Получено выражение для структурных факторов однокомпонентного и двухкомпонентного конденсата Бозе--Эйнштейна нейтральных атомов в сферически-симметричной гармонической ловушке. Использованный подход применим в пределе малых энергий возбуждения, где имеет место известное в литературе дисперсионное соотношение, выведенное Стрингари. Полученное нами выражение сравнивается с квазиклассическим, которое, как показано, дает завышенную оценку для структурного фактора. Обоснованы выводы о том, что присутствие конденсата второй компоненты приводит, во-первых, к расщеплению частоты коллективных колебаний конденсата, которая соответствует переданной при рассеянии энергии, на две ветви, а во-вторых, --- к умножению однокомпонентного структурного фактора на некоторый коэффициент, который может быть больше единицы. Проведенный анализ используется для оценок свойств экспериментально реализованного двухкомпонентного конденсата атомов 87Rb.

Представлена численно-аналитическая модель электронно-оптической системы широкоапертурного ускорителя. В рамках модели проводится анализ различных электронно-оптических факторов, влияющих на коэффициент вывода пучка. Для определения путей повышения коэффициента вывода рассчитаны пространственные и угловые характеристики пучка в различных его сечениях. Впервые детально исследовано влияние магнитного поля тока накала катодов.

Проведен феноменологический анализ магнитных и структурных фазовых состояний, наблюдающихся в сплавах на основе арсенида марганца в широком интервале температур и давлений. Экспериментально обнаружены особенности реализации уникальных фазовых переходов 1-го рода из парамагнитного и метамагнитного состояний в ферромагнитное, обусловленные магнитострикционной блокировкой процесса зародышеобразования при условии отсутствия границы лабильности парамагнитной фазы и термодинамического "запрета" на переход из метамагнитного состояния. Предложена модель фазового поведения сплавов на основе арсенида марганца, последовательно учитывающая взаимосвязь их магнитных, структурных и упругих свойств, а также специфику смены фазовых состояний в реальных кристаллах.

Теоретически проанализировано соотношение между прочностью и пластичностью конструкционных материалов на примере кривых деформационного упрочнения ряда металлов и сплавов с ГЦК-решеткой. В основу теоретического анализа положен критерий образования шейки на растягиваемом образце, а также кривая деформационного упрочнения, отражающая эволюцию плотности дислокаций в материале с ростом степени деформации и влияние на эту эволюцию структурных факторов. Получены теоретические соотношения для величины равномерной деформации и условного предела прочности и рассмотрено влияние на них энергии дефектов упаковки, твердорастворного упрочнения и измельчения зерен.

На примере меди теоретически рассмотрено влияние облучения на кривые растяжения и стабильность деформации радиационно-упрочненных металлов. Анализ базируется на уравнении эволюции плотности дислокаций с деформацией в пластически деформируемом материале. Неустойчивость деформации на начальной стадии кривых растяжения обусловлена сильной локализацией деформации на микроуровне в результате превращения неподвижных радиационных дефектов (вакансионных и межузельных петель) в подвижные дислокации. Из-за каналирования большого числа дислокаций вдоль плоскостей скольжения на кривых напряжения-деформация возникают зуб и площадка текучести. Найдены критические условия их появления и теоретические зависимости длины площадки текучести и величины равномерной деформации до образования шейки от дозы облучения.

Проведен анализ формы спектров спонтанного излучения квантово-размерных структур InGaAs в широком интервале тока при 4.2/ 286 K. Дана интерпретация формы полосы для переходов между низшими подзонами с помощью модифицированного форм-фактора однородного уширения, обсуждается природа его не-лоренцева контура. Обсуждаются свойства семейств функций, представляющих главный переход от лоренцева форм-фактора до гауссова. Они могут быть пригодны для моделирования спектров при не-марковской столкновительной релаксации.

Предложена и реализована новая методика экспериментального определения дифференциального усиления и дисперсии коэффициента амплитудно-фазовой связи в полупроводниковых инжекционных лазерах. Спомощью этой методики найдены значения alpha-фактора и дифференциального усиления для квантово-размерных полупроводниковых лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной квантовой ямой в широком спектральном диапазоне (от 957 до 996 нм) при разных плотностях тока накачки (от 280 до 850 А/см2). Впервые для InGaAs-лазеров экспериментально найден коэффициент, характеризующий дисперсию групповой скорости и ограничивающий минимальную длительность импульса генерации на уровне 10-13 с.

Проведен теоретический анализ характеристик многоостровковых одноэлектронных цепочек взависимости от параметров конструкции, материалов, фонового заряда итемпературы окружающей среды спомощью разработанной модели, основанной на решении уравнения Пуассона ииспользовании метода Монте-Карло. Показано, что основным параметром, определяющим температурную стабильность эффекта кулоновской блокады, является высота потенциального барьера туннельных переходов. Исследования трех систем материалов (Co--Al--O; Au--Al2O3; Cr--Cr2O3) показало, что наиболее предпочтительны по рабочей температуре многоостровковые одноэлектронные цепочки на Co--Al--O, анаименее--- на Cr--Cr2O3.

Рассмотрен дрейф вырожденных 2D электронов по каналу потенциальной ямы гетероперехода. Вквантующем магнитном поле B электроны сканируют дефекты гетерограницы, что возмущает их импульсно-энергетическое равновесное состояние (T, T0D). Стационарное неравновесное состояние (T, T*D) достигается электрон-фононной релаксацией по энергии и импульсу. Экспериментальная нелинейная зависимостьTD(T) объяснена примешиванием деформационных акустических фононов к взаимодействию2D электронов с пьезоэлектрическими фононами.

Наблюдалось спиновое расщепление нулевого уровня Ландау для верхней подзоны размерного квантования с энергией дна зоныEp в осцилляциях магнитосопротивления гетеросистемы Al0.28Ga0.72As(Si)Ga/As. Явление связано с межподзонными переходами электронов из нижней, основной Em-подзоны размерного квантования на опустошенные магнитным полем состояния верхней Ep-подзоны. Найдена величина фактора спектроскопического расщепления электронов Ep-подзоны: |g|=8.2-12.2 для концентрации в диапазоне np=(0.52-1.04)· 1011 см-2. PACS: 73.63.Hs, 7547.-m, 72.15.Gd