Комплексное исследование спектров катодолюминесценции, микроструктуры и микросостава, удельного сопротивления и присутствия кислорода позволило выявить зависимость электрических свойств и степени совершенства кристаллической решетки Cd1-xZnxTe от формы присутствия кислорода и типа собственных точечных дефектов. Обнаружено, что в зависимости от соотношения концентраций [Cd]m/[Zn] в кристаллах изменяется тип точечных дефектов и форма присутствия основной фоновой примеси--- кислорода. Определен оптимальный состав твердого раствора для создания датчиков ионизирующего излучения, при котором кристалл наиболее высокоомен: Cd0.77Zn0.23Te.

Представлены результаты по лазерно-стимулированному (homega

На основе модели диффузии фосфора вкремнии по дуальному парному механизму проведен количественный анализ влияния стоков, связанных со структурными дефектами. Показано, что учет стоков для собственных межузельных атомов приводит кзамедлению ускоренной диффузии фосфора вобласти малых концентраций на хвосте концентрационного профиля. Влияние стоков наиболее сильно выражено при положении максимума их концентрации вобласти максимума генерации собственных межузельных атомов внутри диффузионного слоя. Из сравнения расчетов сэкспериментальными данными определены параметры захвата собственных межузельных атомов на структурные дефекты, введенные диффузией фосфора иимплантацией электрически неактивных примесейGe иN.

Методом атомно-силовой микроскопии изучены особенности формирования поверхностного рельефа германия на начальных стадиях многократного фотодеформирования полупроводника. Упругие и неупругие деформации твердого тела вызывались его сканирующим импульсным лазерным облучением. Вовремя упругих фотодеформаций германия изменения исходного нанорельефа поверхности не детектируются, тогда как после неупругих деформаций мы обнаружили низкопороговое формирование упорядоченных поверхностных наноструктур. Обсуждается взаимосвязь эффекта с лазерно-индуцированной генерацией точечных дефектов вблизи порогов возникновения неупругих деформаций полупроводника.

Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических, оптических свойств и особенностей отжига (до800oC) радиационных дефектов в кристаллах InAs n- и p-типа проводимости, облученных электронами сэнергией ~ 2 МэВ интегральными потоками до D=1· 1019 см-2. Выполнены расчеты электронной структуры нерелаксированных дефектовVAs, VIn, AsIn иInAs. Обсуждается связь электрофизических свойств и положения уровня Ферми в облученном InAs с электронной структурой собственных дефектов и особенностями зонного спектра полупроводника.

В рамках предложенного квантово-механического описания дырочного транспорта в баллистическом режиме проанализированы возможности использования квантового точечного контакта в разбавленном магнитном полупроводнике в качестве спинового фильтра. На примере ферромагнитного разбавленного полупроводника GaxMn1-xAs установлено, что даже сглаживание формы потенциала не позволяет достичь 100%-й спиновой поляризации тока, в частности при ширине сужения3.5 нм составляет 82%. Показано, что рабочая область такого спинового фильтра лежит в узком диапазоне размеров сужения ~3.5-4.0 нм, а при больших размерах сужения имеют место затухающие осцилляции спиновой поляризации тока. Спин-орбитальное расщепление в GaxMn1-xAs является достаточным для реального функционирования квантового точечного контакта в этом материале в качестве спинового фильтра. Его увеличение не даст существенного прироста степени поляризации приходящего тока.

В условиях перколяционного перехода диэлектрик--металл обсуждается поведение латеральной проводимостиG мезоскопических Si-МОП структур с инверсионным p-каналом, обладающих высокой концентрацией встроенных (ионных) зарядов (Nt=<q 3· 1012 см-2). При температурах >=q77 K на зависимостяхG от поперечного(Vg) и продольного(Vd) напряжений обнаружены: квазиплатоG(Vg) при G~ 2e2/h и минимумG(Vd) при |Vd|

Стреж С.в. Распознавание в оптико-электронных системах наблюдения за подвижными точечными объектами многомерных непроизводных элементов нейросетевым методом // Научная сессия МИФИ-2000. Т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 183-184

Козин Р.г. Оптимизация стационарного температурного поля точечными источниками // Научная сессия МИФИ-2001. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии. Параллельные вычислительные технологии, стр. 44-45

Дуранин А.в., Максимов Г.а. Расчет диаграмм направленности излучения точечного источника из скважины, при его нецентральном положении // Научная сессия МИФИ-2001. Т.5 Медицинская физика т техника, биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 38-39