Измерен отклик по напряжению болометра на горячих электронах в тонкой пленке нормального металла структуры сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор- сверхпроводник (СИНИС) на излучение высокотемпературного джозефсоновского перехода в терагерцовом диапазоне. Болометры были интегрированы с планарными логопериодическими и двойными дипольными антеннами, а джозефсоновские переходы интегрированы с логопериодическими антеннами. Измерения показали, что джозефсоновский переход, находящийся при 260 мК, перегревается транспортным током и электронная температура превышает 3 К при напряжении смещения 1 мВ. Максимум отклика болометра с двойной дипольной антенной наблюдался на частоте 300 ГГц, которая соответствует расчетной. Джозефсоновское излучение наблюдалось на частотах до 1.7 ТГц. Отклик болометра по напряжению достигает 4cdot108 В/Вт , полная мощность, эквивалентная шуму 1.5cdot10-17 Вт/Гц1/2.

Обсуждается взаимозависимость плотности сверхпроводящего конденсата rho s(Tto0) и критической температуры сверхпроводящего перехода Tc в недодопированных ВТСП системах. Показано, что линейная связь rho s(0) и Tc, наблюдавшаяся в ряде экспериментов, может быть легко объяснена в рамках обычной модели Бардина--Купера--Шриффера (БКШ) без привлечения каких-либо экзотических моделей сверхпроводимости.

Исследовано удельное электросопротивление двух кристаллических фаз ударно-сжатого кальция и его расплава в области высоких давлений (10--50 ГПа) и температур (800--1600 К). Построены линии термодинамического равновесия между различными фазами кальция и определен ход ударных адиабат в области их пересечения с линиями равновесия. Показано, что наблюдавшийся ранее в ударных экспериментах резкий излом ударной адиабаты связан не со скачкообразным электронным переходом, а именно с пересечением адиабаты с линией равновесия твердых фаз и кривой плавления. Методом функционала электронной плотности выполнены расчеты электронного спектра кристаллических фаз кальция; результаты этих расчетов использованы для объяснения наблюдаемых в работе особенностей поведения электросопротивления Ca при сжатии.

Описаны три принципиально новых экспериментальных прототипа оптоволоконных схем квантовой криптографии, которые существенно проще имеющихся, более устойчивы в работе, содержат меньшее число оптических оптоволоконных компонентов и не требуют подстройки во время генерации ключа. Данные криптосистемы естественно назвать квантовой криптографией на временных сдвигах. Данные схемы реализуют протокол B92 и используют в качестве информационных состояний пару неортогональных однофотонных квантовых состояний. Одна из схем не использует оптоволоконных интерферометров типа Маха--Цандера, что позволяет естественным образом реализовать мультиплексный режим передачи секретного ключа.

С помощью уравнения состояния SAHA-S проведены обширные расчеты термодинамических функций слабонеидеальной плазмы в условиях, характерных для звездных недр. Это позволило с высокой точностью изучить влияние содержания тяжелых элементов на адиабатическую сжимаемость в недрах Солнца. Сопоставление модельных расчетов с последними данными гелиосейсмологии позволяет уточнить состав солнечной плазмы и утверждать, что включение дополнительных компонентов в состав примесей тяжелых элементов является необходимым условием согласования теоретического уравнения состояния с результатами анализа солнечных колебаний.

На различных ступенях нагрева до 550 circС в вакууме измерены массд спектры газов, выделяющихся из однослойных углеродных нанотрубок, насыщенных дейтерием под давлением 5 ГПа при температурах до 500 circС (10.8 масс. % D). Обнаружено, что при температурах до 400 circС в спектрах преобладают углеводороды, а при 500т 550 circС главными компонентами спектров становятся молекулы D2 и HD. Изменение спектров с температурой согласуется с существующим предположением о том, что основная часть водорода в гидрированных под давлением и возвращенных к нормальным условиям однослойных углеродных нанотрубок (ОНТ) присутствует в молекулярной форме. Низкие температуры выхода углеводородов свидетельствуют о меньших кинетических барьерах на пути выхода углеводородов по сравнению с молекулами D2. Анализ формы спектральных пиков показывает высокую гидрофильность гидрированных ОНТ, в то время как сорбция кислорода из атмосферы по сравнению с сорбцией воды незначительна.

Проведено комплексное исследование магнитных, электрических, магнитоэлектрических и магнитоупругих свойств монокристаллов GdMnO3 в области низких температур в сильных импульсных магнитных полях до 200 кЭ. Обнаружена аномалия диэлектрической постоянной вдоль оси a кристалла при 20 К, где наблюдается переход из несоразмерной модулированной в скошенную антиферромагнитную фазу, а также индуцированная магнитным полем H| b (Hrm crsim 40 кЭ) электрическая поляризация вдоль осей a и b кристалла. При охлаждении кристалла в электрическом поле индуцированная магнитным полем электрическая поляризация изменяла знак в зависимости от знака электрического поля. Возникновение электрической поляризации сопровождалось анизотропной магнитострикцией, что указывает на корреляцию магнитоэлектрических и магнитоупругих свойств. На основании полученных результатов установлено, что GdMnO3 принадлежит к новому семейству сегнетомагнетиков со структурой перовскита.

Зарегистрированы спектральные максимумы параметрического рентгеновского излучения при взаимодействии умеренно релятивистских протонов с различными кристаллами. Положения максимумов излучения в спектрах зависят от угла ориентации кристалла и соответствуют теоретическим значениям. Измерения выполнены c кристаллами кремния и графита на пучке протонов 5 ГэВ Нуклотрона ЛВЭ ОИЯИ.

При спекании под давлением 7.7 ГПа и температуре 1973 К синтетических алмазных порошков, предварительно покрытых пленкой ниобия, получены сверхтвердые сверхпроводящие образцы с критической температурой Tc=12.6 К. А при спекании под давлением 7.7 ГПа и температуре 2173 К порошков алмаза и молибдена~-- сверхтвердые сверхпроводники с Tc=9.3 К. Показана возможность получения сверхпроводящих образцов в системе алмаз--MgB2 и кубический нитрид бора (КНБ)--MgB2, с Tc=36.1div 37.5 К.

Измерена электропроводность кристаллов фуллерена С60 в условиях квази-энтропического нагружения размытой ударной волной до давления 30 ГПа при комнатной температуре. Обнаружено немонотонное поведение электропроводности образцов при увеличении давления: сначала электропроводность растет на много порядков, а затем быстро падает. Увеличение электропроводности объясняется уменьшением ширины запрещенной зоны под давлением, тогда как уменьшение электропроводности можно объяснить в предположении, что энергетический барьер для полимеризации С60 понижается с ростом давления примерно в той же мере, что и ширина запрещенной зоны. В результате, при высоких давлениях резко (более чем на 7 порядков) увеличивается скорость полимеризации С60.