На основе компьютерного моделирования исследуется изменение частоты, обладающей максимальной спектральной интенсивностью на выделенном временном интервале, от амплитуды воздействующего фемтосекундного импульса. Анализ проводится в рамках оптически тонкого слоя для среды с кубичной нелинейностью и с насыщающейся возвращающей силой. Показана возможность реализации гистерезисных зависимостей частоты спектральной линии от амплитуды воздействующего сигнала как для одной гармоники, так и для нескольких одновременно генерируемых в среде гармоник.

Получены аналитические формулы, позволяющие оценить параметры плазмы по результатам измерения параметров прошедшей через плазму ударной волны. Приведены примеры использования этих формул для интерпретации результатов работ, в которых экспериментально исследовано прохождение ударной волны через плазму газового разряда. Полученные результаты могут послужить нулевым приближением для более точного рассмотрения.

Рассмотрена задача о перечении оптическим импульсом границы раздела между линейной и резонансной средами. Получены зависимости параметров прошедших и отраженных волн от параметров падающей волны. Вычислены амплитуда и скорость прошедшей волны, когда падающая волна имеет солитонную форму.

Теоретически и экспериментально исследованы особенности взаимодействия электромагнитного излучения с нанометровыми структурами металл--полупроводник. Предложена и экспериментально реализована методика неразрушающего многопараметрового контроля электрофизических параметров нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл--полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитной волны. PACS: 81.07.-b

Проведено двумерное моделирование распространения плазмы за счет размножения электронов малой фоновой плотности. Расчеты показывают, что скорость продвижения волны увеличивается по мере приближения к противоположному электроду. Приведены зависимости времени прохождения волны размножения между пластинами конденсатора от напряженности поля для гелия, азота и ксенона. Оценки показывают, что недавно обнаруженный факт более раннего появления пика тока пучка в газе по сравнению с вакуумом может быть обусловлен фоновой ионизацией в предымпульсе и быстрым распространением волны размножения электронов фона. PACS: 52.80.Tn

Получены аналитические выражения, описывающие математическое ожидание и дисперсию времени пролета нерелятивистской заряженной частицы через многоэлектродную систему из параллельных сеток. Эти выражения могут быть использованы для оптимизации конструкции ряда устройств, в частности, систем для сеточного удержания плазмы и времяпролетных масс-спектрометров. PACS: 41.85.Ja

Развита теория отклика двухуровневой двумерной системы на облучение световым импульсом симметричной формы. Подобная электронная система в определенных условиях аппроксимирует одиночную идеальную квантовую яму при нулевом или сильном магнитном поле H, перпендикулярном плоскости ямы. Один из уровней --- основное состояние системы, второй --- дискретное возбужденное состояние с энергией homega0, каковым может являться экситонный уровень при H=0 или любой уровень в сильном магнитном поле. Предполагается, что влиянием прочих уровней и взаимодействием света с решеткой можно пренебречь. Получены общие формулы для временной зависимости безразмерных отражения R(t), поглощения A(t) и пропускания T(t) симметричного светового импульса. Показано, что на временных зависимостях R(t), A(t) и T(t) существуют особые точки трех типов. В точках t0 первого типа A(t0)= T(t0)=0 и происходит полное отражение. Показано, что в случае gammar>>gamma, где gammar --- радиационное, а gamma --- нерадиационное обратное время жизни верхнего уровня двухуровневой системы при условии резонанса omegal=omega0 может происходить сильное изменение величины и формы прошедшего импульса. В случае достаточно длинного импульса, когда gammal

Получено аналитическое решение задачи об электрическом сопротивлении плоской границы раздела между двумя кристаллитами поликристаллического металла. Решение проводилось с использованием метода Кейза. Электрическое поле и функция распределения электронов представлены в виде разложения по собственным функциям соответствующего характеристического уравнения. Показано, что электрическое поле на границе раздела резко возрастает для случая, когда дебаевская частота существенно превышает частоту столкновений электронов в объеме металла. Оказалось, что сопротивление границы раздела не зависит от частоты объемных столкновений электронов, т. е. от длины их свободного пробега. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-01-00336).

В интервале температур 4.2-300 K измерена теплопроводность (varkappa) фотонных кристаллов с различной степенью оптической однородности (монокристаллы синтетических опалов). Наряду с обычным уменьшением varkappa по сравнению со сплошным аморфным SiO2, характерным для пористых тел, обнаружено значительное уменьшнение varkappa при T

Рассчитаны отражение, прохождение и поглощение симметричного электромагнитного импульса, несущая частота которого близка к частоте межзонного перехода в квантовой яме. Уровни энергии в квантовой яме предполагаются дискретными, учитывается один возбужденный уровень. Рассматривается случай достаточно широкой ямы, когда длина волны импульса, соответствующая несущей частоте, сравнима с шириной ямы и необходимо учитывать зависимость матричного элемента межзонного перехода от волнового вектора света. Учтено различие в показателях преломления вещества квантовой ямы и барьера. Предполагается произвольное соотношение между обратными радиационным и нерадиационным временам жизни возбужденного уровня электронной системы. Учет пространственной дисперсии и различия в показателях преломления сильнее всего влияет на отражение, так как наряду с отражением, связанным с межзонными переходами в самой яме, имеет место дополнительное отражение от границ ямы. По сравнению с ранее рассмотренной моделью наиболее радикальные изменения имеют место в отражении в случае, когда обратное нерадиационное время жизни возбужденного состояния велико по сравнению с обратным радиационным временем жизни. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект 00-02-16904) и программы МНТК \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq (97-1099). С.Т. Павлов благодарит Университет Закатекаса и Национальный совет Мексики по науке и технологии (CONACyT) за финансовую поддержку и гостеприимство. Д.А. Контрерас-Солорио благодарит CONACyT (27736-E) за финансовую поддержку.