Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовались диоды Шоттки на основе монокристаллического селенида цинка n-типа, полученные после ионной имплантации азота и постимплантационной обработки методом радикало-лучевой эпитаксии в атомарном кислороде. На этом примере в приближении высокого барьера Шоттки и компенсированной приконтактной области проанализированы процессы, приводящие к наблюдению в исследуемых структурах ловушек неосновных носителей заряда при отрицательных напряжениях смещения. Представлена методика определения толщины компенсированной области и концентрации ловушек неосновных носителей заряда в ней. На основании результатов нестационарной спектроскопии глубоких уровней и измерений фотолюминесценции описаны механизмы дефектообразования в кристаллах селенида цинка при отжиге в атомарном кислороде.

Методами псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки (8x8x8) изучены локализованные электронные состояния, создаваемые тетраэдрическими кластерами из атомов галлия в запрещенной зонеGaAs. Показано, что с ростом размеров кластеров уровень Ферми(EF) быстро достигает своего предельного значения, близкого к величине барьера Шоттки для плоской границы металл--полупроводник. Щель между полностью заполненными и пустыми уровнями размерного квантования для наибольшего кластера, содержащего 159атомов галлия, составляет0.06 эВ. Положение по энергии и "хвосты" металл-индуцированных состояний в областиEF определяются наиболее внешними слоями из антиструктурных дефектовGaAs.

В 6H-SiC-МОП транзисторе обедненно-обогащенного типа обнаружен и исследован неравновесный эффект поля, обусловленный глубокими поверхностными состояниями на границе раздела SiO2/6H-SiC. Анализ релаксации проводимости канала транзистора (при повышенных температурах) после неравновесного заполнения поверхностных ловушек электронами показал, что эти ловушки распределены по энергиям в виде узкого гауссовского пика в верхней половине запрещенной зоны 6H-SiC: энергия в максимуме распределения EC-Etm=1.19 эВ, уширение пика Delta Et~ 85 мэВ, сечение захвата электронов sigman~ 10-14 см2. Как мы полагаем, данные состояния имеют фундаментальную природу и представляют собой "дефекты окисления" типа Pb- центров в системе SiO2--Si (оборванные кремниевые связи).

Сообщается о результатах исследований с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней процессов эмиссии и захвата электронов квантовыми точками вp-n-гетероструктурах InGaAs/GaAs в зависимости от условий изохронного отжига при включенном/выключенном напряжении смещения (Ura

Проведено исследование спектров глубоких центров в слабо легированной подложке 6H-SiC, имеющей области с различным структурным совершенством. Обнаружено, что концентрации большинства глубоких центров не зависят от плотности дислокаций в данной области образца. Наосновании полученных результатов и литературных данных делается предположение о независимости концентрации кремниевых вакансий от степени структурного совершенства 6H-SiC.

Исследовано воздействие оптического излучения на внутреннее трение, связанное с электронно-механической релаксацией на глубоких уровнях в пьезополупроводниках. Установлено, что поведение внутреннего трения сильно зависит от интенсивности, длины волны излучения и температуры образца. На спектральной зависимости внутреннего трения имеется аномальный пик в области фундаментального поглощения, который ассоциируется с вытеснением области оптического поглощения к облучаемой поверхности. Обнаружен эффект медленной релаксации внутреннего трения после выключения света. Предложена модель, связывающая медленную релаксацию с термическим опустошением центров прилипания.

Исследовано влияние отжига на эффективность высокотемпературной люминесценции в образцах 6H-SiC, выращенных в различных условиях и легированных бором. Часть образцов была подвергнута радиационному облучению. Показано, что эффективность высокотемпературной люминесценции определяется содержанием в образцах глубоких центров бора, выявляемых емкостной спектроскопией как D-центры. Высокотемпературная обработка приводит к распаду D-центров, являющихся комплексами BSi-VC, при этом часть атомов бора переходит в электрически неактивное состояние. Установлено, что глубокие центры бора термически стабильны до ~ 1500oC. Сохранение этих центров до более высоких температур (вплоть до 2600oC) обусловлено присутствием в кристаллах SiC кластеров, являющихся источниками неравновесных углеродных вакансий. Подобные кластеры содержат кристаллы, выращенные в избытке кремния или облученные высокоэнергетическими частицами. Этим объясняется существенная зависимость как концентрации D-центров, так и температуры их отжига от условий приготовления образца.

Выращенные методом эпитаксии из молекулярных пучков на подложках GaAs(001) слои ZnTe : Cr2+, легированные хромом как из металлического источника, так и из соединения CrI3, исследованы методом токовой спектроскопии глубоких уровней. Спектры показали наличие глубокого уровня с энергией активации (1.09±0.03) эВ, связанного с центром, возникшим в результате перехода Cr2+-C+ под действием электрического поля. Легирование хромом из соединения CrI3 приводит к исчезновению ряда характерных для эпитаксиальных слоев ZnTe точечных дефектов, при этом уровень загрязнения выращиваемых пленок йодом значителен.

Исследованы температурные зависимости положения максимума и полуширины полосы поглощения нейтральными дивакансиями вкремнии, облученном нейтронами дозой1019 cм-2. Полученные результаты анализируются на основании представлений озоне дефектных уровней, ширина которой зависит от степени компенсации и температуры.

Определен набор глубоких электронных состояний в текстурированном поликристалле p-CdTe состава, близкого к стехиометрическому, методом емкостной спектроскопии (DLTS). Наблюдались четыре дырочные и две электронные ловушки. Показано, что наиболее глубокая дырочная ловушка с уровнем Ev+0.86 эВ является преобладающим дефектом в данном материале. Особенности формы линии в спектре DLTS и логарифмическая зависимость заселенности этого уровня от длительности заполняющего импульса соответствуют протяженному дефекту, обусловленному, наиболее вероятно, дислокациями на границах зерен.