Исследованы температурные зависимости времени жизни и спектральных характеристик фотопроводимости кристаллов CdxHg1-xTe (x=0.2) с фотоактивными включениями. Показано, что N-образный характер температурных зависимостей эффективного времени жизни в неоднородных кристаллах, в частности его резкая температурная активация в области перехода от примесной к собственной проводимости, определяется не шокли--ридовским механизмом, а межзонным ударным процессом с изменяющимися при увеличении температуры эффективными геометрическими размерами рекомбинационно активных областей. В рамках этой модели объясняется сглаживание немонотонного характера спектральных характеристик фотопроводимости в области фундаментального поглощения при нагревании. Приводятся расчеты, качественно совпадающие с экспериментальными данными.

Произведена теоретическая оценка размеров микровключений второй фазы в твердотельной матрице, наличие которых характерно для полупроводниковых соединений AIIIBV, AIIBVI, AIVBVI и их производных. Получена рабочая формула, связывающая температурный сдвиг пика внутреннего трения, обусловленного изменением формы включений под действием знакопеременных упругих напряжений, с линейными размерами включений. Результаты подтверждаются данными по низкочастотному внутреннему трению в SnTe.

Проведены исследования фоточувствительности пленок аморфного гидрированного кремния, содержащие включения нанокристаллов Si. Установлена корреляция фоточувствительности с особенностями рамановских спектров и исследованы спектральные характеристики фотопроводимости. Показано, что максимальной фоточувствительностью обладают пленки с наиболее сформированным средним порядком в их структуре.

Методом разложения SiH4 в магнетронной камере (dc-MASD) были приготовлены пленки a-Si : H с включениями кластеров (SiH2)n или нанокристалловSi. Пленки имели величины микроструктурного параметра R=0.7-1.0. Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии установлено влияние этих включений на возрастание степени упорядочения структурной сеткиSi. Показано, что независимо от природы включений влияние их максимально для пленок собственного материала, осажденных при высоких температурах (до400oC).

Исследованы технологические процессы, происходящие в полупроводниковых структурах при изготовлении транзисторов, содержащих новый конструктивный элемент--- решетку объемных неоднородностей в коллекторной области, препятствующую развитию вторичного пробоя.

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование и модификация включений нанокристаллической фазы (nc-Si) в тонких пленках a-Si : H, полученных тремя способами: плазмохимическим осаждением a-Si : H, циклическим плазмохимическим осаждением с промежуточным отжигом слоев толщиной 10--20 нм в водородной плазме и плазмохимическим осаждением a-Si : H с отжигом пленок толщиной40 нм в водородной плазме. Показано, что размеры нанокристаллитов в пленках, полученных циклическим осаждением с промежуточным отжигом в водородной плазме, после термообработки при 750oC в течение 30 мин не превышают толщины слоя, осажденного за цикл, в то время как в однородных пленках после термообработки в тех же условиях размеры кристаллитов достигают 1 мкм и более. Предложены модели, объясняющие наблюдаемые эффекты, которые подтверждаются результатами расчетов диффузионных профилей водорода в пленке a-Si : H после ее отжига в водородной плазме и термообработки в вакууме.

Исследована электромиграция расплавленных включений на основе олова в монокристаллическом(111) p-GaSb(Zn). Показано, что в температурном интервале T=750-920 K расплавленные включения вытесняются током (j=(1-4)· 105 А/м2) в направлении отрицательного электрода. Установлен механизм этого явления, связанный с концентрационными изменениями в объеме расплавленного включения. Отмечено, что транспорт включений спровоцирован двумя конкурирующими процессами: температурными изменениями на межфазных границах под воздействием теплоты Пельтье и силами электропереноса, приводящими к перераспределению компонентов с учетом их эффективных зарядов в расплаве. Установлена размерная зависимость скорости перемещения включенийW в объеме монокристаллической матрицы: W возрастает с увеличением размера включений. Независимыми методами экспериментально определены численные значения термоэлектрических параметров всех контактирующих фаз. Это позволило по согласованию теории с экспериментом провести количественную оценку не только эффективного заряда полупроводника в расплавеZ*, но и объяснить размерную зависимость величины активационного барьера, преодолеваемого дрейфующим включением.

Продемонстрировано существование нового механизма формирования критического заряда включенияQcr в тиристорных структурах. Построена новая аналитическая модель, позволившая получить соотношения, определяющие величину критического заряда в современных тиристорных структурах как на основе Si, так и на основе нового материала SiC. Справедливость предложенной аналитической модели критического заряда подтверждена с помощью численного эксперимента.

Климова М.н., Минаев В.м., Шилобреева С.н. Применение нейтронно-активационного анализа и авторадиографии для поиска включений иридия в природных объектах // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.10 Телекоммуникации и новые информационные технологии в образовании, стр. 109-110

Беляков В.в. Экстракция параметров SPICE-модели биполярного транзистора для прямого и инверсного включения // Научная сессия МИФИ-2001. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 153-154