Михайлова Наталья Николаевна, Внедрение здоровьесберегающих технологий как актуальное направление технологизации профессионального образования // Образование: исследовано в мире [Электрон. ресурс]. -M.: oim.ru, 2005-04-05, http://www.oim.ru/

Предложена новая модель высокоэнергетической ионной имплантации, основанная на использовании уравнения Фоккера--Планка. Разработан эффективный алгоритм адаптивного типа для численного решения задачи. Проведено моделирование имплантации B в Si в области энергий от 10 до 100 МэВ. Получено хорошее согласование с экспериментальными данными и результатами моделирования методом Монте-Карло.

Предложен метод формирования пучков ускоренных ионов с энергетическим спектром, отвечающим условию образования в облучаемых образцах заданного профиля внедренных атомов и радиационных дефектов. Проведен строгий математический расчет профилей пленочных поглотителей энергии, формирующих пучки легких и тяжелых ионов с необходимым энергетическим спектром из моноэнергетических ускоренных пучков.

Рассмотрена методика снижения работы выхода автоэмиссионного катода из графита путем внедрения щелочноземельного металла в его структуру. Был разработан метод внедрения бария в структуру графита. Рассмотрена модель образования монослоя бария на поверхности катода. Результаты автоэмиссионных испытаний показали уменьшение рабочих напряжений допированного катода по сравнению с недопированным при одном и том же токе эмиссии.

Исследовалась кинетика внедрения удлиненных деформируемых ударников в SiC керамики различной пористости. Внедрение в керамики можно представить как двустадийный процесс. На первой стадии наблюдаются минимальная скорость внедрения и максимальная скорость сокращения длины ударника. Именно эта стадия характеризуется наибольшим сопротивлением керамик внедрению. На второй, квазистационарной, стадии кинетика внедрения в керамику подобна кинетике внедрения в среду, лишенную прочности с преимущественно инерционным сопротивлением внедрению. Показано, что величина сопротивления внедрению на первой стадии коррелирует с твердостью керамики и сильно зависит от ее пористости.

При помещении трердого диэлектрика в изолирующую жидкость и при наложении на поверхность диэлектрика электродов, обусловливающих неоднородное электрическое поле, и при подаче на электроды высоковольного импульса с длительностью фронта в несколько микросекунд полный пробой происходит в твердом диэлектрике.

Проведено математическое моделирование поведения подвижных примесей внедрения в матрице кристалла. Исследован вклад примесной подсистемы в теплоемкость, а также влияние процесса кластеризации на температурную зависимость коэффициента диффузии примесей.

Исследована кинетика внедрения деформируемых стальных и вольфрамовых стержней в высокотвердые хрупкие среды (керамики и стекло) при скоростях соударения 1.3--1.6 km/s. Установлено, что внедрение протекает как двухстадийный процесс. На первой стадии скорость внедрения возрастает по мере разрушения керамики. Вторая стадия соответствует квазистационарному внедрению в среду, лишенную прочности. Показано, что именно первая стадия определяет высокий уровень сопротивления керамики при интенсивном ударном воздействии. Также установлена зависимость сопротивления внедрению от геометрии преграды и ударного давления.

Методами математического моделирования изучен вклад подвижности кластеров в низкотемпературный коэффициент диффузии системы легких примесей внедрения. Показано, что величина этого вклада кардинальным образом зависит от параметров потенциала взаимодействия примесей, а немонотонный характер его температурной зависимости связан с изменением формы кластеров или "вымерзанием" одного из нескольких механизмов подвижности. Работа частично поддержана грантом РФФИ N 97-02-17627.

Исследуется вопрос о зарождении призматических дислокационных петель в напряженных квантовых точках. Рассматриваются квантовые точки, находящиеся в гетероструктуре пленка--подложка с наведенными механическими напряжениями. Последние вызваны различием параметров кристаллических решеток пленки (гетерослоя) и подложки. Собственная пластическая деформация квантовой точки varepsilonm обусловлена несоответствием параметров решеток материалов квантовой точки и окружающей матрицы. Граница между гетерослоем и подложкой характеризуется собственным параметром несоответствия f. Анализируется влияние параметра несоответствия f на функциональную зависимость критического радиуса квантовой точки Rc(varepsilonm), при котором в ней энергетически выгодно появление дислокационной петли. Работа выполнена в рамках программы \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq Минпрома РФ.