Проведен теоретический анализ энергетических характеристик ортогональных рядов частичных дислокаций несоответствия с V-образными дефектами упаковки в тонкопленочных гетероэпитаксиальных системах. Показано, что их появления следует ожидать только в очень тонких эпитаксиальных пленках наноскопической толщины и при больших значениях несоответствия, превышающих некоторую предельную величину. В этих условиях частичные дислокации несоответствия, связанные с V-образными дефектами упаковки, оказываются типичными элементами дефектной структуры нанослойных гетеросистем. При меньших несоответствиях и больших толщинах пленки следует ожидать образования полных дислокаций несоответствия.

Рассчитаны вольт-амперные характеристики (ВАХ) джозефсоновских, интерференционных и квазичастичных компонент тока через туннельный переход, образованный двумя сверхпроводниками с волнами спиновой плотности (ВСП). Рассмотрение основано на модели частичной диэлектризации поверхности Ферми и в предположении пиннинга ВСП. Детально исследуются частные случаи: несимметричные переходы ВСП сверхпроводник --- обычный сверхпроводник и симметричные переходы между двумя тождественными ВСП сверхпроводниками. Определены положение и характер особенностей ВАХ. Для симметричного контакта предсказана возможность существования несимметричных ВАХ. Расчеты качественно согласуются с обнаруживаемым в эксперименте поведением ВАХ туннельных и микроконтактов, включающих ВСП сверхпроводник с тяжелыми фермионами URu2Si2.

Рассмотрены особенности зарождения и развития частичных дислокаций несоответствия в вершинах V-образных конфигураций полос дефекта упаковки, которые оканчиваются в объеме растущей пленки на 90o частичных дислокациях Шокли. Рассчитаны критические толщины hc эпитаксиальной пленки, при которых зарождение таких дефектных образований становится энергетически выгодным. Показано, что при малых несоответствиях сначала зарождаются полные дислокации несоответствия, а при больших --- частичные, расположенные в вершинах V-образных конфигураций полос дефекта упаковки, выходящих на поверхность пленки. Исследованы возможности дальнейшего развития последних с увеличением толщины пленки. Работа выполнена при поддержке Научного совета по МНТП России "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 97-3006), Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-16075), Отдела морских исследований США (the Office of US Naval Research грант N 00014-99-1-0569) и программы ИНТАС (грант N 99-1216).

Предложена теоретическая модель, описывающая испускание частичных дислокаций границами зерен в нанокристаллических металлах при пластической деформации. В рамках модели частичные дислокации испускаются при движении зернограничных дисклинаций --- носителей ротационной пластической деформации. Рассчитаны области параметров дефектной структуры, в которых испускание частичных дислокаций границами зерен в нанокристаллических металлах является энергетически выгодным процессом. Показано, что при уменьшении размера зерна испускание его границами частичных дислокаций становится более предпочтительным по сравнению с испусканием полных решеточных дислокаций. Работа выполнена при поддержке ИНТАС (грант 03-51-3779), Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-01-00211), программы Министерства образования и науки РФ по твердотельным наноструктурам, Фонда содействия отечественной науке, Программы РАН \glqq Структурная механика материалов и элементов конструкций\grqq, Офиса Морских Исследований США (the Office of US Naval Research) (проект N 00014-01-1-1020), программы \glqq Интеграция\grqq (грант N Б0026) и Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Проанализировано 19 видов фазовых переходов в немагнитных кристаллах, при которых в низкотемпературной фазе возникают только частичные смешанные сегнетоэлектрические-сегнетоэластические свойства. С помощью кристаллофизического метода установлено, что все частичные смешанные сегнетоэлектрики-сегнетоэластики являются полными ферроэластоэлектриками и частичными ферробиэластиками, за исключением случая фазового перехода 43m-> 3, который приводит к появлению как полных ферроэластоэлектрически, так и полных ферробиэластических свойств. Обсуждается возможность возникновения частичных смешанных сегнетоэлектрических-сегнетоэластических свойств в кристаллах со структурой перовскита. PACS: 64.60.-i, 77.80.Bh, 62.20.Dc

Рассмотрено влияние частичного упорядочения примесей (коррелированное вдоль одного направления и некоррелированное вдоль другого) на кинетические коэффициенты. Показано, что геометрия расположения примесей сама по себе при рассеянии на сферически симметричном потенциале не сказывается на коэффициенте диффузии и проводимости, и они остаются такими же, как и для некоррелированной системы примесей.

Горбаченко В.и., Катков С.н. Нейросетевой метод решения частичной проблемы собственных значений // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.1 Нейроинформатика-2000.2-я Всероссийская научно-техническая конференция. Теория и математические модели нейронных сетей. Нейробиология и модели природных нейронных систем. Нейронные сети в системах управления, стр. 46-52

Лебедев М.в. Нейросетевая процедура управления частично неработоспособным летательным аппаратом на базе нечеткой логики // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.2 Нейроинформатика-2000.2-я Всероссийская научно-техническая конференция. Прикладные задачи нейроинформатики. Экономика и управление производством. Аппаратная реализация нейронных сетей. Нейроинформатика в образовании и гуманитарной сфере, стр. 100-105

Муравьев С.е., Румянцев О.а. Парные корреляции в ядрах как следствие спонтанного нарушения частично-дырочной симметрии // Научная сессия МИФИ-2001. Т.5 Медицинская физика т техника, биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 144-145

Акимов И.с., Клинов Д.а., Колесов В.в., Волков М.ю. Эффекты неравномерного выгорания топлива и моделирование частичных перегрузок в реакторе БРЕСТ-2400 // Научная сессия МИФИ-2004. Т.8 Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 148