В системе H2OD H2 в условиях избытка газообразного водорода обнаружен переход гексагональной фазы льда Irm h в клатратную фазу sII при давлении около 1 кбар. Определены давления переходов Irm h arrow sII и sII arrow Irm h в интервале температур от -36 до -18circС и построена барическая зависимость температуры синтеза клатратной фазы из жидкости при давлениях от 1.0 до 1.8 кбар. Измерена растворимость водорода в фазах Irm h, sII и жидкой воде. Концентрация водорода в клатратной фазе sII составляет около 1.2 вес.% (10 мол.%) вблизи границы перехода sII arrow Irm h и возрастает до 2 вес.% (16 мол.%) при давлении 1.8 кбар.

Фрагменты нижней коры Беломорского мегаблока, расположенного в приграничной зоне между Кольским и Карельским субкратонами, представлены глубинными ксенолитами в трубках взрыва и эксплозивных дайках Кандалакшского и Терского берегов Белого моря. Преобладающую часть ксенолитов образуют гранатовые гранулиты (гр+кпи±опи+пл+кв), в меньшем количестве присутствуют пироксениты, вебстериты, амфибол-пироксеновые породы и шпинелевые перидотиты. Модельный возраст гранатовых гранулитов (T^Nd_DM) ранжирован от 2.94 до 2.39 млн. лет, возраст образования позднеархейских протолитов по данным цирконовой геохронометрии оценивается в ~2.75 млрд. лет. Возрастные этапы преобразования и наращивания пород нижней коры по результатам Pb-Pb и U-Pb исследований составляют ~2.4, 1.8, 1.73 и <1 млрд. лет, что коррелируется с эндогенными процессами в верхней коре: внедрением пород друзитового комплекса и габбро-анортозитов (2.45-2.35 млрд. лет), возрастом гранулитового метаморфизма (1.95-1.75 млрд. лет), образованием гранитов и пегматитов в период постъятулийской активизации Беломорского мегаблока (1.8-1.75 млрд. лет), интрузией палеозойских щелочноультраосновных и щелочных расплавов (0.38-0.36 млрд. лет). Формирование метаморфических парагенезисов в гранатовых гранулитах происходило при P=12-18 кбар и T=800-1050° С в условиях низкого геотермического градиента (7-10° С/км), что характерно для многих гранулитовых поясов мира и связывается с процессами базальтового андерплейтинга – наращиванием континентальной коры снизу при внедрении в нее больших масс основных-ультраосновных расплавов.

В восточной части массива Панских тундр на участках Пешемпахк и Сунгйок выявлены новые проявления платинометальных руд малосульфидного типа. Оруденение характеризуется высоким содержанием суммы ЭПГ и Au от 2 до 24 г/т. Соотношение Pd/Pt колеблется от 1.2 до 6.7. Содержание Ni варьирует от 0.06 до 0.26; Cu - от 0.06 до 0.39 мас.%. Главными минералами руд являются пирротин, халькопирит, пентландит, виоларит, пирит, ЭПГ-содержащий кобальтин. Среди минералов благородных металлов с учетом частоты встречаемости и размеров выделений преобладают котульскит, меренскиит, мончеит, сперрилит, куперит, электрум. Морфологические особенности и гранулометрический состав минералов изучены методами оптической и электронной микроскопии, химический состав - микрозондовым методом. Установлена повышенная в сравнении с другими частями интрузии распространенность ЭПГ-содержащих сульфоарсенидов Co и Ni, электрума, изоферроплатины. Из мировых классических аналогов изученное оруденение ближе всего к благороднометальному оруденению Великой дайки. На основе выявленных положительных минералогических предпосылок комплексного промышленного оруденения сделан вывод о перспективности восточной части массива Панских тундр, как сырьевого источника ЭПГ, Au, Cu, Ni, Co.

By method of low pressure liquid chromatography on Toyopearl TSK HW-40S the qualitative and quantitative composition of low molecular weight peptides (10 kDa and lower) of pike and roach muscles from reservoirs with different ecological conditions (industrial water of mining plant and clear lake) was investigated. Quantitative change in composition of components enriched with sulf-hydryl groups was revealed. Received data show that pike protein metabolism in condition of sharp shift of Na+:K++ balance to K+ violate in essentially lower degree than in roach 

Головин Николай Николаевич. Геологическое строение, минеральный состав и условия образования щелочно-ультраосновных пород Кепинской площади (Архангельская алмазоносная провинция): Автореф. дис. канд. геолого-минералогических наук : 25.00.11 - Москва, 2003 - 196с.

Просин Василий Владимирович. Энергетический спектр и массовый состав космических лучей в диапозоне энергий 10^15 - 10^17 эВ по данным установок для регистрации черенковского света от широких атмосферных ливней: Автореф. дис. канд. физико-математических наук : 01.04.16 / НИИЯФ МГУ, 2006

Термополевые микровыступы, выращенные при нагреве в электрическом поле на поверхности вольфрамового острия с напыленным на него кремнием, исследовались с помощью комплекса полевых эмиссионных методов: полевой электронной, ионной десорбционной микроскопии и атомного зонда. При толщине слоя Si не менее нескольких моноатомных слоев наблюдавшиеся в полевом десорбционном режиме микровыступы вырастали в результате прогрева острия до температур T=1100-1200 K в присутствии начального электрического поля напряженностью F 5.7-8.6·107 В/см. Испаряющее поле составляло 1.2-1.8·108 В/см. Множество движущихся пятен --- микровыступов образовывало кольца, которые схлопывались, демонстрируя растворение термополевых наростов на развитых гранях. Наибольший интерес представляли острые микровыступы, выраставшие при определенных условиях на центральной грани {110} вольфрама. Их состав анализировался с помощью атомного зонда. При этом выяснилось, что они состоят из трисилицида вольфрама WSi3 с моноатомной поверхностной коркой, близкой по составу к WSi2. Интенсивный рост таких образований на исходно гладкой плотноупакованной грани {110} вольфрама свидетельствовал о ее реконструкции под влиянием сильного поля и взаимодействия с кремнием.

Методами вторично-ионной масс-спектрометрии, электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов определены химический состав приповерхностных и поверхностных примесей и структуры их пленок на цилиндрической поверхности газофазного монокристаллического вольфрама, применяемого в качестве материала эмиттера термоэмиссионных преобразователей тепловой энергии в электрическую в космических ядерных энергетических установках. Проведено сравнение с составом примесей плоскопараллельного достаточно совершенного монокристалла W (110) как эталона.

Методами вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и электронной оже-спектроскопии (ЭOС) определет состав приповерхностных и поверхностных примесей цилиндрической поверхности газофазного поликристаллического покрытия W на сплаве Nb + 1% Zr, применяемого в качестве материала коллектора термоэмиссионных преобразователей (ТЭП) тепловой энергии в электрическую в космических ядерных энергетических установках. Проведено сравнение с составом примесей плоскопараллельного достаточно совершенного монокристалла W (110) как эталона. На всех стадиях травления поверхности пучками ионов He+ и Ar+ покрытие загрязнено сильнее эталона. При первом же прогреве в вакууме до 1625 K удаляются все примеси, кроме углерода, кислорода и ниобия, не удаляемых прогревом вплоть до 2075 K. Показано, что ниобий диффунидирует к поверхности сквозь W покрытие толщиной 30 mum. Отмечается сильное распыление материала при температурах выше 1925 K. После проведения 50 циклов специального окисления содержание углерода в покрытии значительно уменьшено, но последующие 25 циклов к дальнейшему уменьшению уже не приводят. Исходя из невозможности удаления с поверхности при 1925--2075 K кислорода сделан вывод о наличии на ней высокотемпературного субоксида Nb2W2O. Для улучшения адсорбционных свойств по отношению к O--Cs пленке даны рекомендации по повышению чистоты W покрытия при его получении.

Выращены тонкие пленки GaN на монокристаллических (001) подложках GaAs путем обработки последних в активных радикалах азота. С примерением вторичной оже-спектроскопии проанализированы профили распределения атомов основных химических элементов, входящих в состав соединений эпитаксиальной пленки GaN и монокристаллической подложки GaAs. Обнаружена существенная нестехиометрия состава пленки GaN на поверхности --- избыток азота (~9%), обусловленная присутствием в разрядной камере атомарного азота. Исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев путем применения высокоразрешающей рентгеновской дифрактографии. Показано, что низкотемпературные процессы (температуры отжига меньше 700oC) способствуют формированию кубической структуры тонких пленок GaN на (001) поверхности кубического GaAs, а более высокотемпературные процессы --- гексагональной.