Болибок A.M., Жданова Н.Г., Каган М.С., Ландсберг Е.Г.. Отрицательное магнетосопротивление компенсированного германия с глубокими примесями // Письма в ЖЭТФ, том 45, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Грибов Л.В., Докшицер Ю.Л., Троян С.И., Хозе В.А.. О структуре конечного адронного состояния в глубоко неупругом рассеянии // Письма в ЖЭТФ, том 45, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

Гарасим В.И., Заячук Д.М.. Глубокие и мелкие акцепторные уровни в твердых растворах халькогенидов свинца и олова Pb_{0,92}Sn_{0,08}S_{0,8}Se_{0,2} // Письма в ЖЭТФ, том 52, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Баграев Н.Т., Половцев И.С.. Анизотропный штарк-эффект на глубоком центре в кремнии // Письма в ЖЭТФ, том 56, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Иоффе Б.Л.. Является ля ряд операторного разложения в глубоко-неупругом лептон-адронном рассеянии асимптотическим или сходящимся? // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru

Лукомский В.П.. Новый тип уединенных гравитационных волн на поверхности глубокой жидкости // Письма в ЖЭТФ, том 59, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

Белявский В.И., Копаев Ю.В., Померанцев Ю.А., Шевцов С.В.. Глубокие акцепторные состояния в асимметричных системах квантовых ям в электрическом поле // Письма в ЖЭТФ, том 62, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Баранов П.Г., Мохов Е.Н., Хофштэттер А., Шарманн А.. Двойной электронно-ядерный резонанс акцепторов глубокого бора в карбиде кремния // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

В широком диапазоне электрических полей и температур экспериментально исследована проводимость аморфного нитрида кремния. Результаты эксперимента находятся в количественном согласии с теорией многофононной ионизации глубоких центров для биполярной модели проводимости. Наилучшее согласие между экспериментом и расчетом получено при одинаковых параметрах электронных и дырочных глубоких центров.

Кинематическое ограничение при сверхпроводящем спаривании с большим импульсом эффективно обрезает экранированный кулоновский потенциал по передаче импульса при рассеянии и приводит к осциллирующему в реальном пространстве спаривающему потенциалу, обеспечивающему связанное состояние пары. Кулоновскому спариванию в купратах соответствует сильное взаимодействие между составляющими пару частицами, как в одной и той же, так и в соседних купратных плоскостях, что объясняет зависимость температуры перехода от числа купратных плоскостей в элементарной ячейке.