Получены спектры полных комплексов оптических функций alpha- и beta-In2Se3 в области0-20 эВ. Расчеты выполнены на основе экспериментальных спектров отражения при помощи метода Крамерса-Кронига. Дан анализ особенностей спектров оптических функций обеих фаз. На основе метода объединенных диаграмм Арганда спектры диэлектрической проницаемости и характеристических потерь электронов разложены на элементарные поперечные и продольные компоненты. Определены их основные параметры переходов. Структура компонент сопоставлена со структурой ожидаемого спектра межзонных переходов.

Проведены исследования низкотемпературной фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света вCdSe/ZnSe-наноструктурах с единичными CdSe-вставками номинальной толщиной1.5 и3.0 монослоя. Энергетическое положение полосы излучения определяется эффектом интердиффузии Cd иZn в области вставки, а ее форма--- сильным взаимодействием локализованных экситонов с оптическими фононами твердого раствора Zn1-xCdxSe-вставки. Заметную роль играют и многофононные процессы релаксации экситонов, в том числе с участием акустических фононов краев зоны Бриллюэна. Полученные результаты интерпретированы в рамках модели эффективного экситонного края подвижности.

Методами атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света исследован переход от двухмерного (2D) псевдоморфного роста к трехмерному (3D) (наноостровковому) в многослойных структурах InxGa1-xAs/GaAs, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией. Номинальная концентрация In вInxGa1-xAs варьировалась от x=0.20 до0.50. Толщина осаждаемых слоев InxGa1-xAs иGaAs составляли 14 и 70 монослоев соответственно. Показано, что при данных толщинах переход2D--3D имеет место при x>= 0.27. Установлено, что формирование квантовых точек InxGa1-xAs (наноостровков) не сводится к классическому механизму Странского--Крастанова, а существенно модифицируется процессами вертикальной сегрегации атомов In и интердиффузии атомовGa. Врезультате InxGa1-xAs может моделироваться 2Dслоем с пониженной концентрацией In (x0.60). Для многослойных сруктур InxGa1-xAs можно реализовать латеральное выстраивание квантовых точек в цепочки в направлении[ 110] и улучшение однородности их размеров.

Впервые получены полные комплексы фундаментальных оптических функций оксида цинка в области 0-30 эВ при 100 K для поляризаций E normal c и E|| c. Впервые определены спектры поперечных и продольных компонент переходов и их основные параметры (энергии максимумов Ei, полуширины полос переходов Hi, площади полосSi и силы осцилляторовfi). Расчеты выполнены с помощью синхротронных экспериментальных спектров отражения. Установлены основные особенности спектров оптических функций и компонент переходов. Они сопоставляются с известными теоретическими расчетами зон и спектров оптических функций.

Проведен численный расчет влияния компонентного состава, размеров и температурного коэффициента расширения самоиндуцированных наноостровковGe иSiGe, сформированных на кремнии, на величину их полной энергии. Рассмотрена взаимосвязь дискретных минимумов поверхностной энергии наноостровков и их формы. Учтено влияние интердиффузионных процессов, существенных при высоких температурах эпитаксии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с помощью атомной силовой микроскопии. PACS: 61.46.+w, 68.35.-p, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.60.Av

Исследованы морфология поверхности и оптические свойства многослойных структур (In,Ga)As/GaAs (100) с самоорганизованными квантовыми точками и квантовыми нитями, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что упорядоченное расположение квантовых точек в плоскости гетерограницы начинает формироваться при выращивании первых периодов многослойной структуры. При увеличении количества периодов наблюдается выстраивание квантовых точек в ряды и формирование нитей вдоль направления[0 1 1]. Повышение латеральной упорядоченности рассматриваемых структур коррелирует с увеличением оптической анизотропии излучения, обусловленной анизотропией релаксации упругих деформаций и формой нанообъектов. Обсуждается возможный механизм латерального упорядочения квантовых точек и нитей в многослойных структурах, включающий как эффекты анизотропии полей деформаций и диффузии адатомов, так и упругое взаимодействие соседних квантовых точек. PACS: 68.65.Hb, 68.65.La, 78.67.Hc, 78.67.Lt, 78.55.Cr

Валиев Р.з. Достижения и проблемы в получении объемных наноструктурных ИПД материалов с уникальными свойствами // Научная сессия МИФИ-2002. Т.9 Молекулярно-селекивные и нелинейные явления и процессы. Перспективные наукоемкие технологии. Физика, химия и компьютерная разработка материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 177

Валиев Р.з. Достижения и проблемы в получении объемных наноструктурных ИПД материалов с уникальными свойствами // Научная сессия МИФИ-2003. Т.8 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-) материалы, стр. 274

Валиев Р.з. Разработка и применение объёмных наноструктурных материалов // Научная сессия МИФИ-2007. Т.9 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Перспективные наукоемкие технологии. Физика, химия и компьютерная разработка материалов. Физическая химия растворов. Ультрадисперсные (нано-) материалы. Химическая физика, горение и детонация, стр. 206-206

В статье изложены результаты исследования микроциркуляции в патологически измененном детрузоре мочевого пузыря. Подтверждено нейротоксическое влияние ботулинического токсина. Оценена динамика микро-циркуляторных изменений в детрузоре на фоне действия ботулинического токсина