Найдено научных статей и публикаций: 210
31.
"Плазменный" механизм сверхпроводимости - возможная причина повышения критической температуры в многослойных купратных металло-оксидных соединениях
Пашицкий Э.А.. "Плазменный" механизм сверхпроводимости - возможная причина повышения критической температуры в многослойных купратных металло-оксидных соединениях // Письма в ЖЭТФ, том 55, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
32.
Эффект яна-теллера в молекулах с_{60}, как возможная причина сверхпроводимости легированного фуллерита
Локтев В.М., Пашицкий Э.А.. Эффект Яна-Теллера в молекулах С_{60}, как возможная причина сверхпроводимости легированного фуллерита // Письма в ЖЭТФ, том 55, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru
33.
О причинах различия теоретических и экспериментальных результатов для вероятности возбуждения ядер в атомных переходах
Ткаля Е.В.. О причинах различия теоретических и экспериментальных результатов для вероятности возбуждения ядер в атомных переходах // Письма в ЖЭТФ, том 56, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru
34.
Спин-стекольный переход как причина ложного тяжелофермионного поведения системы YbH_x
Котельникова Е.Е., Сулейманов Н.М., Халиуллин Г.Г., Друлис X., Ивасечко В.. Спин-стекольный переход как причина ложного тяжелофермионного поведения системы YbH_x // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
35.
О возможной причине разрушения бездиссипативного состояния в условиях кэх
Иорданский С. В.. О возможной причине разрушения бездиссипативного состояния в условиях КЭХ // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
36.
Внутрицентровая инверсия как причина индуцированного излучения в сильно деформированном p-Ge
Алтухов И.В., Каган М.С., Королев К.А., Синис В.П.. Внутрицентровая инверсия как причина индуцированного излучения в сильно деформированном p-Ge // Письма в ЖЭТФ, том 59, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru
37.
Epr-эффект и причинность
Молотков С.Н., Назин С.С.. EPR-эффект и причинность // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru
38.
Перегрев электронной системы как причина нелинейности вольт-амперных характеристик в аморфных пленках InO$_x$
Голубков М.В., Цыдынжапов Г.Э.. Перегрев электронной системы как причина нелинейности вольт-амперных характеристик в аморфных пленках InO$_x$ // Письма в ЖЭТФ, том 71, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru
39.
Роль причинности в обеспечении безусловной секретности релятивистской квантовой криптографии
Вопрос о безусловной секретности квантовой криптографии (секретности, которая гарантируется лишь фундаментальными законами природы, а не техническими ограничениями) является одним из центральных в квантовой теории информации. Предложена релятивистская квантовая криптосистема и показана ее безусловная секретность относительно любых попыток подслушивания. Соображения релятивистской причинности позволяют показать секретность криптосистемы простыми средствами. Кроме того, поскольку схема не использует коллективные измерения и квантовые коды, то она может быть реализована экспериментально уже на сегодняшнем уровне оптоволоконных технологий.
40.
О причинах нитевидной неустойчивости процесса самоканализации оптических пучков в фотополимеризующихся композициях
Построена и численно исследована модель образования нитевидных неоднородностей в волноведущих структурах, формируемых при самоканализации оптических пучков в фотополимеризующихся композициях. Определены условия образования однородного волноведущего канала, подтвержденные экспериментальными результатами.