Были проведены исследования оптических свойств структур с островками InAs и узкими квантовыми ямами GaAs в AlGaAs-матрице. Формирование островков InAs производилось путем осаждения слоя InAs с эффективной толщиной менее одного монослоя. Показано возникновение эффекта экситонного волновода и появление генерации при оптической накачке в красной области спектра в структурах без внешнего оптического ограничения слоями с меньшим показателем преломления.

Проведено исследование методами просвечивающей электронной микроскопии гетероструктур с одним или несколькими слоями InxGa1-xN в матрице GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (MOCVD). Показано, что в гетероструктурах с толстыми слоями InGaN (~40 нм) наблюдается образование некогерентной системы слоистых доменов с характерными латеральными размерами порядка толщины слоя (~50 нм). В случае сверхтонких внедрений InGaN формируются нанодомены, когерентные с матрицей GaN. Определенное с помощью DALI-методики содержание In в островках достигает значений x~0.6 и более, что существенно выше, чем среднее содержание индия. Плотность образующихся нанодоменов в исследованных структурах составляет n~(2-5)·1011 см-2. В структурах со сверхтонкими внедрениями InGaN отмечено образование нанодоменов с двумя характерными размерами (3--6 и 8--15 нм).

Исследованы оптические свойства сверхтонких внедрений GaAsN в матрицу GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, с целью определения методики намеренного формирования областей локализации носителей в слоях GaAsN. Вслучае осаждения короткопериодной сверхрешетки GaAs/GaAsN, в спектрах фотолюминесценции наблюдается дополнительная линия со стороны больших длин волн. Как следует из сравнения данных оптических исследований и данных просвечивающей электронной микроскопии, линия соответствует излучению из сформировавшихся областей с повышенным содержанием азота (до8.5%). Характерный размер этих обогащенных азотом областей больше в верхних слоях сверхрешетки, чем в нижних, и он увеличивается с числом осажденных слоев.

Показана возможность формирования методом металлорганической газофазной эпитаксии искусственной среды, представляющей собой матрицу монокристаллического GaAs с внедренными наночастицамиAl. Проведены исследования ее электрических и оптических свойств.

Исследованы в широком температурном интервале вольт-амперные характеристики структур Al/SiO2/c-Si с кремниевыми нанокристаллами (nc-Si) в оксидном слое. Выполненный на основе полученных экспериментальных данных анализ показал, что наиболее вероятным механизмом переноса носителей заряда в таких структурах является термоактивированное туннелирование через электронные состояния в nc-Si. PACS: 73.60.Bd; 72.80.Jc; 73.40.Gk.

Хренов В.ю. Модификация приповерхностных слоев Fe и Cu при внедрении атомов Al, Ti методом ионного перемешивания // Научная сессия МИФИ-1999. Т.13 Прикладная физика, стр. 120-122

Фридрих И.а. Изучение влияния взаимодействия между дефектами на диффузионную подвижность внедренных атомов в алмазоподобных структурах // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.5 Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 114-115

Варварица В.п., Кузелев Н.р., Николаенко О.к., Чуев А.г., Афанасьев Н.в., Горкольцев В.м., Жмура В.а., Заплатин В.г., Иванов Е.в., Панченко Н.в., Помилуйко В.н. Технология внедрения в промышленную эксплуатацию концентратомеров бора НАР-12 на энергоблоках АЭС с реакторами типа ВВЭР // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.5 Биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Медицинская физика. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 124-126

Жукова О.б., Цека О.с. Стратегии внедрения технологий в практику лечебно-профилактического учреждения // Научная сессия МИФИ-2001. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии. Параллельные вычислительные технологии, стр. 145-146

Бурков В.а., Сергиевский М.в. Автоматизация процесса внедрения подсистемы прав в информационные системы // Научная сессия МИФИ-2001. Т.3 Банки данных и анализ данных. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программных систем, стр. 215-216