Исследована возможность применения атомно-силовой акустической микроскопии (АСАМ) для измерения упругих свойств тонкопленочных покрытий и контроля их толщины в диапазоне от единиц до сотен нанометров. Практический интерес данная методика может иметь при исследовании алмазоподобных покрытий. Главной особенностью предлагаемого подхода является применение \glqq плоских\grqq зондов, обеспечивающих постоянство площади контакта зонда с поверхностью, а следовательно, и контактной жесткости. Применение подобных зондов обусловлено тем, что стандартные зонды с закругленным острием не позволяют количественно интерпретировать экспериментальные данные при исследовании тонкопленочных структур. На основе результатов численного моделирования были получены данные, позволяющие по измеренному с помощью методики АСАМ значению контактной жесткости kcont количественно определять такие параметры, как толщину или индентационный модуль покрытия. PACS: 81.05.-t

Исследованы угловые зависимости анизотропного магнетосопротивления (АМС) в электропроводящих ферромагнитных пленках наноразмерной толщины и слоистых структурах, содержащих такие пленки и имеющих форму узких прямоугольных полосок, применяемую при изготовлении спин-туннельных магнитных переходов, обладающих гигантским магнетосопротивлением. Экспериментально показана возможность определения с помощью угловых измерений АМС основных магнитных параметров, важных при создании магнитных переходов. Определены ось магнитной анизотропии, величина магнитного поля насыщения и коэрцитивная сила в пленках пермаллоя (Py) толщиной 25 nm, в структурах пленка FeMn (15 nm)-пленка Py (10 nm), выращенных магнетронным методом на подложке из окисленного кремния и в структуре FeMn (15 nm)-Py (10 nm)-SiC (1.5 nm)-Py (10 nm), выращенной на ситалловой подложке. Обнаружено, что при одинаковых условиях нанесения слоев Py в структурах пленка FeMn-пленка Py ось магнитной анизотропии Py оказывается повернутой на 90o по отношению к оси анизотропии Py в структурах, не имеющих слоя FeMn. В структуре FeMn (15 nm)-Py (10 nm)-SiC (1.5 nm)-Py (10 nm) с использованием АМС измерена величина обменного смещения поля перемагничивания, которая хорошо согласуется с результатом измерения, выполненного индукционным методом. PACS: 75.75.+a

При температуре 1.7 K исследовано оптическое поглощение кристаллов GaAs с толщинами d=0.4-4.4 mum в области экситон-поляритонного резонанса. При уменьшении толщины наблюдается не только уширение экситонной линии, но и рост поглощения при незначительном штарковском сдвиге. Зависимость характера спектров поглощения от толщины кристалла рассматривается в рамках представления о конкуренции двух областей свето-экситонного взаимодействия в кристалле: находящейся в поле поверхностных зарядов и свободной от электрического поля.

Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов из образцов номинально чистого кристалла триглицинсульфата различной толщины. Показано, что так же как и коэрцитивное поле, пороговое поле возникновения эмиссии растет с уменьшением толщины d образца обратно пропорционально d. Работа выполнена при частичной поддержке гранта N 2801 по программе "Университеты России --- фундаментальные исследования".

Установлено, что степень излома кривой импульсного перемагничивания, определяемая как отношение коэффициентов переключения Sw1 и Sw2, соответствующих ее первому и второму участкам, уменьшается с увеличением толщины монокристаллов бората железа. Это изменение в основном обусловлено уменьшением коэффициента Sw1, величина которого обратно пропорциональна толщине образца. Для анализа полученных результатов использовалось предложенное ранее выражение tau-1=aHs-bA2, связывающее скорость перемагничивания tau-1 с амплитудой магнитного поля Hs и интенсивностью A магнитоупругих колебаний, сопровождающих импульсное перемагничивание. Обнаружено, что величина коэффициента a слабо зависит от толщины образца, в то время как коэффициент b обратно пропорционален квадрату толщины. Отсюда следует, что основная часть потерь энергии, обусловленных магнитопругими колебаниями, связана с упругими колебаниями кристаллической решетки.

Тонкие слои InN выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии на (0001) подложках сапфира. Методами двух- и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии изучалось влияние тонкого (15 nm) InN --- буфера и его температурных обработок на структурное качество выращиваемых слоев. Найдено, что предварительный высокотемпературный (900oC) отжиг буфера приводит к резкому улучшению качества выращиваемых на нем слоев. При удалении от интерфейса (~ 1 mum) снижаается плотность как вертикальных винтовых (до 1.9· 108 cm-2), так и вертикальных краевых (до 1.3· 1011 cm-2) дислокаций. Работа проводились при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 99-02-17103, 98-02-18309 и 00-02-16760).

Путем численной минимизации полной энергии магнитно-одноосной пленки с осью легкого намагничивания, лежащей в ее плоскости, в рамках строгого микромагнитного подхода и двухмерной модели распределения намагниченности исследованы структура и энергия асимметричных вихреподобных блоховских и неелевских стенок. Исследования проведены в широкой области толщин b пленок (вплоть до b=1 mum) и в широкой области изменения их магнитных параметров. Установлено, что наиболее универсальной структурой стенок в рассматриваемых пленках являются асимметричные вихреподобные стенки. Показано, что в отличие от магнитно-многоосных пленок асимметричные блоховские стенки всегда стабильны. Работа выполнена в рамках Интеграционного проекта N 34 Уральского и Сибирского отделений РАН и при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-17704 и 03-02-16185). PACS: 75.60.CR, 75.70.Ak

Показано, что в гетероструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией из металлорганических соединений при атмосферном давлении, можно управлять энергией основного перехода в квантовых точках в области, перекрывающей оба окна прозрачности оптического волокна на длинах волн1.3 и1.55 мкм, путем изменения толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InxGa1-xAs. Вэтих структурах имеет место также красное смещение энергии основного перехода в квантовой яме InxGa1-xAs в результате образования гибридной квантовой ямы InxGa1-xAs/InAs (смачивающий слой) между квантовыми точками. Вдиодах Шоттки на таких структурах обнаружено увеличение обратного тока, связанное с термоактивированным туннелированием электронов из металла на уровни квантовых точек.

Получены выражения для времени релаксации, подвижности электронов и статической электропроводности вдоль полупроводниковой квантовой проволоки, обусловленные случайным полем гауссовых флуктуаций толщины проволоки. Для невырожденной статистики носителей тока при достаточно низких температурах(T) подвижность электронов un прапорционально T1/2. Впредельном случае сильного магнитного поляH, направленного вдоль длины проволоки, в подвижности возникает множитель H-1/2. Показано, что рассмотренный механизм релаксации носителей заряда является существенным для электропроводности достаточно тонкой и чистой проволоки при низких температурах.

Проведены расчеты вольт-амперных характеристик обратно смещенной МОП структуры Al/SiO2/n-Si с учетом неоднородности распределения толщины окисла по площади при номинальной толщине 1--3 нм. Известно, что в определенном диапазоне средних толщин SiO2 характеристики имеют S-образную форму, свидетельствуя о бистабильности прибора. Предсказан сдвиг напряжений удержания и включения, связанный с наличием статистического разброса толщины. Под действием электрического стресса среднеквадратичное отклонение толщины SiO2 увеличивается; это приводит к сдвигу напряжений переключения в сторону больших значений. Расчеты дополнены экспериментальными данными. PACS: 73.40.Qv