Проведены акустические исследования процессов кристаллизации и плавления галлия, введенного в опалоподобную матрицу. Обнаружены гистерезисные зависимости скорости и поглощения продольных ультразвуковых волн при фазовых переходах в alpha- и beta-модификациях. Показано, что акустические методы не регистрируют плавление и кристаллизацию в тетрагональной фазе галлия, образующейся в условиях ограниченной геометрии. Получены экспериментальные факты, свидетельствующие в пользу гетерогенной кристаллизации галлия в порах.

Осуществлено теоретико-полевое описание критического поведения слабо неупорядоченных систем с p-компонентным параметром порядка. Непосредственно для трехмерных систем в двухпетлевом приближении проведен ренорм-групповой анализ эффективного репличного гамильтониана модели с потенциалом взаимодействия, не являющимся реплично-симметричным. Для случая одноступенчатого нарушения репличной симметрии с применением техники суммирования Паде--Бореля выделены фиксированные точки ренорм-групповых уравнений. Их анализ выявил устойчивость критического поведения слабо неупорядоченных систем относительно эффектов нарушения репличной симметрии с реализацией прежнего сценария влияния дефектов структуры на критическое поведение данных систем. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16455).

Приготовлены образцы нанокомпозита \glqq опал+HgSe\grqq с 100% заполнением пустот первого порядка опала селенидом ртути. В интервале температур T=5-200 K измерены эффективные теплопроводность (varkappaeff) и удельное электросопротивление (rhoeff), а в интервале 80--300 K --- коэффициент термоэдс (alpha). Показано, что величина alpha HgSe в опале остается такой же, как и в объемных образцах селенида ртути с близкими значениями концентраций носителей тока. При этом у HgSe в опале не изменяется и механизм рассеяния носителей тока. Из varkappaeff и rhoeff выделены полная теплопроводность (varkappa0tot), удельное электросопротивление (rho0) и определены электронная (varkappa0e) и решеточная (varkappa0ph) составляющие теплопроводности для HgSe в опале. Во всем исследованном интервале температур (5--200 K) величина varkappa0ph оказалась значительно меньше, чем varkappaph для объемного HgSe с той же концентрацией носителей тока. При T>20 K такое поведение varkappa0ph(T) объясняется наличием специфических примесей и дефектов, возникающих в HgSe, а при T

Исследовалось влияние плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) в образцах Si n- и p-типа. Показано, что приложение электрического поля к образцу в процессе облучения влияет на зависимость varphi(eta) только в кристаллах Si n-типа, что объясняется зарядовым состоянием пар Френкеля в момент образования при низких энергиях облучения.

Исследовалось влияние концентрации основных носителей тока (n) и плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) вобразцах n-Si. Показано, что зависимость eta(varphi) имеет максимум, который сувеличениемn смещается всторону больших значенийvarphi. Наблюдаемый эффект объясняется существованием оптимального соотношения между концентрациями первичных радиационных дефектов, образующихся вединицу времени, изаряжающих их свободных носителей тока.

Приведены результаты исследований физических процессов, вызывающих возникновение рекомбинационной неустойчивости тока вкремниевых эпитаксиальных p+-n-структурах слокальным контактом на n-области структуры, получаемым посредством введения примесных атомов, создающих взапрещенной зоне кремния глубокие энергетические уровни. На основе исследования неустойчивости тока определены параметры (плотность, энергетическое положение, сечение захвата электрона) глубоких центров, создаваемых вкремнии оловом, свинцом, кадмием иникелем.

Проведены исследования эффективности введения донорных центров в кислородсодержащем Si при термообработках при 450oC после предварительной гидрогенизации в плазме водорода и облучения gamma-квантами 60Co. Показано, что максимальная скорость введения донорных центров наблюдается в образцах, содержащих водород в атомарной форме. Облучение Si gamma-квантами 60Co с предварительно гидрогенизированным в плазме водорода слоем приводит к высвобождению атомарного водорода из связанных состояний. Это повышает скорость введения донорных центров при последующих термообработках при 450oC. PACS: 81.40.Ef, 81.40.-g, 61.80.Ed, 73.30.+y

Сцелью изучения влияния температуры облученияTirr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией2 МэВ винтервале Tirr=20-400oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600oC. Измерения проводились методом Холла в интервале77-300 K. Показано, что эффективность введения радиационных дефектов с высокой термостабильностью (Tann>=350oC) достигает максимума при Tirr=150oC. Наблюдаемый эффект объясняется образованием мультивакансионных дефектовPV2 на базе ионизированных E-центров и неравновесных вакансий. PACS: 71.55.Cn, 72.15.Gd, 61.80.-x, 61.72.Cc

Исследовалась возможность увеличения интенсивности внутрицентровых переходов ионаEu в кристаллахGaN путем введения дополнительной примеси для изменения локального окружения редкоземельного иона. Вюрцитные кристаллы p-GaN исходно были легированыMg, а затем--- европием. Введение дополнительной примесиZn приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции в области 3580-4250 Angstrem и в длинноволновой области спектра5400-6237 Angstrem. Это можно объяснить проявлением сенсибилизации люминесценции оптически-активных внутрицентровых f-f-переходов Eu3+ вследствие введения дополнительной примеси, способствующей образованию комплексов редкоземельного иона с большим сечением захвата носителей заряда. PACS: 61.72.Vv, 61.72.Yx, 78.47.+p, 78.55.Cr

Показано, что влияние на спектр люминесценции легирующих примесей определяется типом проводимости исходных кристалловGaN. Эффект сенсибилизации излучения наблюдается в вюртцитных кристаллахGaN с p-типом проводимости при легированииEr. Такой же эффект наблюдался в таких кристаллах ранее при легированииEu, Zn. Вкристаллах GaN с n-типом проводимости, последовательно легированныхEu, Zn, Er, наблюдается излучение в видимой (lambda=360-440, 530-560 нм) и инфракрасной областях (lambda=1.54 мкм) спектра. PACS: 78.55.Cr, 61.72.Vv