С помощью полевой десорбционной микроскопии непрерывного режима, полевой эмиссионной микроскопии и времяпролетного масс-анализа продуктов полевой десорбции изучены процессы образования и разрушения сплавов и химических соединений золота с калием при их совместной адсорбции на вольфраме. Изучено влияние электрического поля на эти процессы. Обнаружено появление моноатомных и кластерных ионов калия и его соединений с золотом в слабых для полевой десорбции полях. Под влиянием химической реакции полевая десорбция калия обнаруживает автоколебания. Работа выполнена при поддержке Российской государственной программы \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (проект ГК N 1152).

Анализируется эффект сверхбыстрого низкотемпературного легирования халькогенидных стеклообразных пленок (As--Se, Ge--Se идр.) рядом металлов (Cu, Ag, Au, Cr идр.), обнаруженный ранее в гетероструктурах металл/<халькогенидная стеклообразная пленка> при 250/350 K.

Исследованы свойства атомов золота в кремнии и изменение их уровней под всесторонним гидростатическим давлением. Проведенные исследования показывают, что под воздействием давления(P)итемпературы(T) ширина запрещенной зоны кремния изменяется со скоростью d E/d P= -1.5· 10-11эВ/Па\quadи\quad d E/d T=-3.2· 10-6 эВ/К.

Исследованы удельное сопротивление rho(P) и коэффициент Холла R(P)

Легирование золотом пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), полученных лазерной абляцией, существенно подавляет безызлучательный канал рекомбинации носителей заряда и экситонов, приводит к возрастанию интенсивности, стабильности видимой фотолюминесценции, к усилению низкоэнергетической (1.5-1.6 эВ) полосы фотолюминесценции. Легирование снижает величину фотоэдс и захват электронов на ловушки в пленке, а также уменьшает плотность граничных электронных состояний и концентрацию глубоких ловушек для электронов на подложке монокристаллического кремния (c-Si). Наблюдаемое влияние легирования на фотолюминесцентные и электронные свойства пленок nc-Si и структур nc-Si/c-Si обусловлено процессами пассивации золотом оборванных связей кремния и доокисления кремния на поверхности нанокристаллов и формированием высокобарьерных слоевSiO2.

Изучено влияние легирования золотом на фотолюминесцентные свойства и электронные состояния структур <пористый кремний>/<монокристаллический кремний> (por-Si/c-Si), полученных химическим окрашивающим травлением. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением и температурные зависимости конденсаторной фотоэдс. Показано, что введение золота из растворов его соли в сформированный por-Si несколько уменьшает интенсивность фотолюминесценции и изменяет ее спектральное распределение, но более существенно изменяет параметры электронных состояний por-Si и границы раздела por-Si/c-Si, что проявляется при исследовании фотоэдс.

Исследованы температурные зависимости фотоэдс при возбуждении ее импульсами красного и белого света большой интенсивности и разрешенные по времени релаксации спектральные зависимости фотолюминесценции на структурах пористого кремния (ПК--p-Si), полученных анодным травлением p-Si и легированных затем золотом с концентрацией его ионов в водном растворе 10-4 и 10-3M. После нанесения на пористый кремний полупрозрачных золотых электродов исследованы также вольт-амперные характеристики и электролюминесценция структур ПК--p-Si и ПК<Au>-p-Si. Показано, что легирование золотом изменяет граничный потенциал p-Si с положительного на отрицательный, изменяет величину и знак фотоэдс в пленках пористого кремния, ликвидирует явления фотопамяти, связанные с захватом неравновесных электронов в приграничные ловушки и в ловушки пористого кремния. Вольт-амперные и фотолюминесцентные характеристики существенно изменялись вследствие формирования в пористом кремнии нанокристаллов золота. На структурах Au--ПК<Au, 10-3M>--p-Si--Al обнаружена электролюминесценция, обусловленная свечением этих нанокристалов.

Быковский Ю.а., Воронкова Г.м., Григорьев В.в., Зуев А.в., Зуев В.в., Кирюхин А.д. Влияние предварительной ступенчатой термообработки на диффузию золота в кремний // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 122-123

Быковский Ю.а., Воронкова Г.м., Григорьев В.в., Зуев А.в., Зуев В.в., Кирюхин А.д. Подавление перемещения электрически активных атомов золота в кремнии при изменении пространственных характеристик полей взаимодействия дефектов // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 124-125

Быковский Ю.а., Воронкова Г.м., Григорьев В.в., Зуев В.в., Зуев А.в., Кирюхин А.д., Карелин А.в., Щербаков С.а. Термоэлектродвижущая сила в кремнии, компенсированном золотом // Научная сессия МИФИ-2001. т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 142-143