Предложен и отработан экспериментально алгоритм количественного анализа массопереноса белков в гелях на основе результатов интерференционно-голографического исследования электрофореза и диффузии. Определены коэффициенты диффузии отдельных белков в различных средах.

На примере 28 газов показано, что уравнение Ван-Дер-Ваальса в форме \Bigl[P+(a)/((V+c)kTm) \Bigr](V-b)=RT хорошо передает количественные соотношения между параметрами P,V,T реальных газов. Здесь a,b,c --- постоянные величины, k --- число близкое к 2, m для разных газов принимает значения в пределах 0.2-2.17. Рассчитанные с помощью этой формулы критические параметры большинства газов оказались близкими по величине к экспериментальным параметрам.

Построена теория резонансного акустооптического (АО) взаимодействия для произвольного характера уширения спектральной линии перехода. Учитывался наиболее сильный из механизмов резонансной фотоупругости, связанный с потенциал-деформационным взаимодействием света и звука. Выяснено, что наличие неоднородного уширения приводит к тому, что максимальная эффективность АО-взаимодействия на длине поглощения света достигается не в точном резонансе, как в случае однородно уширенных линий, а на некотором удалении от него --- порядка полуширины линии поглощения. Установлено, что совместное исследование дифракционной эффективности АО-взаимодействия и коэффициента поглощения света на частотах вблизи резонанса позволяет получать сведения о вкладах однородного и неоднородного уширений в реальном резонансе и таким образом судить о качестве материала.

Метод обратного отражения рентгеновской дифракционной топографии использовался для изучения изменений реальной структуры поверхностного слоя монокристаллов CdTe в результате воздействия импульсного излучения рубинового и неодимового лазеров. Обнаружено, что структурные изменения зависят главным образом, от мощности излучения, от присутствия легирующей примеси, а также от ориентации и формы поверхности образца. Обсуждаются три ярко выраженных эффекта: интегральное улучшение реальной структуры поверхностного слоя, периодический рельеф поверхности кристаллов и ячеистая двойниковая структура.

Высокоразрешающими методами рентгеновской топографии и дифрактометрии исследовано изменение реальной структуры монокристаллов CdTe в результате теплового воздействия импульсного лазерного излучения высокой мощности (1.6-1.97 J/cm2). Показано, что в этих условиях в области облучения в тонком поверхностном слое формируется ячеистая дислокационная структура с повышенной плотностью дислокаций и с большими микроразориентациями по сравнению с необлученной частью кристалла. Определены ее характеристики, оценена толщина слоя с измененной структурой. Работа выполнялась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-18309).

Впревые исследовано воздействие слабых импульсов магнитных полей (ИМП) на кристаллы твердых растворов Sb1-xAsx. Обнаружен эффект долговременного (месяцы) перераспределения компонентов твердого раствора при комнатной температуре после кратковременного (секунды) воздействия ИМП, включающий этапы обогащения поверхности кристалла сурьмой с образованием кластеров, распада кластеров сурьмы и снижения ее содержания на поверхности с существенным повышением однородности твердого раствора. Индуцированное ИМП перераспределение компонентов сопровождается понижением температуры плавления кристалла. В качестве возможного стартового механизма эффекта рассматривается разрыв напряженных химических связей в комплексах вакансий мышьяка в результате изменения их мультиплетности при воздействии ИМП.

Проанализированы особенности полевой зависимости фототока короткого замыкания реальных барьеров Шоттки на основе сильно легированного полупроводника в условиях осциллирующей зависимости коэффициента поглощения света alpha от напряженности поля в области пространственного заряда и энергии квантов (hnu>Eg). Получено аналитическое выражение для зависимости фототока от толщины области пространственного заряда W при условии alpha W<< 1. Предложена усовершенствованная методика определения длины диффузии неосновных носителей заряда из анализа зависимостей Ip(W) в спектральной области, удовлетворяющей условиям применимости полученных выражений. Проведены также некоторые усовершенствования метода выделения емкости области пространственного заряда из высокочастотной емкости реального барьера Шоттки. Метод опробован на структурах Аu--GaAs с Nd=(4.5· 1016/ 1· 1018)см-3. Независимая проверка метода определения L проведена на основе теоретического описания спектральной зависимости квантовой эффективности структуры.

Исследованы спектры низкочастотного внутреннего трения и поведение эффективного модуля сдвига Geff(T) в монокристаллическом кремнии, выращенном по методу Чохральского, после механической и химико-механической обработок поверхности и после естественного старения при комнатных температурах в течение длительного времени. Показано, что механическая обработка поверхности Si приводит к инициации необычных структурных фазовых превращений, сопровождающихся обратным гистерезисом зависимости Geff(T). Высказано предположение о том, что такое поведение Geff(T) связано с образованием несоразмерных фаз. Обнаружено также, что старение при комнатной температуре в течение более 10 000 ч приводит к началу распада пересыщенного твердого раствора кислорода в Si и возникновению в образцах существенных напряжений, инициирующих структурные фазовые превращения.

Маркочев В.м., Шамраев Ю.в. Оценка остаточной прочности поврежденных трубопроводов АЭС методом реальных элементов // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 15-17

Федосеев Ю.н., Рыбин И.в. Особенности и принципы построения экспертной системы реального времени для комплекса экологического мониторинга // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.5 Информатика, вычислительная техника. Автоматизация. Электронные измерительные системы. Информационные технологии и электроника. Электроника. Микроэлектроника, стр. 43-45