Методом { in situ} сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии исследовано влияние адсорбции золота на распределение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111) при температурах 850--1260 circC. Обнаружен новый эффект нестабильности морфологии поверхности кремния, который вызывает перераспределение регулярных ступеней (textbf{РС}) в эшелоны ступеней (textbf{ЭС}), и наоборот, на поверхности, содержащей субмонослойное покрытие золота. В условиях нагрева кристалла прямым пропусканием электрического тока установлена зависимость морфологических переходов textbf{РС} Leftrightarrow textbf{ЭС} на поверхности кремния от степени покрытия золотом и направления нагревающего тока. Так, изотермический отжиг при 900 circС сопровождался следующими переходами на поверхности кремния с предварительно осажденным 0.75 МС золота: textbf{РС} (0.72) Rightarrow textbf{ЭС} (0.42) Rightarrow textbf{РС} (0.24) Rightarrow textbf{ЭС} (0.07) Rightarrowtextbf{РС} (0). В скобках приведены оценочные значения критических покрытий золотом в монослоях, при которых наблюдались морфологические переходы. При смене направления электрического тока, используемого для нагрева кристаллла, происходило обратимое изменение textbf{РС} Rightarrow textbf{ЭС}, а textbf{ЭС} Rightarrow textbf{РС} при тех же значениях критических покрытий золотом.

Костерева О.А., Феномен новаторства в "Золотом веке" "Русского балета" С. Дягилева (1909 - 1914 гг.) // Журнал "Новый исторический вестник", № 5, 2001, http://www.nivestnik.ru/

Исследовано влияние добавки золота (5 и 10 ат.%) на параметры решетки, температуру сверхпроводящего перехода и диамагнитную восприимчивость высокотемпературной сверхпроводящей керамики YBa2Cu3O7-delta. Изучено также влияние золота на кинетику выделения слабосвязанного кислорода при нагреве керамики в вакууме. Показано, что легирование керамики золотом вызывает одноосное расширение решетки материала, существенное уменьшение диамагнитной восприимчивости, немонотонное изменение кинетических параметров выделения кислорода при почти неизменной температуре сверхпроводящего перехода.

Экспериментально получена зависимость коэффициента распыления золота от энергии падающих ионов криптона в неупругой области потерь энергии. Показано, что эта зависимость не отличается от предсказаний каскадной теории. Работа выполнена на пучке циклотрона У-400 ОИЯИ.

Исследуется диффузия золота в германии под воздействием энергии, выделяющейся при рекомбинации атомов водорода в молекулы. Кристаллы германия n-типа с пленками золота (d=1· 10-7 m) подвергались воздействию атомарного водорода в течение различного времени (до 104 s) при температурах, близких к комнатной. Диффузия золота в германии исследовалась методом лазерной масс-спектрометрии, а также путем измерения поверхностного сопротивления, времени жизни неосновных носителей заряда и спектров пропускания в ИК области. Предложены механизмы стимулирования гетеродиффузии и сопутствующих процессов.

Исследована зависимость оптических и электрических свойств золотых пленок толщиной от менее 1 до 8 nm, полученных методом ионно-лучевого распыления с использованием ионов аргона и кислорода. Показано, что свойства пленок не зависят от типа применявшихся для распыления ионов. Установлено, что пленки толщиной от 1 до 5 nm являются сплошными и обладают высокой прозрачностью. Получены методом ионно-лучевого распыления ионами кислорода омические контакты NiOx/Au к p-GaN.

Обнаружено, что в гранулированных пленках золота, активированных цезием и кислородом, в видимой области спектра возникает интенсивная полоса фотоэлектронной эмиссии шириной примерно 100 nm с чувствительностью около 4 mA/W при длине волны 530 nm, которая, по-видимому, обусловлена возбуждением поверхностных плазмонов. Из исследований следует, что вследствие поверхностного фотоэффекта пленки золота активированные Cs и O можно использовать в качестве быстродействующих фотокатодов с постоянной времени несколько фемтосекунд.

Тонкие пленки 4-кватерфенила (4-QP) осаждались термически в условиях высокого вакуума на поверхности поликристаллического золота и окисленного кремния. Структура незаполненных электронных состояний, расположенных 5-20 eV выше уровня Ферми (EF), и потенциал поверхности регистрировались в процессе осаждения пленки посредством падающего пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS). Электронная работа выхода поверхности изменялась за счет изменения состава поверхностного слоя в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4.3±0.1 eV при толщине 4-QP пленок 8-10 nm. Плотность валентных электронных состояний (DOS) и плотность незаполненных электронных состояний (DOUS) были рассчитаны для модельных пленок 4-QP с помощью метода присоединенных плоских волн (LAPW) в приближении обобщенного градиента (GGA) теории функционала плотности (DFT). В модельной структуре 4-QP минимальное расстояние между атомами углерода соседних 4-QP молекул было выбрано 0.4 nm для того, чтобы было возможно полагать межмолекулярное взаимодействие достаточно слабым. Такое межмолекулярное взаимодействие также характерно для неупорядоченных пленок 4-QP, исследованных экспериментально. Было обнаружено хорошее соответствие между DOUS пленок 4-QP, полученной экспериментально на основе TCS измерений, и DOUS пленок 4-QP, рассчитанной теоретически. PACS: 73.21.-b

Обнаружен эффект распыления золота атомарным водородом. Установлено, что механизм распыления связан с электронным возбуждением металла в ходе гетерогенной реакции H + H -> H2. PACS: 61.80.Lj  

При помощи туннельной микроскопии проведены исследования динамики дефектов c линейными размерами от ~ 1 до ~ 100 nm на поверхности Au под нагрузкой. Обнаружено, что зарождение, рост и рассасывание дефектов вызваны смещениями полос материала шириной от 5 до 50 nm параллельно плоскостям легкого скольжения {111}. Дефекты можно разделить на две группы: нестационарные, время жизни которых не превышает 15 min, а глубина =< 20 nm, и квазистационарные со временем жизни на три порядка больше первых. Предполагается, что нестационарные дефекты образуются при перестройке ансамбля дислокаций, а квазистационарные --- в моменты формирования субструктур дислокаций при ползучести нагруженного металла.