С.П. Баньковская. Манхейм К. Диагноз нашего времени / Пер. с нем. и англ.; Отв. ред. и сост. Я.М. Бергер и др. М.:Юрист, 1994. 700 с.- (Лики культуры). // Социологический журнал, № 3, 1995, http://knowledge.isras.ru/sj/

О.А. Оберемко. Социальная философия: хрестоматия / Сост. Г.С.Арефьева, М.И. Ананьева, А.С. Гарбузов // Социологический журнал, № 4, 1994, http://knowledge.isras.ru/sj/

Броуде В.Л., Кравченко В.И., Прокопюк Н.Ф., Соскин М.С.. Спектральный состав генерации неодимового стекла в дисперсионном резонаторе // Письма в ЖЭТФ, том 2, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Моргулис Н.Д., Пржонский А.М.. Ионный состав в разрядной калий-азотной плазме // Письма в ЖЭТФ, том 20, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Воронов С.А., Гапьпер А.М., Кириллов-Угрюмов В.Г., Колдашев С.В., Попов А.В.. Зарядовый состав потока высокоэнергичных электронов и позитронов радиационного пояса Земли // Письма в ЖЭТФ, том 43, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

Иваненко И.П., Рапопорт И.Д., Шестоперов В.Я., Васина Ю.В., Вакулов П.В., Васильев Ю.Я., Голынская Р.М., Гордеев Ю.П., Григорьева Л.Б., Казакова А.Е., Козлов В.Д., Кумпан И.П., Мищенко Л.Г., Никаноров В.М., Папина Л.П., Платонов В.В., Подорожный Д.М., Самсонов Г.А., Смоленский Л.Г., Собиняков В.А., Тамбовцев Г.Е., Тригубов Ю.В., Фатеева И.М., Федоров А.Н., Хейн Л.А., Чикова Л.О., Ширяева В.Я., Яковлев Б.М., Яшин И.В.. Энергетический спектр и зарядовый состав первичных космических лучей с энергией свыше 2 ТэВ // Письма в ЖЭТФ, том 48, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

Глаголев В.В., Гуламов К.Г., Кратенко М.Ю., Липин В.Д., Лутпуллаев С.Л., Олимов К., Шокиров Н.Э., Шпилев С.Н., Юлдашев А.А., Юлдашев Б.С.. Изотопный состав фрагментов, образованных в ^{16}Ор-взаимодействиях при высоких энергиях // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru

Михайлов А.А.. Направления прихода и химический состав космических лучей сверхвысоких энергий // Письма в ЖЭТФ, том 72, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru

Методом дифракции электронов изучен фазовый состав пленок системы Ti--C (концентрация C изменялась от 50 до 100 ат.%), полученных методом ионного распыления C и Ti с последующим осаждением паров, которые обладали предельно низким пересыщением. При конденсации паров в соответствующих пропорциях установлено образование соединения TiC2, имеющее ОЦК решетку с периодом 0.294 нм. Увеличение содержания C свыше 64 ат.% сопровождается переходом к алмазной фазе.

Методом комбинационного рассеяния света экспериментально исследованы многослойные кремниевые структуры со встроенными слоями нанокластеров Ge, сформированных импульсным воздействием пучком низкоэнергетических собственных ионов в процессе эпитаксии из молекулярных пучков. Установлено, что ионно-стимулированное зарождение и последующий рост позволяют получать нанокластеры Ge, практически не содержащие Si.