Развита теория электронного спектра трехшаровой двухъямной закрытой сферической квантовой точки и исследована его эволюция при изменении толщины внешней шаровой ямы от нуля (стационарный спектр простой закрытой сферической квантовой точки) до бесконечности (квазистационарный спектр простой открытой сферической квантовой точки). Впервые показан механизм возникновения затухания электронных состояний в закрытой двухъямной сферической квантовой точке из-за увеличения толщины ее внешней шаровой ямы. Установлено, что физической причиной превращения стационарного спектра в квазистационарный является перераспределение вероятностей пребывания возбужденного в резонансное состояние сферической квантовой точки электрона в энергетических состояниях квазистационарной полосы во всем пространстве наносистемы. Показано, что двухъямная закрытаясферическая квантовая точка с достаточно большой толщиной внешней ямы с любой необходимой точностью воспроизводит основные свойства электрона в простой открытой сферической квантовой точке. Развитый подход, в котором был использован математический аппарат квантовой теории поля (метод функций Грина), может быть положен в основу создания отсутствующей пока теории квазистационарных спектров и теории взаимодействия квазичастиц (электроны, дырки) как между собой (экситон), так и с квантованными полями (фононы) в многослойных открытых наносистемах. PACS: 71.15.Dx, 73.21.La

Изучается влияние неоднородности распределения толщины диэлектрика на поведение туннельных МОП структур Al/SiO2/p-Si с толщиной диэлектрика 1--4 нм. Характер и степень этого влияния зависят от прикладываемого напряжения. При любых условиях наличие неоднородности толщины SiO2 увеличивает сквозные токи по сравнению с токами через однородный окисел той же номинальной толщины. Кроме того, в режиме инверсии изменяется потенциал инверсионного слоя. При расчетах учитываются туннельный перенос между зоной проводимости Si и металлом, между валентной зоной Si и металлом (в том числе в режиме инверсии--- резонансный транспорт, из-за неоднородности толщины он проявляется менее отчетливо), а также туннелирование зона--зона в полупроводнике. PACS: 85.30.Mn, 73.40.Qv, 73.40.Gk

Першенков В.с. Связь эффекта низких интенсивностей с толщиной диэлектрика // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 165-166

Кундина Ю.ф., Тютнев А.п. Методы расчета стационарного распределения полей по толщине облучаемого диэлектрика, сравнительный анализ и уточнение // Научная сессия МИФИ-2001. т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 152

Вишняков Е.м. Датчик толщины UO2(NO3)2 ТБФ и других органических слоев на поверхности электролитов // Научная сессия МИФИ-2002. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 188-189

Титов А., Ferrand D., Cibert J. Измерение толщины эпитаксиальной пленки с помощью отражательной характеристики // Научная сессия МИФИ-2003. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 97-98

Вишняков Е.м., Миляев Р.м. Датчик толщины UO2(NO3)2 2ТБФ на поверхности электролитов // Научная сессия МИФИ-2003. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 231-232

Вишняков Е.м., Миляев Р.м. Вихревая промывка датчика толщины органики на поверхности водных растворов // Научная сессия МИФИ-2004. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 269-270

Бойко А.в., Киреев В.п., Коваленко В.г., Петров В.и, Самосадный В.т. Выбор оптимальной толщины полиэтиленового радиатора для дозиметра быстрых нейтронов // Научная сессия МИФИ-2004. Т.5 Медицинская физика и техника, биофизика. Моделирование физических процессов в окружающей среде. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 136-137

Кудинов В.в., Смирнов В.в. Прохождение электронов с энергией 2-8 МэВ в алюминии, меди, олове и вольфраме и выход тормозного излучения из слоев данных материалов различной толщины // Научная сессия МИФИ-2004. Т.7 Астрофизика и космофизика. Проблемы современной математики. Физика пучков и ускорительная техника, стр. 222-223