Разработана модель Монте-Карло эпитаксии, сублимации и отжига на поверхности (111) алмазоподобного кристалла. Модель допускает существование нависающих структур и позволяет рассматривать поведение трехмерного приповерхностного слоя сложной конфигурации объемом до 107 атомных мест. Спомощью разработанной модели проведены исследования начальной стадии эпитаксиального роста на гладкой и пористой поверхностях, отжига ступенчатых и пористых поверхностей, а также рассмотрено влияние барьеров Швебеля на формирование компaктных трехмерных островков при эпитаксии в качестве одного из возможных кинетических механизмов образования квантовых точек. Исследовано поведение моноатомных ступеней на поверхностях (111) алмазоподобных кристаллов в процессе сублимации.

Впервые методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены массивы квантовых точек германия в ненапряженной гетеросистеме GaAs / ZnSe / Ge. Проведены исследования пространственных характеристик островков при помощи сканирующей туннельной микроскопии и их электронной структуры методом рамановской спектроскопии.

Спомощью трехмерной модели Монте-Карло исследовалось влияние моновакансий на диффузионный обмен между ступенями на поверхности (111) алмазоподобного кристалла впроцессе сублимации. Определялась критическая ширина террас Lcr (расстояние от края ступени до ближайших устойчивых вакансионных островков) взависимости от соотношения энергий образования адатома на гладкой террасеEn идесорбции адатома стеррасыEd при сохранении суммы этих энергий Esub=En+Ed, которая характеризует сублимацию вещества. На полученных зависимостях Lcr(En) имеется четко выраженный максимум. Предложена формула, хорошо описывающая зависимости Lcr(En) при различных величинахEsub. Экстраполяция зависимости Lcr(En) для значения Esub=4.2 эВ, характерного для кремния, позволила провести сравнение модельных результатов сэкспериментальными данными других авторов. Предложено объяснение трехкратного увеличения ширины террас, наблюдаемое экспериментально вобласти температур1500 K.

Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики фототока при T=4.2 и300 K в ненапряженной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Al с туннельно-прозрачными слоями ZnSe и Ge-квантовыми точками. При комнатной температуре без освещения на вольт-амперных характеристиках наблюдались особенности типа \glqq кулоновской лестницы\grqq. На основе анализа экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры. Втранзисторной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/p-Ge с каналом из p-Ge и с плавающим затвором из Ge-квантовых точек при освещении светом разного спектрального состава наблюдалось как увеличение, так и уменьшение полного тока канала. Указанные изменения тока канала связаны с захватом положительного и отрицательного заряда на квантовых точках при разных оптических переходах. Накопление заряда ведет к изменению состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии и либо уменьшает, либо увеличивает полный ток.

Начальные стадии роста слоевGe иSi на сингулярной поверхностиSi(111) демонстрируют необычную морфологию ростовой поверхности при осаждении с низкой скоростью: образование треугольных островков высотой до трех атомных слоев. Спомощью моделирования по методу Монте-Карло показано, что дополнительный барьер 0.5-0.6 эВ для встраивания атомов на димеризованные связи на краях треугольных островков приводит к ускоренному росту островков в высоту и к изменению ориентации треугольников. Предложена гипотеза, объясняющая начальный рост многослойных островков и ограничение их высоты тремя бислоями влиянием краевых димеров, ориентация которых изменяется при достижении ступенью, перпендикулярной направлениям< 1 1 2>, высоты в 3бислоя. Спомощью сканирующей туннельной микроскопии обнаружены новые особенности атомной структуры регулярных трехбислойных ступеней на поверхностиSi(557). Результаты анализа изображений, полученных на сканирующем туннельном микроскопе, подтверждают гипотезу о формировании ряда димеров на краю трехбислойной ступени.

Александров В.м., Орловский В.г. Метод компенсации неизвестных ошибок инерциальных навигационных систем // Научная сессия МИФИ-2001. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии. Параллельные вычислительные технологии, стр. 110-111

В работе предложен алгоритм кластеризации данных, основанный на пошаговой оптимизации критерия качества разбиения Q.

В представленной статье рассматриваются некоторые спорные вопросы становления раннего государства в средневековой Европе.

Мищанина Т.А. Знак как гносеологическая конструкция в познании неизвестного : автореф. дис. ... канд. филос. наук : 09.00.01. - M, 2009.

Овчинников П.Е. Методы обнаружения и детектирования сигналов с априорно неизвестными статистическими свойствами с применением искусственных нейронных сетей : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03. - M, 2009.