Обсуждается эффективность магнитного пиннинга вихрей в слоистой системе одноосный ферромагнетик--сверхпроводник второго рода. Показано, что независимо от величины намагниченности насыщения ферромагнетика энергия пиннинга на доменной структуре по порядку величины не превышает энергию искусcтвенного пиннинга на дефекте типа колонны. Ограничение энергии пиннинга вызвано взаимодействием внешних вихрей со спонтанной вихревой решеткой, появляющейся в сверхпроводящей пленке при намагниченности ферромагнитной пленки, превышающей критическую. Работа выполнена при финансовой поддержке Польского комитета научных исследований и фонда МНТЦ (грант 1522).

Получены члены фонон-фазонной динамической матрицы икосаэдрического квазикристалла, имеющие четвертую степень по компонентам волнового вектора. В этой степени динамическая матрица имеет девять независимых коэффициентов: три фонон-фононных, три фазон-фононных и три фазон-фазонных. Фононный блок построенной динамической матрицы имеет на один независимый коэффициент больше, чем в случае изотропной среды. Обсуждаются соответствующие особенности дисперсии акустических фононов в i-AlPdMn сплаве. Показано, что при учете членов четвертой степени интенсивность диффузного рассеяния вблизи брэгговских рефлексов спадает по закону типа alpha/(q2+beta q4), где q --- расстояние до рефлекса в обратном пространстве, а коэффициенты alpha и beta зависят от направления вектора q. Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность Российскому фонду фундаментальных исследований за материальную поддержку.

Впервые представлена теория эффектов генерации второй гармоники и полного (пространственного и временного) выпрямления волн пространственного заряда (ВПЗ) в фоторефрактивных кристаллах и полуизолирующих полупроводниках. Теория предсказывает два механизма возбуждения второй гармоники ВПЗ. Предложена методика эксперимента для регистрации второй гармоники и получены необходимые формулы для интерпретации экспериментальных данных. Установлено, что эффект полного выпрямления ВПЗ может приводить к изменению тока, протекающего через образец, на десятки процентов. Результаты расчетов находятся в качественном согласии с предварительными экспериментами. Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант 02-02-17603.

Построена теория нелинейного взаимодействия электромагнитных волн в полуограниченной периодической диэлектрической структуре на примере возбуждения второй гармоники. Пердполагается, что один из слоев, образующих период, обладает нелинейной поляризацией. Методика анализа представляет собой развитие теории возмущений; она основана на формуле Грина. Показано, что условия синхронизма для взаимодействующих волн соответствуют размерным резонансам на отдельных слоях или на периоде структуры. Из приведенного рассмотрения следует, что наибольшая эффективность взаимодействия имеет место на границах полос пропускания при резонансе на полном периоде. Показано, что при таком резонансе условия синхронизма выполняются не для одной частоты, а для спектра частот. Это позволяет пpеобразовывать спектры из одной области частот в другую.

Методом генерации оптической второй гармоники детектировался сегнетоэлектрический фазовый переход D2h-C2v в кристаллах гептагерманата лития Li2Ge7O15 (LGO). Наблюдался сдвиг температуры фазового перехода Tc с 10 до 6oC при введении в образцы примеси хрома (0.05%). В нанокристаллических образцах LGO появление сигнала второй гармоники в сегнетофазе наблюдать не удалось. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ N 05-02-17777. PACS: 77.84.-s, 42.70.Mp

Проведено экспериментальное исследование излучательной рекомбинации экситонов вdelta-легированных сверхрешетках второго рода GaAs/AlAs. Обнаружено, что при увеличении концентрации примеси в delta-слоях от2· 1010 до7.5· 1011 см-2 наблюдается уменьшение интегральной интенсивности фотолюминесценции сверхрешеток в4-6раз при значительном (до70-80раз) падении интенсивности экситонной фотолюминесценции, сопровождаемом ростом темпа излучательной рекомбинации экситонов. При однородном легировании сверхрешетки тушения экситонной фотолюминесценции не наблюдается. Исследование температурной зависимости и кинетики фотолюминесценции показало, что концентрационное тушение экситоной фотолюминесценции в delta-легированных структурах не связано с уменьшением энергии локализации экситонов и не может быть объяснено увеличением концентрации центров безызлучательной рекомбинации. Мы заключаем, что основной причиной примесного тушения фотолюминесценции являются индуцированные ионизованными примесями встроенные электрические поля, препятствующие образованию экситонов.

Сконструированы гетеролазеры InGaAs/GaAs/InGaP с асимметрично расположенными квантовыми ямами двух типов и экспериментально исследованы их двухчастотная генерация и генерация вторых гармоник, впервые реализованные в широком диапазоне токов от0.2 A при постоянной накачке до более чем 10 A при импульсной 200-наносекундной накачке. Обнаружены неизвестные ранее особенности подобной генерации, и дана их физическая интерпретация, основанная на анализе конкуренции и сосуществования различных коротковолновых и длинноволновых мод лазера включая моды \glqq шепчущей галереи\grqq.

Изучается проблема оптимизации для интенсивности поля излучения второй гармоники на слое с наноструктурой в виде двойной квантовой ямы. Выявлены значения параметров ямы, обеспечивающих режим двойного резонанса. Проведено исследование зависимости оптических характеристик системы от параметров ямы. Рассмотрена задача оптимизации интенсивности поля излучения второй гармоники. Показано, что максимальное преобразование излучения получается при наибольшем значении коэффициента генерации второй гармоники. PACS: 78.67.De

Проведено экспериментальное исследование кинетики низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к ускорению кинетики фотолюминесценции свободных и локализованных экситонов и фононных повторений, не зависящему от длительности импульса прикладываемого электрического поля. Анализ экспериментальных зависимостей показал, что ускорение кинетики фотолюминесценции связано с транспортом экситонов к центрам безызлучательной рекомбинации, инициированным взаимодействием экситонов с горячими свободными носителями заряда, выброшенными с локализованных состояний. PACS: 61.82.Fk, 68.65.Cd, 73.50.Gr

Археологические древности в провинциальной исторической мысли европейской России второй половины XVIII - начала XX вв. : автореф. дис. ... канд. истор. наук : 07.00.09 / В. А. Антонов ; Нижегор. гос. архитектур.-строит. ун-т. - Н. Новгород, 2005. - 24 с.