Теоретически исследована зависимость скорости сборки молекулы фуллерена C60 от концентрации электронов и температуры в частично ионизованном углеродном паре. На примере образования молекулы C60 в одну и две промежуточные стадии столкновений различных кластеров показано, что существует область параметров плазмы (температура и электронная концентрация), в которой фуллерен C60 образуется более эффективно. Установлено, что зависимость скорости образования C60 от температуры и электронной концентрации связана с зависимостью от этих параметров сечения столкновений углеродных кластеров.

Исследован нестационарный магнитотранспорт электронов с частично-инвертированным распределением формирующимся в пассивной области после ультракороткого междузонного фотовозбуждения и испускания каскада оптических фононов. В случае пикового распределения внутри пассивной области проводимость положительна из-за большего вклада спадающей части распределения, тогда как за счет инвертированной части распределения может возникать отрицательное магнитосопротивление в классических полях. Если же энергия возбуждаемых в c-зоне фотоэлектронов кратна энергии оптфонона, то имеет место пара полупиков на границах пассивной области, причем вклад инвертированной части распределения (с энергией близкой к энергии фонона) приводит к абсолютной отрицательной проводимости и к существенному изменению магнитотранспорта.

Частично коммутативная группа — это группа, заданная при помощи образующих и определяющих соотношений, причем все соотношения имеют вид: коммутатор некоторых образующих равен единице. Рассмотрен алгоритм, позволяющий по данному элементу группы определить, является ли он коммутатором. Тем самым обобщается результат Уикса для свободных групп.

Рассматриваются трехмерные подалгебры, допускаемые уравнениями газовой динамики, имеющие инвариант время и не содержащие оператора вращения. Для таких подалгебр разыскиваются нерегулярные частично инвариантные решения ранга 2 дефекта 1. Представление решений имеет вид, обобщающий движения газа с линейным полем скоростей. Показано, что частично инвариантные решения существуют для каждой подалгебры. Описано множество таких решений. Найдены решения с таким представлением, не являющиеся частично инвариантными. Редуцируемые к инвариантным решения обобщаются в новые подмодели.

В работе рассматривается интересное явление, происходящее в полярной летней мезосфере, называемое Полярным Летним Мезосферным Эхо (Polar Mesospheric Summer Echoes - PMSE). На примере многолетних данных радара частичных отражений Полярного геофизического института (PGI-PRE) в п.Туманный (68.9° N, 35.8° E) анализируются отражения на частоте 2.7 Мгц от высот мезосферы в летние периоды. Подчеркнуты особенности отраженного сигнала в периоды PMSE. Анализ данных показал четкую связь PMSE с приливными волнами в атмосфере на рассматриваемых высотах, в частности, антикорреляцию между вероятностью появления PMSE и меридиональной компонентой полусуточной приливной волны. Сравнение данных трех радаров: EISCAT VHF (224 Мгц), ALOMAR-SOUSY (53,5 Мгц) и PGI-PRE – говорит о том, что в периоды PMSE на высотах мезосферы образуются неоднородности в электронной концентрации с масштабами от ~100м до ~10 см. В работе исследуется структура флуктуаций амплитудных отражений в периоды PMSE и на этой основе делается попытка получить информацию о динамике формирующих PMSE неоднородностей. Анализируется структура профиля электронной концентрации в нижней ионосфере, полученного из данных частичных отражений. Приводятся оценки возможных изменений эффективности аэрономических процессов в период PMSE, связанных с понижением температуры. Делаются предварительные выводы о роли турбулентности атмосферы.

Предложен аналитический метод для вычисления емкости планарного конденсатора, выполненного в виде двухслойной структуры. Метод использован для вычисления емкости планарного конденсатора, содержащего сегнетоэлектрическую пленку. Ряд расчетов выполнен для проверки точности метода частичных емкостей. Выполненные расчеты позволяют определить пределы применимости метода частичных емкостей при допустимой погрешности расчета в пределах ±3%.

Проведено исследование особенностей распространения сильной электромагнитной волны в пространственно неоднородной плазме тонких полупроводниковых элементов и пленок. Исследовано влияние поверхностной рекомбинации и внешнего магнитного поля на глубину проникновения ионизирующего поля в полупроводниковую плазму.

Представлена самосогласованная модель роста дендритов и частичных разрядов в твердом диэлектрике при переменном напряжении. Рост дендритов определяется локальной напряженностью электрического поля и разрушением диэлектрика под действием частичных разрядов. Численная реализация модели использована для количественного описания пространственно-временной динамики роста дендритов и характеристик частичных разрядов в эпоксидной смоле при геометрии электродов острие--плоскость. Проведено сравнение результатов моделирования с данными, полученными путем электрических измерений частичных разрядов и оптической регистрации роста дендритов при тех же условиях.

Рассчитаны амплитуды нестационарного джозефсоновского I1, интерференционного I2 и квазичастичного J токов через симметричный и несимметричный туннельные контакты, включающие сверхпроводники с волнами зарядовой плотности. В симметричном (s) случае зависимость джозефсоновского тока I1s от напряжения V на контакте имеет логарифмические особенности при |eV|=2Delta, Delta+D и 2D, где D=sqrt((Delta2+Sigma2))sqrt, Delta и Sigma --- сверхпроводящий и диэлектрический параметры порядка, e --- элементарный заряд. При температурах T#0 в вольт-амперных характеристиках I1s(V) появляются скачки при |eV|=D-Delta. В токах I2s и Js скачки и сингулярности наблюдаются при тех же напряжениях, при которых в I1s имеют место сингулярности и скачки соответственно. В несимметричных (ns) контактах, включающих обычный сверхпроводник, особенности и скачки имеют место при |eV|=D+DeltaBCS, Delta+DeltaBCS и (при T#0) |D-DeltaBCS|, |Delta-DeltaBCS|, где DeltaBCS --- параметр порядка обычного сверхпроводника. Квазичастичный ток Jns является несимметричной функцией напряжения V и не зависит от знака Sigma. Результаты сравниваются с экспериментом.

Рассчитаны туннельные вольт-амперные характеристики (ВАХ) для симметричных переходов между металлами с волнами зарядовой или спиновой плотности, обладающими равными по модулю диэлектрическими параметрами порядка |Sigma|. Учитывается возможность различных знаков Sigma по обе стороны перехода. В результате ВАХ оказываются существенно асимметричными. Предсказанный эффект является новым примером нарушения симметрии в многочастичных системах и позволяет объяснить экспериментальные результаты для симметричных микроконтактов URu2Si2--URu2Si2.