С межатомным потенциалом, предложенным авторами, с учетом вторых соседей рассчитаны уравнения состояния и упругие постоянные, ответственные за распространение звука в сильно сжатых кристаллах инертных газов. Сравнение с экспериментом вполне удовлетворительно. Несколько хуже описывается сдвиговый модуль  B44. Эксперимент подтверждает выполнение соотношения Коши в криптоне, что указывает на центральный характер межатомного взаимодействия в этом кристалле.

С помощью спектроскопии КРС и электроотражения исследованы SiGe-наноостровки в кремниевой матрице, выращенные в интервале температур от 300 до 600oC. Для островков, сформированных при относительно низких температурах (300-500oC), загеристрирован дублетный характер фононных полос. Показано, что зависящие от температуры роста структур изменения компонентного состава, размеров и формы наноостровков и связанные с этим величины упругих напряжений существенно изменяют энергии электронных межзонных оптических переходов в островках. Как следствие изменяются резонансные условия процесса КРС. Установлено, что процесс интердиффузии из кремниевой подложки и покровного слоя, определяющий смешанный SiGe-состав наноостровков, оказывается актуальным даже при низких (300-400oC) температурах выращивания наноструктур. Работа выполнена при поддержке гранта INTAS NANO N 01-444.

В рамках модели К.Б. Толпыго и ее модификаций \glqq из первых принципов\grqq обсуждаются отдельные электрон-ионные слагаемые энергии кристаллов инертных газов. Проведен расчет фононных частот кристаллического неона при давлении p#0, который выходит за рамки адиабатического приближения. Исследование роли различных взаимодействий показало, что величины фононных частот, рассчитанные в простейшей (с учетом только первых соседей) и самой сложной модели (\glqq первые + вторые соседи + неадиабатические эффекты и т. д.\grqq), близки при малых волновых векторах. Разница наиболее заметна на границе зоны Бриллюэна. При больших сжатиях фононный спектр в направлении Delta деформируется и происходит \glqq размягчение\grqq продольной моды за счет электрон-фононного взаимодействия. Вклад высших степеней интеграла перекрытия S при n#0 в фононные частоты более значителен, чем при соответствующих расчетах энергии зонной структуры неона.

Образование в стекле фазы CuCl начинается спустя некоторое время после \glqq включения пересыщения\grqq. С ростом температуры наблюдается уменьшение периода нестационарности (стадия формирования критических зародышей) и переход кинетики роста фазы CuCl от первой ко второй стадии. Наблюдаемые закономерности кинетики роста фазы CuCl согласуются с классической теорией образования новой фазы Зельдовича-Френкеля. Время задержки определяется радиусом критического зародыша --- нанорасплава CuCl --- и коэффициентом диффузии лимитирующего компонента --- ионов Cu+. Радиус критического зародыша составляет около 1 nm и в широком интервале температур остается неизменным. Энергия активации процесса роста фазы CuCl не меняется при переходе от стадии формирования критических зародышей к первой и затем ко второй стадии. Авторы выражают благодарность Совету по грантам Президента РФ для поддержки ведущих научных школ Российской Федерации (грант НШ-2223.2003.02).

Методами комбинационного рассеяния света и инфракрасной спектроскопии исследованы свойства кремниевых структур со скрытыми слоями карбида кремния (SiC), сформированными высокодозовой имплантацией ионов углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Также изучено влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на особенности формирования скрытого слоя SiC. Показано, что при одинаковых режимах имплантации и постимплантационного отжига скрытый слой SiC более эффективно формируется в пластинах Cz-Si либо в Si (Cz или Fz), подвергнутом дополнительной имплантации ионов кислорода. Таким образом, кислород способствует формированию слоя SiC благодаря образованию преципитатов SiOx и аккомодации объема в области формирования фазы SiC. Также обнаружен эффект сегрегации углерода и формирования аморфной углеродной пленки на границах зерен SiC.

Получены спектры полного комплекса оптических функций трех различных образцов алмаза в области 0-32 эВ. Расчеты выполнены на основе экспериментальных спектров отражения при помощи метода Крамерса--Кронига. Дан анализ особенностей спектров оптических функций и их различий для трех образцов. На основе метода объединенных диаграмм Арганда спектры диэлектрической функции впервые разложены на элементарные компоненты. Определены их энергии и силы осцилляторов. Структура компонент сопоставлена со структурой теоретического спектра диэлектрической проницаемости и ожидаемого спектра межзонных переходов. Установлено хорошее согласие полученных данных с теорией.

Приведены результаты комплексного исследования методами инфракрасного поглощения, комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса пленокSiOx, полученных термическим испарениемSiO в вакууме. Установлен характер структурных превращений, происходящих в процессе отжига пленок. Отжиг в интервале температур 300-600oC вызывает появление полосы фотолюминесценции650 нм, связанной, по-видимому, со структурными дефектами пленкиSiOx. Дальнейшее повышение температуры отжига приводит к залечиванию дефектов и затуханию полосы. Обнаружено, что преципитатыSi переходят из аморфного состояния в кристаллическое после отжига при1100oC, с чем связано возникновение новой полосы фотолюминесценции в области730 нм. Зарегистрированы спектры электронного парамагнитного резонанса Pb-центров на границах хаотически ориентированных нанокристаллитов кремнияиSiO2.

Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света, электроотражения имасс-спектроскопии нейтральных частиц (SNMS) исследованы гетероструктуры Si / SiGe / SiGe : C / SiGe / Si. Показано, что легирование углеродом (1.5%) слояSiGe, лежащего между нелегированными слоями SiGe, приводит кпочти полной релаксации внем механических напряжений. Установлено, что высокотемпературный фотонный отжиг обусловливает частичную релаксацию напряжений внижнем буферном слое SiGe, но при этом увеличивает внем концентрацию атомовSi. Низкотемпературная обработка вводородной высокочастотной плазме приводит кзначительной релаксации механических напряжений вэтом слое без изменения его компонентного состава. Результаты, полученные из спектров электроотражения испектроскопии SNMS, коррелируют сданными, полученными методом спектроскопиикомбинационного рассеяния света.

Интенсивная антистоксова фотолюминесценция наблюдалась при низких температурах в структуре CdSe/ZnSe с одиночными вставками CdSe номинальной толщины1.5 и0.6монослоев в матрице ZnSe. При возбуждении с энергией фотонов, заметно меньшей энергетического положения максимума антистоксовой полосы, получена близкая к квадратичной зависимость ее интенсивности от мощности возбуждения, а при резонансном возбуждении--- получена менее резкая зависимость. Механизм возбуждения антистоксовой фотолюминесценции интерпретирован на основе нелинейного процесса двухступенчатого двухфотонного поглощения через глубокие состояния дефектных центров, включающих катионные вакансии, локализованные на гетерогранице барьер--наноостровок.

Спектры комплексов оптических фундаментальных функций селенида бериллия получены в области 0-25 эВ. Расчеты выполнены с помощью экспериментального спектра varepsilon2(E) и интегральных соотношений Крамерса--Кронига. Наоснове метода объединенных диаграмм Арганда спектры диэлектрической проницаемости и характеристических потерь электронов разложены на элементарные поперечные и продольные компоненты. Определены их основные параметры. Полученные данные сопоставлены с теоретическими спектрами оптических функций, рассчитанными методами ОПВ иАПВ, изонами, полученными в приближении abinitioGW.