А. Ю. Солнышков. ВНУТРИЛИЧНОСТНЫЕ ПРИЧИНЫ ДЕДОВЩИНЫ: ТИП ОТНОШЕНИЯ К "ЗНАЧИМОМУ ДРУГОМУ" // Журнал "Социологические исследования", № 6, 2004, http://socis.isras.ru/

Романович Н. А., Население города Воронежа о причинах, реалиях и путях преодоления демографического кризиса в России // Журнал "Социологические исследования", № 1, 2004, http://socis.isras.ru/

С. Флере, Причины распада бывшей югославии: о некоторых социологических оценках // Журнал "Социологические исследования", № 5, 2003, http://socis.isras.ru/

Показано, что между известным комплексом ближайших атомов изоэлектронной примеси азота в решетке легированного фосфида галлия (GaP : N), NN1 и комплексом ближайших вакансий в подрешетке азота в GaN имеется сильная аналогия. Дивакансия или ее комплексы с примесями могут обусловливать известную желтую полосу в спектрах люминесценции GaN.1

Исследованы причины уменьшения показателя идеальностиn и увеличения обратного напряженияUr структур с барьером Шоттки Au/n-n+-GaAs в результате обработки в атомарном водороде. Установлено, что вследствие обработки n-n+-GaAs в атомарном водороде существуют два процесса, приводящих к увеличению обратного напряженияUr и уменьшению коэффициента идеальностиn структур с барьером Шоттки. Впервом случае увеличение Ur и уменьшениеn происходит в результате понижения концентрационного профиля и образования обратного градиента концентрации ионизированной мелкой донорной примеси вn-слое, что вызвано пассивацией примеси водородом. Вовтором случае увеличениеUr и уменьшениеn связано с образованием тонкого (~8 нм) полуизолирующего приповерхностного слоя. Вобоих случаях увеличениеUr и уменьшениеn вызвано увеличением эффективной ширины потенциального барьера на контакте металл--полупроводник в результате изменения формы концентрационного профиля ионизированной мелкой донорной примеси.

Изучено влияние электрического стресса на вольт-амперные характеристики МОП диодов Al/SiO2/p+-Si стуннельно-тонким диэлектриком (2.5-3.0 нм). Проведены испытания образцов при постоянном токе и при постоянном напряжении. Впроцессе стресса при постоянном напряжении, наряду сувеличением тока, связанным смягким пробоем, внекоторых случаях отмечено скачкообразное уменьшение тока. Подобный срыв тока имеет место преимущественно при высоких напряжениях и может быть обусловлен специфическим проявлением мягкого пробоя. При сильной пространственной дисперсии толщины SiO2 данный эффект играет существенную роль, даже если пробой локализован вдостаточно малой области.

Начальные стадии роста слоевGe иSi на сингулярной поверхностиSi(111) демонстрируют необычную морфологию ростовой поверхности при осаждении с низкой скоростью: образование треугольных островков высотой до трех атомных слоев. Спомощью моделирования по методу Монте-Карло показано, что дополнительный барьер 0.5-0.6 эВ для встраивания атомов на димеризованные связи на краях треугольных островков приводит к ускоренному росту островков в высоту и к изменению ориентации треугольников. Предложена гипотеза, объясняющая начальный рост многослойных островков и ограничение их высоты тремя бислоями влиянием краевых димеров, ориентация которых изменяется при достижении ступенью, перпендикулярной направлениям< 1 1 2>, высоты в 3бислоя. Спомощью сканирующей туннельной микроскопии обнаружены новые особенности атомной структуры регулярных трехбислойных ступеней на поверхностиSi(557). Результаты анализа изображений, полученных на сканирующем туннельном микроскопе, подтверждают гипотезу о формировании ряда димеров на краю трехбислойной ступени.

Работа посвящена теоретическому объяснению характерного для светодиодных гетероструктур на основе AlInGaN падения эффективности электролюминесценции с ростом тока накачки. Врезультате численного моделирования показано, что рост внешнего квантового выхода при малых значениях плотности тока J~ 1 А/см2 обусловлен конкуренцией между излучательной и безызлучательной рекомбинацией. Падение же квантового выхода при плотностях тока J>10 А/см2 связано с уменьшением коэффициента инжекции дырок в активную область. Показано, что в этом эффекте важную роль играет заглубление энергетического уровня акцепторов в эмиттереAlGaN, а также малые значения подвижностей электронов и дырок в p-области. Предложена модификация светодиодной гетероструктуры, в которой спад эффективности с ростом тока накачки наблюдаться не должен. PACS: 42.55.Px, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.20.Bh, 78.67.De, 85.60.Jb.

Установлено, что причиной, ограничивающей максимально достижимую мощность оптического излучения в полупроводниковых лазерах, является конечная величина времени рассеяния энергии электронов на неравновесных оптических фононах в квантово-размерной активной области. Экспериментально исследованы мощностные и спектральные характеристики полупроводниковых лазеров при высоких уровнях возбуждения (до100 кА/см2) в импульсном режиме генерации (100 нс, 10 кГц). Получено, что с увеличением тока накачки максимальная интенсивность стимулированного излучения насыщается, а рост излучаемой мощности происходит за счет расширения спектра в коротковолновую область. Насыщение интенсивности излучения обусловлено ограничением скорости стимулированной рекомбинации. Фактором, ограничивающим скорость стимулированной рекомбинации, является конечная величина времени рассеяния энергии электронов на полярных оптических фононах. Обнаружено, что расширение спектра стимулированного излучения связано с ростом концентрации носителей тока в активной области, что приводит к усилению выброса электронов в волноводные слои. С ростом тока накачки концентрация носителей тока в волноводе достигает порогового значения и возникает эффективный канал токовых утечек из активной области. Экспериментально показано, что появление волноводной полосы генерации коррелирует с резким снижением дифференциальной квантовой эффективности полупроводникового лазера. PACS: 42.55.Px, 78.45.th, 63.40.Kr

Дмитриевский И.м. О возможных причинах нарушения закона сохранения четности // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 17-19