уменьшению тока через контакт в интервале напряжений, определяемых высотой потенциального барьера и параметром энергетической щели сверхпроводника.

Жолобов Д., Кравцов Д., Канцырев А.в. Оптические явления при прохождении лазерного излучения через раствор фуллуренов // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 108

Волков С.н. Прохождение светового излучения в слабопоглощающих 2D- и 3D- средах с крупномасштабными рассеивателями // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 121-123

Кузовлев А.и., Курнаев В.а., Ремизович В.с., Трифонов Н.и. Преломление потока заряженных частиц и ионов при прохождении через тонкую мишень // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 141-142

Степанов А.в. Исследование углового распределения черенковского излучения, генерируемого при прохождении релятивистского мюона через воду // Научная сессия МИФИ-1999. Т.12 Физические науки, стр. 111-113

Степанов А.в. Исследование углового распределения черенковского излучения, генерируемого при прохождении релятивистского мюона через воду // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.4 Астрофизика. Космофизика. Ускорительная техника. Физика элементарных частиц. Ядерная физика, стр. 193-194