C помощью мессбауэровской спектроскопии проведено исследование фазового состава пленок железа, полученных методом импульсно-плазменного напыления в регулируемой среде азота. Наблюдаемые изменения фазового состава определяются нанокристаллической структурой образцов и динамикой температуры подложки во время осаждения пленок.

Пленки звездообразных фуллеренсодержащих полистиролов исследованы методами резерфордовского обратного рассеяния, ионного рентгеноспектрального анализа и ядерных реакций для определения элементного состава, а также методами эллипсометрии, фотолюминесценции и электропроводности на постоянном токе для получения информации об их физических свойствах. Пленки имели комплексный показатель преломления 1.7-i(0.05-0.10). Наблюдался сдвиг максимума спектра фотолюминесценции по сравнению со спектром пленки C60 в область больших энергий фотонов, прямо пропорциональный числу химически присоединенных к фуллерену цепей полимера N, описываемый эмпирической формулой Delta E [eV]=0.04N. Электропроводность пленок возрастала пропорционально молярной концентрации C60. Работа выполнена в рамках Государственной научно-технической программы "Актуальные направления в физике конденсированных сред", направление "Фуллерены и атомные кластеры" (проект 98076 "Полимер-2") и проекта РФФИ 98-02-03327.

Рассмотрено введение в монокристаллический кремний оптически активных дефектов (атомных кластеров, дислокаций, преципитатов) путем радиационных воздействий, пластической деформации или термической обработки как один из возможных подходов к созданию кремниевых структур, излучающих в ближней ИК-области. Дефекты вводились в кремний с помощью традиционной механической полировки пластин. Трансформация дефектной структуры и примесный состав нарушенных слоев кремния в процессе термического отжига (ТО) кристалла исследовались методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской флуоресценции. Оптические свойства дефектов исследовались с помощью фотолюминесценции (ФЛ) в ближней ИК-области при 77 K. Показано, что в результате ТО при температурах 850-1000oC имеет место трансформация дефектов, полученных при механической полировке, в дислокации и дислокационные петли, а также формирование преципитатов SiO2. В зависимости от температуры отжига в спектрах ФЛ преобладает вклад от окисных преципитатов либо дислокаций, декорированных атомами меди, геттерированными из объема кристалла. Работа выполнена при поддержке программы Отделения физических наук РАН \glqq Новые материалы и структуры\grqq и программы \glqq Фундаментальные исследования и высшее образование\grqq (BRHE REC-007).

На примере системы пористый кремний (por-Si)--кремний (Si) показана возможность эффективного неразрушающего исследования морфологии границы раздела полупроводниковых слоистых систем, а также состава многокомпонентных слоев методами эллипсометрии и резерфордовского обратного рассеяния. Обоими методами определен процентный состав основных компонентов por-Si: кристаллического кремния, оксида кремния и пустот (пористость). Показано, что por-Si, полученный импульсным анодированием, содержит значительное количество оксида кремния. Показано также, что спектральная эллипсометрия позволяет определить удельное соотношение отдельных слоев или компонент многослойных и многокомпонентных систем (при знании спектральной дисперсии оптических констант этих компонент).

Представлены результаты исследования роста самоорганизующихся наноостровков Ge на Si (001) при 700oC и изменения их параметров в процессе отжига. Получены островки с малым разбросом (~ 6%) по латеральным размерам и высоте. Из спектров комбинационного рассеяния света и рентгенодифракционных исследований обнаружено растворение Si в островках, определена его доля в твердом растворе SixGe1-x и измерены упругие напряжения в островках. Установлено, что в процессе отжига структур с наноостровками происходит увеличение доли Si в островках. Это изменение состава приводит к изменению формы и размеров островков.

Методом магнетронного сораспыления графитовой и медной мишеней в аргоно-водородной атмосфере на постоянном токе получены пленки аморфного гидрогенизированного углерода с различной концентрацией меди. Определено относительное содержание атомов углерода, меди, кислорода с использованием метода обратного резерфордовского рассеяния протонов и метода ядерных реакций. Исследована удельная проводимость пленок на постоянном токе в геометрии вдоль и поперек пленки. Данные по проводимости обсуждаются в модели среды, представляющей собой диэлектрическую матрицу с включениями двух разных проводящих фаз в виде графитоподобных и медных нанокластеров.

Проведен анализ физических и физико-химических процессов, способных приводить к появлению градиента состава жидкой фазы при эпитаксии пленок твердого раствора GaAs1-xSbx. Показано, что доминирующим механизмом в этом случае является гравитационная ликвация.

Слатин В.в., Федунов Б.е. Состав нормативно-технической документации для системного проектирования алгоритмов "бортового интеллекта" // Научная сессия МИФИ-2001. Т.3 Банки данных и анализ данных. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программных систем, стр. 153

Масунов Э.с., Полозов С.м. Анализ гармонического состав полей в плоском ондуляторе с цилиндрическими электродами // Научная сессия МИФИ-2001. Т.7 Астрофизика и космофизика. Математические методы в научных исследованиях. Физика пучков и ускорительная техника. Физика элементарных частиц и ядерная физика, стр. 129-130

Чуфистов О.е., Симцов В.в., Якушев Д.а. Влияние режимов микродугового оксидирования на структуру, фазовый состав и свойства формируемых оксидных слоев // Научная сессия МИФИ-2001. Т.9 Памяти В.С.Емельянова. Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 40-41