Предложен новый механизм образования нанопор в углеродных материалах, образующихся из карбидов при их взаимодействии с хлором. Суть этого механизма заключается в следующем. В процессе химического взаимодействия хлора с карбидом углерода протекает ряд нелинейных химических реакций. При определенных соотношениях между внешними параметрами, потоками компонентов и скоростями диффузии может произойти процесс самоорганизации. В результате этого процесса в образующемся углеродном материале формируется периодическая нанопористая структура. Предложена математическая модель, рассчитаны основные характеристики процесса и получены ограничения на параметры, при которых возможно образование пористой структуры. Авторы благодарны Skeleton Technologies Group за финансовую поддержку выполненных исследований. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 98-03-32791 и 99-03-32768), Российского федерального центра "Интеграция" (проект N A0151).

Установлено, что во время воздействия импульсов слабого магнитного поля (H<= 105 A/m) на закаленный и состаренный образец алюминия (99.999%) характер амплитудной зависимости низкочастотного внутреннего трения изменяется: общий уровень внутреннего трения увеличивается. Эффект связывается с влиянием магнитного воздействия на структурный комплекс дислокация--точечные дефекты; роль последних играют вакансии.

Проведен расчет диаграмм фазовых равновесий расплав--твердый раствор (диаграмм плавкости) и твердый раствор (I)--твердый раствор (II) (поверхностей спинодального распада твердых растворов) в пятикомпонентной системе In--Ga--As--Sb--P (твердые растворы изопериодны подложкам GaSb и InAs). Проведен расчет концентрационных областей твердых растворов изовалентного замещения InxGa1-xAsySbzP1-y-z, доступных к синтезу, методом жидкофазной эпитаксии.

Предложена модель кинетики спада фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии в предположении о подбарьерном туннельном характере рекомбинации неравновесных носителей. Показано, что исследование формы спада фотопроводимости при импульсном возбуждении может быть эффективно использовано для обнаружения структурных неоднородностей в аморфных или неупорядоченных полупроводниках.

Исследованы условия возбуждения автоколебаний тока типа рекомбинационных волн в кремнии, легированном серой, в зависимости от электрофизических параметров образцов Si<S>. Полученные данные позволили обнаружить регулярные и воспроизводимые автоколебания с управляемыми параметрами. Установлена четкая корреляция между удельными сопротивлениями и типом проводимости образцов Si< S>, найдены параметры возбуждения рекомбинационных волн: электрическое поле и температура возбуждения.

Произведен расчет термоэлектрических характеристик искусственно анизотропного материала, состоящего из полупроводниковых и сверхпроводящих слоев. Вычисляются поперечная термоэлектрическая добротность и чувствительность датчика малых тепловых потоков. Показано, что использование прослоек из высокотемпературного сверхпроводника существенно изменяет условия оптимизации геометрических параметров слоистой структуры (угла наклона слоев и отношения их толщин) по сравнению с нормальными проводниками. Термоэлектрическая добротность и чувствительность термоэлементов приготовленных из материала со сверхпроводящими прослойками, в 2--3раза превышает соответствующие параметры структуры со слоями из металла.

С использованием метода субмонослойной циклической эпитаксии впервые получен объемный слой твердого раствора BeCdSe толщиной 100 нм с концентрацией бериллия, близкой к46%, что соответствует составу, согласованному по параметру решетки с подложкой GaAs. Также впервые получена низкотемпературная лазерная генерация на длине волны 460 нм с пороговой плотностью мощности около 40 кВт/см3 в структуре с множественными квантовыми ямами ZnSe/BeCdSe. Величина параметра прогиба зон в твердых растворах BeCdSe оценена в4.5 эВ.

Работа представляет исследования физических параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe--- основным материалом для фотоэлектроники в инфракрасных диапазонах 3-5 и8-14 мкм.

Быковский Ю.а., Колосов К.в., Зуев В.в., Кирюхин А.д., Расмагин С.и. Изучение рекомбинационных параметров полупроводникового материала с помощью метода Прони // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 73-75

Вотинов С.н. Малоактивируемые ванадиевые сплавы как конструкционный материал бланкета термоядерных реакторов // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 146-148