Найдено научных статей и публикаций: 83
31.
Баллистический кондактанс точечного контакта сверхпроводника d-типа с ферромагнетиком
Вычислен баллистический кондактанс точечного контакта сильный ферромагнетик d-волновой сверхпроводник при произвольных спин-зависящих коэффициентах прохождения. Найдена ширина уровня андреевского локализованного состояния. Проанализирована возможность идентификации сверхпроводников d-типа по форме зависимости кондактанса точечного контакта от напряжения, когда контакт имеет хорошую металлическую проводимость.
32.
Вихревые токи от движущихся точечных источников магнитного поля в эксперименте GRAVITY PROBE B
Дано аналитическое решение двух двумерных граничных задач, моделирующих распределение магнитного поля и электрического тока от движущихся источников магнитного потока (флаксонов). В первой задаче флаксоны движутся с постоянной скоростью по плоской поверхности сверхпроводника, отделенного вакуумным зазором от полупространства, заполненного металлом с невысокой электропроводностью. Во втором случае вместо полупространства имеется тонкий слой металла, электропроводность которого высока. Решение строится с помощью методов разложения по малому параметру и интегрального преобразования Фурье. Равенство Парсеваля используется для вычисления мощности, рассеянной в металле. Оценка этой величины необходима для расчета некоторых вращающих моментов магнитного происхождения в эксперименте Gravity Probe B.
33.
Решение задачи Дирихле для уравнения Лапласа в случае многосвязной области с точечной симметрией
Предложен метод, использующий разложение потенциала по неприводимым представлениям группы симметрии полезадающих элементов системы. Решена граничная задача для мультипольных систем с плоскими пластинчатыми электродами для случая группы симметрии Cnv. Получено квадратурное выражение для потенциала поля таких систем. Найдены условия, накладываемые на потенциалы электродов, при которых такое решение возможно. Приведены результаты расчета распределения потенциала в некоторых конкретных системах.
34.
Точечные и кольцевые дефекты в нематическом жидком кристалле в цилиндрическом капилляре
Исследовано двустороннее вытекание в третье измерение линейной дисклинации силы m=1 (Lp+1) в цилиндрическом капилляре с нормальными граничными условиями. Показано, что в этом случае в капилляре возникают два вида дефектов: точечные и кольцевые, каждый из которых может быть радиального или гиперболического типа. Получены точные решения уравнения равновесия для упругого поля. Приближенно рассчитана свободная энергия точечных и кольцевых дефектов в узком длинном капилляре. Предложены новые сценарии вытекания дисклинации Lp+1.
35.
О взаимодействии точечных зарядов в произвольной области
Разработан систематический подход к расчету электростатической силы между точечными зарядами в произвольном объеме с произвольными граничными условиями. В присутствии границы простое правило вычисления силы, дающее ее как \glqq заряд, умноженный на напряженность поля, в котором он находится\grqq, становится неверным. Это правило можно, однако, сохранить, предопределив внешее поле так, чтобы оно включало все члены, не расходящиеся в точке заряда, в том числе и те, что вызваны взаимодействием самого заряда с физической границей. Доказательство этого модифицированного закона проведено с помощью геометрической регуляризации, позволяющей проанализировать и преодолеть расходимость энергии самодействия точечных зарядов.
36.
Приравновесные термополевые микровыступы как эффективные полевые точечные источники электронов и ионов
С помощью полевых эмиссионных методов изучались условия образования, кристаллографическая локализация и эмиссионные свойства приравновесных термополевых микровыступов ряда тугоплавких металлов. Единичные приравновесные микровыступы относительно легко получаются на W эмиттере обычной ориентации < 110>, однако с течением времени в процессе ионной эмиссии меняется их число на поверхности, могут меняться также и их эмиссионные параметры; при эмиссии электронов параметры и число микровыступов не меняются. Большей стабильностью при эмиссии ионов обладают трехгранные углы перестроенного острия, образующиеся в областях {111}. Единственный и стабильно эмиттирующий ионы трехгранный угол, расположенный на геометрической оси эмиттера, легко получить, используя W эмиттер с ориентацией < 111>. На Ta эмиттере обычной ориентации < 110> можно получить два стабильных приравновесных микровыступа, симметрично расположенных относительно оси эмиттера в областях {111}, такие микровыступы практически не меняют эмиссионные параметры в течение длительного отбора ионного тока.
37.
Динамическое торможение краевых дислокаций точечными дефектами в гидростатически сжатом кристалле
Исследовано влияние высокого гидростатического давления на вид закона дисперсии дислокационных колебаний и величину силы торможения взаимодействующих краевых дислокаций точечными дефектами. Показано, что это влияние существенно различается для разных интервалов скоростей. PACS: 61.72.-y, 61.72.Lk
38.
Эволюция концентрации точечных дефектов у вершины трещины
Выполнен расчет эволюции распределения межузельных примесных атомов в пластической зоне у вершины трещины растяжения. Перенос точечных дефектов определяется 1) гидростатической компонентой упругого напряжения у вершины трещины, которая обусловлена наложением упругих полей трещины и дислокаций; 2) упругим полем движущихся дислокаций ("выметание" межузельных примесных атомов); 3) переносом дислокациями точечных дефектов, накопившихся в их ядрах. Вычислены вклады каждого из механизмов переноса точечных дефектов к вершине трещины на протяжении всего промежутка времени от начала нагружения образца с трещиной до установления равновесного распределения пластической деформации после окончания нагружения. Численные расчеты выполнены для межузельных атомов водорода, растворенных в кристалле alpha-Fe.
39.
Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl
Установлено, что экспозиция кристаллов в импульсном электрическом поле с амплитудой ~103 kV/m создает метастабильные состояния точечных дефектов, а магнитное поле с индукцией 7 T вызывает их релаксацию.
40.
Первопринципное исследование точечных термических дефектов в B2 NiAl
Равновесные концентрации термических дефектов рассчитаны в приближении среднего поля для конфигурационной энтропии. Обсуждаются устойчивые конфигурации точечных дефектов в NiAl.