Методом емкостной спектроскопии исследованы параметры глубоких уровней вэпитаксиальных слоях n-GaN после облучения барьеров Шоттки протонами сэнергией1 МэВ идозой1012 см-2. Наблюдалось введение глубокого уровняEP1 вверхней половине запрещенной зоны сэнергией активации 0.085 эВ. Образование этого дефекта зависит от напряжения смещения, приложенного кбарьеру Шоттки во время облучения.

Приведены результаты исследований физических процессов, вызывающих возникновение рекомбинационной неустойчивости тока вкремниевых эпитаксиальных p+-n-структурах слокальным контактом на n-области структуры, получаемым посредством введения примесных атомов, создающих взапрещенной зоне кремния глубокие энергетические уровни. На основе исследования неустойчивости тока определены параметры (плотность, энергетическое положение, сечение захвата электрона) глубоких центров, создаваемых вкремнии оловом, свинцом, кадмием иникелем.

Обсуждается исследование высокоомных монокристалловCdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней(ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование эксперимента, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методамиФЭНСГУ и термостимулированной проводимости. Сравниваются экспериментальные возможности этих методов.

На фотодиодах CdxHg1-xTe при исследовании туннельного тока Jt через уровни в запрещенной зоне определены их энергии залегания Et-Ev и концентрацияNt. Практически для всех фотодиодов характерно наличие мелких акцепторных уровней с Et-Ev=8-12 мэВ, создаваемых однозарядными вакансиямиVHg+. Вряде фотодиодов были отмечены глубокие уровни Et=Ev+0.26Eg, проявляющие себя как рекомбинационные. Были обнаружены еще и более глубокие уровни Et=Ev+0.6Eg, которые могут вести себя и как рекомбинационные, и как глубокие ловушки с малым сечением захвата дырок.

Методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии (PICTS) исследовались глубокие уровни в полуизолирующих монокристаллах CdS, выращенных с варьированием стехиометрического состава. Обнаружен ряд глубоких уровней с энергией термической активации 0.066-0.54 эВ. Обнаружено, что соотношение сигнала в наборе спектров не соответствует базовой модели PICTS. Разработана методика оценки концентрации глубоких уровней в данной ситуации.

Проанализированы спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики при прямом и обратном смещении, распределение ближнего поля излучения светодиодов флип-чип на основе гетероструктур с активным слоем из InAsSb (длина волны4.2 мкм, 300 K), имеющих глубину мезы 40--50 мкм и диаметр240 мкм. Обсуждаются фактор увеличения выхода излучения, связанный с особенностями геометрии структуры, и выбор оптимального режима работы светодиода в зависимости от рабочей температуры. PACS:85.60.Jb

Артемьев А.н., Бушуев И.н., Колясников В.а., Ковачев Г.а., Латыш О.э., Мартыненко В.в., Моряков В.п., Одинцов Д.г., Передков С.с., Рахимбабаев Т.я., Станкевич В.г., Никитин Б.и., Шмидт М., Шмидт А. Канал вывода СИ и станция для глубокой рентгеновской литографии на курчатовском источнике СИ. Первые результаты // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 217-218

Завадцев А.а., Каминский В.и. Методы глубокой перестройки энергии пучка электронов в импульсном режиме // Научная сессия МИФИ-2001. Т.7 Астрофизика и космофизика. Математические методы в научных исследованиях. Физика пучков и ускорительная техника. Физика элементарных частиц и ядерная физика, стр. 108-109

Завадцев А.а., Каминский В.и., Собенин Н.п., Фадин А.а. Схема и расчет ЛУЭ на базе БУС с глубокой перестройкой энергии // Научная сессия МИФИ-2001. Т.7 Астрофизика и космофизика. Математические методы в научных исследованиях. Физика пучков и ускорительная техника. Физика элементарных частиц и ядерная физика, стр. 112-113

Миронова Е.в., Глубоков Ю.м., Травкин В.ф. Основные закономерности экстракционного выделения мышьяка из сернокислых растворов нейтральными фосфорорганическими экстрагентами // Научная сессия МИФИ-2001. Т.9 Памяти В.С.Емельянова. Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 115-116