Рассмотрена матрица рассеяния точечного контакта одномерных когерентных проводников. Показано, что закон сохранения потока, симметрия относительно обращения времени и гипотеза о непрерывности волновой функции приводят к параметризации матрицы рассеяния одним действительным параметром, независимо от числа проводников, соединяемых контактом. Условие максимального прохождения фиксирует и этот последний параметр, однозначно определяя матрицу рассеяния. Условие сохранения потока при этом сводится к условию обращения в нуль суммы производных волновой функции по направлениям проводников. Обсуждаются возможные применения рассмотренной модели к экспериментально реализуемым цепям одномерных элементов.

Проведено разложение магнитного поля  H, создаваемого пространственно-периодическим распределением точечных магнитных диполей, в ряд Фурье. При этом из-за быстрого (экспоненциального) спада амплитуд гармоник поле  H в произвольной точке оказывается суммой полей всего нескольких ближайших плоскостей или цепочек диполей. Метод применен для вычисления магнитных полей в междоузлиях Sm, находящегося в различных антиферромагнитных состояниях.

В кристаллах KCl, выращенных с примесью 2--3 mol.% серебра, методом оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) впервые однозначно доказано образование кристаллов AgCl, внедренных в решетку KCl и сохраняющих ориентацию матрицы. Получены спектры ОДМР автолокализованных дырок, мелких электронных центров и автолокализованных экситонов, типичные для кристаллов AgCl, а также ряд спектров ОДМР, существенно отличающихся от них. Изменения в спектрах ОДМР, наблюдаемые в образцах, выколотых из разных частей кристалла KCl : AgCl, связаны, вероятно, с изменением размеров внедренных кристаллов AgCl от достаточно больших микрокристаллов до нанокристаллов. Работа была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-16950) и программой "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 99-3012).

Показано, что в изотропном бесконечном твердом теле с высокой концентрацией точечных дефектов деформация, создаваемая пробным дефектом, спадает с расстоянием от него по закону, аналогичному закону спадания потенциала точечного заряда с дебаевской экранировкой.

Обнаружена корреляция между изменением во времени оптических и механических свойств закаленных кристаллов NaCl : Eu и чувствительностью микротвердости этих кристаллов к постоянному магнитному полю. Полученные результаты позволяют судить об атомарном строении магниточувствительных комплексов точечных дефектов. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 00-02-16094) и программы "Университеты России --- фундаментальные исследования".

Изучен вопрос взаимодействия точечных дефектов с краевой дислокацией в градиентной теории упругости. Получены соотношения для изменения энергии системы при смещении точечного дефекта относительно дислокационной линии. Результаты теоретического анализа привлекаются для описания закрепления краевых дислокаций атомами примеси.

Обнаружено, что процессы формирования промежуточных метастабильных магниточувствительных комплексов точечных дефектов в кристаллах NaCl : Eu и их дальнейшая самопроизвольная трансформация в последующие продукты релаксации являются термоактивируемыми и не зависят от диффузионной подвижности примесно-вакансионных диполей. Установлено, что роль магнитного поля заключается в инициировании преобразования комплексов в такое новое состояние, переход в которое является маловероятным в отсутствие поля. Варьирование температурного режима обработки кристаллов позволило значительно (до трех раз) увеличить магнитопластический эффект и создать условия для длительного сохранения магниточувствительных комплексов в кристалле. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 02-02-99302 и 01-02-99115) и Министерства образования Российской Федерации (код проекта E 00-3.4-552).

Предложена теоретическая модель для описания эволюции ансамбля точечных дефектов (вакансий и межузельных атомов) и ее влияния на процессы твердофазной аморфизации в облучаемых кристаллических тонких пленках. Предлагаются уравнения кинетики точечных дефектов в облучаемых тонких пленках в случае отсутствия ионной имплантации. С помощью численного решения данного кинетического уравнения проведен расчет температурной зависимости \glqq дозы начала аморфизации\grqq, которая сравнивается с соответствующими экспериментальными данными. Настоящая работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16853) и программы \glqq Интеграция\grqq (грант Б0026).

Исследовано влияние концентрации примеси кальция в кристаллах NaCl и предварительного рентгеновского облучения кристаллов NaCl и LiF на величину магнитного поля насыщения B0, характеризующего переход от обычной пропорциональности среднего пробега дислокаций l квадрату магнитной индукции B (l прапорционально B2) к насыщению (l=const). Показано, что с увеличением концентрации примеси кальция в кристаллах NaCl и дозы рентгеновского облучения NaCl и LiF величина B0 растет. Данный факт соответствует тому, что открепление дислокаций от локальных дефектов в слабых магнитных полях лимитируется механизмом продольной релаксации спинов в системе радикальных пар, образующихся при взаимодействии дислокационных ядер с парамагнитными центрами. Работа чистично финансировалась грантом Российской академии наук (6-й конкурс научных проектов молодых ученых РАН), Hungarian Scientific Research Foundation (OTKA T23092 and T035044) и Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 03-02-17021).

Разработана модель электрически активных и нейтральных собственных точечных дефектов в SnO2. Термодинамический анализ равновесия собственных точечных дефектов позволил построить диаграмму состояния диоксида олова PO2-T-x. Разрешено противоречие между монополярной проводимостью n-типа и двухсторонней областью гомогенности фазы SnO2.