Изучена проблема стабильности свойств слоев пористого кремния. Представлен термодинамический анализ электрохимических процессов, протекающих при анодном растворенииSi. Предложено новое описание электродной реакции взаимодействия кремния с плавиковой кислотой. Показано, что водородная пассивация поверхности Si определяет равновесный потенциал растворения кремниевого электрода. Проведенные термодинамические расчеты указывают на возможность замещения химически и термически нестабильных поверхностных групп типа SiHx более стабильными кремний-кислородными соединениями непосредственно в процессе формирования пористого Si в электролитах с добавлением сильных галогеноводородных кислот. Полученные результаты позволили с позиций термодинамики объяснить стабилизирующее влияние добавки HCl в электролиты для формирования пористого Si на его химические и физические свойства.

Исследованы распределение заряженных центров N(w), квантовый выход излучения испектры люминесценции голубых изеленых светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN / AlGaN / GaN. Множественные квантовые ямы InGaN / GaN были модулированно легированы донорамиSi вGaN-барьерах. Концентрации доноров иакцепторов на границах перехода, определенные гетеродинным методом динамической емкости, были порядка NA>=1·1019 см-3>> ND>=1·1018 см-3. Функции N(w) имели максимумы иминимумы, спериодом 11-18 нм (±2-3 нм). Построена энергетическая диаграмма структур. Сдвиги спектральных максимумов сизменением тока (J=10-6-3·10-2 А) малы (3-12 мэВ для голубых и20-50 мэВ для зеленых диодов), меньше, чем для диодов снелегированными барьерами (до150 мэВ). Это объясняется экранированием пьезоэлектрических полей вямах электронами. Квантовый выход излучения взависимости от тока коррелирует сраспределением зарядов иособенностями вольт-амперных характеристик диодов.

Проведено легирование медью монокристаллических пленок ZnO высокого качества путем термической диффузии, и исследованы их люминесцентные свойства методом катодолюминесценции. Легирование медью приводит к увеличению интенсивности зеленой полосы спектра катодолюминесценции, положение максимума, ширина и форма которой при 78 и 300 K остаются неизменными. При 4.2 K в зеленой полосе катодолюминесценции легированных образцов регистрируется четко выраженная фононная структура с энергией фононов 72 мэВ, при этом фононные пики имеют триплетную тонкую структуру вместо обычно наблюдаемой дублетной. Это объясняется излучательной рекомбинацией образованных на атомах меди акцепторных экситонов, взаимодействующих с каждой из подзон валентной зоны ZnO. На основе анализа экспериментальных данных по катодолюминесценции пленок и результатов сравнительных исследований люминесценции и электронного парамагнитного резонанса в монокристаллах делается вывод о причастности обычно присутствующей в ZnO неконтролируемой примеси меди к формированию зеленой люминесценции в этом материале.

С использованием методов оже-электронной спектроскопии, атомно-силовой и растровой электронной микроскопии исследованы свойства самоорганизованных квантовых точек SiGe, впервые сформированных с использованием метода ионно-лучевого синтеза. Обнаружено, что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия, в результате чего образуются области нанометровых размеров, обогащенные германием, в которых его концентрация на 10-12% выше, чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свойства слоев с квантовыми точками SiGe исследовались с помощью методов комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Обнаружен интенсивный пик фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1.54-1.58 мкм при комнатной температуре.

Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xGexTe (x=0.06, 0.08), легированных галлием. Получена зависимость энергии активации глубокого примесного уровня галлия от давления, и показано, что его положение относительно дна зоны проводимости практически не изменяется под давлением. Натемпературных и барических зависимостях удельного сопротивления обнаружены аномалии, связанные, по-видимому, со структурными фазовыми переходами из кубической в ромбоэдрическую и орторомбическую фазы соответственно. Полученные результаты использованы для построения диаграммы перестройки энергетического спектра носителей заряда в кубической фазе исследованных сплавов под действием давления.

Исследованы оптические свойства слоев пористого GaAs, полученных методом электрохимического травления монокристаллических пластинGaAs(100) n- иp-типа проводимости. Показано, что форма нанокристаллов, их средний диаметр и поверхностные состояния зависят от типа проводимости исходного кристалла. Обнаружено смещение пиков, соответствующих основным оптическим фононам, в низкочастотную область спектров комбинационного рассеяния света. Значения частот колебаний поверностных фононов, полученные из спектров комбинационного рассеяния света и спектров отражения в инфракрасном диапазоне длин волн, совпадают. При переходе от объемного GaAs к его пористой модификации изменяются формы спектральных зависимостей коэффициента отражения в области фононного резонанса, что обусловлено появлением дополнительных осцилляторов, связанных с пространственно ограниченными решеточными колебаниями в нанокристаллах GaAs. Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование морфологии поверхности образцов пористого GaAs, полученных на подложках n-типа проводимости. Наблюдался наноразмерный рельеф поверхности. Оценки значений среднего диаметра нанокристаллов GaAs, сделанные по результатам комбинационного рассеяния света, инфракрасной спектроскопии, фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии, хорошо согласуются друг с другом.

Исследованы электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xSnxTe (x=0.09-0.21), легированных галлием. Обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, указывающие на стабилизацию уровня Ферми резонансным уровнем галлия, расположенным в зоне проводимости. По экспериментальным данным в рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от состава сплава и температуры. Показано, что положение резонансного уровня галлия относительно потолка валентной зоны практически не зависит от состава матрицы, и получена зависимость термического коэффициента движения резонансного уровня относительно середины запрещенной зоны от состава сплава. PACS: 71.20Nr, 71.55.Ht

Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплава n-Pb1-xSnxTe (x=0.21), легированного галлием. Обнаружены уменьшение концентрации свободных электронов с ростом температуры и увеличение концентрации при увеличении давления, свидетельствующие о стабилизации уровня Ферми резонансным уровнем галлия. Врамках двухзонного закона дисперсии Кейна по экспериментальным данным рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от давления. Предложена диаграмма перестройки энергетического спектра носителей заряда в Pb1-xSnxTe : Ga под давлением, и определена скорость движения резонансного уровня галлия относительно середины запрещенной зоны под действием давления. PACS: 71.20.Nr, 71.55.-i, 72.20.My

Изучено влияние рекомбинационных и краевых потерь неравновесных квазичастиц на энергетическое разрешение сверхпроводящих туннельных детекторов. Для детекторов Ti/Nb/Al/AlOx/Al/Nb/NbN с пассивным электродом Ti/Nb измерена зависимость сигнала от энергии рентгеновских квантов и изучена форма аппаратурных линий. Проведен анализ экспериментальных данных на основе диффузионной модели туннельных детекторов. PACS: 29.40.Wk, 74.45.+c, 74.78.Fk

Казанцева И.В. ОСОБЕННОСТИ КЛИНИКИ И НЕВРОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЯВЛЕНИЙ ПАТОЛОГИЧЕСКОЙ ИЗВИТОСТИ МАГИСТРАЛЬНЫХ АРТЕРИЙ ГОЛОВЫ (клиника, патогенез и профилактика ишемических нарушений мозга) : автореф. дис. ... канд. мед. наук : 14.00.13. - M, 2010.