Исследован температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе 6H-SiC. Показано, что температурная зависимость напряжения пробоя может быть объяснена перезарядкой глубоких акцепторных уровней в слое объемного заряда. Результаты проведенных расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными, полученными для легированных бором p-n-структур на основе 6H-SiC.

Методами емкостной спектроскопии проведено исследование эпитаксиальных слоев 6H-SiC, полученных газофазной эпитаксией. Показано, что в исследованных образцах имеются те же глубокие центры, которые ранее были обнаружены в эпитаксиальных слоях SiC, полученных сублимационной эпитаксией. Однако суммарная концентрация глубоких акцепторов в структурах, изготовленных газофазной эпитаксией, на 2/3 порядка меньше, чем в эпитаксиальных пленках, полученных сублимационной эпитаксией при том же значении Nd-Na. Высказываются предположения о возможном влиянии условий роста эпитаксиальных слоев на концентрацию и тип образующихся в них дефектов.

Описаны результаты исследования глубоких уровней в p-базе 6H-SiC-диодов. Глубокий уровень неизвестной природы с энергией ионизации Ec-1.45 эВ является центром эффективной рекомбинации неосновных носителей, который контролирует рекомбинационные процессы. Уровень с энергией ионизации Ec-0.16 эВ приписывается к донорной примеси азота. Процессы захвата и термоактивации электронов, связанные с этим уровнем, значительно увеличивают длительность релаксации тока через p-n-переход.

Сообщается о проведенных исследованиях структур InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками, встроенными в активную область лазерного диода, методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) и исследованиях вольт-фарадных характеристик. Обнаружено, что в зависимости от температуры предварительного изохронного отжига образца TaTac и условий охлаждения--- с напряжением смещения Vb=0 или приложенным импульсом заполнения Vf>0--- спектр DLTS претерпевает существенные изменения. Они связываются с проявлением эффекта кулоновского взаимодействия носителей, захваченных в квантовую точку, с точечными дефектами, локализованными в ближайших окрестностях квантовых точек, а также с образованием диполя, возникающего при Ta0, или с его отсутствием при Ta>Tac и Vb=0. Обнаружено, что в диполе происходит туннелирование носителей с более глубоких состояний дефектов на более мелкие состояния квантовых точек с последующей их эмиссией в зоны.

Численно исследована релаксация поля и тока при выключении сильно поглощаемого света в высокоомной структуре металл--диэлектрик--полупроводник (МДПДМ), содержащей значительную концентрацию глубоких примесных уровней. Установлено, что зависимость распределения поля от времени определяется соотношением времен тепловой генерации примесью электронов taun и дырок taup. В случае taun>> taup изменение поля в толще полупроводника немонотонно со временем. Дрейф фотогенерированных носителей после прекращения освещения приводит к образованию области отрицательного объемного заряда повышенной плотности и значительному росту поля вблизи анода. Его максимальная величина достигает 5/6значений среднего поля Ee=V/d. Учет дополнительной инжекции дырок с анода приводит к возрастанию тока, ограничению максимума поля у анода и заметному ускорению релаксации поля к темновому распределению.

Построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением (ТЭУ). Задачи о распределении потенциала в базе, высоте барьера для электронов и вольт-амперной характеристике в подпороговой области решены в квадратурах методом конформных отображений для ТЭУ с произвольной конфигурацией планарного затвора, примыкающего к истоку. Показано, что подпороговые вольт-амперные характеристики ТЭУ имеют универсальный вид, который не зависит от конфигурации затвора. В качестве примера исследован вариант планарного затвора квазиэллиптической формы, соответствующий конфигурациям большинства реальных приборов. В предельных случаях получены простые формулы для коэффициента блокирования и параметров вольт-амперной характеристики в зависимости от геометрических параметров ТЭУ, легирования базы и потенциала затвора.

Исследованы плотность глубоких состояний и сечения захвата на них электронов в delta-легированном кремнием GaAs с помощью измерений зависимостей от напряжения и температуры импеданса барьера Шоттки к структуре. Обнаружено, что при концентрации кремния в delta-слое более 6·1012 см-2 в запрещенной зоне появляются хвосты плотности состояний. В наших струтурах энергия, характеризующая глубину проникновения хвоста, изменялась в интервале 20/100 мэВ. Характерная величина сечения захвата электронов на глубокие состояния в delta-слоях была порядка 10-17 см2. Показано, что насыщение концентрации электронов в delta-слое с ростом концентрации Si обусловлено автокомпенсацией Si.

На основе модели рекомбинации Шокли--Рида--Холла разработаны две методики определения энергии активации центров, создающих глубокие уровни в области пространственного заряда p-n-перехода. Предлагаемые методики базируются на рассмотрении токов рекомбинации в области пространственного заряда при низком уровне инжекции. Первая методика основана на дифференциальном анализе приведенной скорости рекомбинации d Rnp(U)/d U, вторая--- на анализе зависимости R2np(U)/exp(qU/2kT). Описанные методики применялись для обработки вольт-амперных характеристик кремниевых p+-n-диодов, легированных золотом. Найденные из вольт-амперных характеристик энергии активации глубокого центра золота в кремнии хорошо согласуются с известными по литературе результатами.

На основе анализа кинетики избыточного тока многослойных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, наблюдаемой как в процессе оптического облучения, так и после него, определены основные параметры неконтролируемых глубоких уровней, ответственных за эффект фотоэлектрической памяти в этих структурах. Зависимость сечения фотоионизации от энергии кванта оптического излучения, сечение захвата и величина энергетического барьера для захвата электрона со дна зоны проводимости указывают, что неконтролируемые глубокие уровни являются DX-центрами, образованными кремниевой примесью. Вероятно, данные DX-центры появляются в процессе выращивания структур в результате облегченной диффузии кремния из квантовых ям по дефектам роста.

Исследована кинетика изменения концентрации электронов в облученных электронами (T~ 300 K, E=6 МэВ, Phi=< 7.1·1017 см-2) сплавах n-Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.25) в окрестности перехода металл--диэлектрик, индуцированного электронным облучением. Путем сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей концентрации электронов от потока облучения определены основные параметры энергетического спектра облученных сплавов. Показано, что согласование теоретических и экспериментальных данных возможно лишь при введении предположения об уменьшении скорости генерации радиационных дефектов с ростом потока облучения, и предложена модель, согласно которой основным механизмом дефектообразования в исследованных сплавах является образование комплексов первичных радиационных дефектов со структурными дефектами, характерными для исходных кристаллов.