Рассмотрена тонкая структура оптических вихрей в возмущенном сингулярном пучке после системы одноосный кристалл--поляризационный фильтр. Обсуждается методика измерения относительного веса парциальных вихрей, входящих в состав возмущенного вихря. Представлена зависимость относительного веса парциальных вихрей от величины смещения возмущенного вихря относительно оси пучка.

Предложен волноводный метод определения коэффициента поглощения, показателя преломления и толщины тонких пленок, основанный на регистрации угловой зависимости энергетического коэффициента отражения светового пучка в схеме призменного устройства связи. Рассмотрено применение метода для исследования характеристик тонкопленочных волноводов, диэлектрических покрытий и металлических пленок.

Разработана магнитооптическая установка Керра для исследования динамических свойств доменных границ в тонких ферромагнитных пленках во внешних магнитных полях в температурном интервале 20-150oC. В установке реализован метод прерываемого намагничивания с визуализацией магнитной структуры на основе меридионального эффекта Керра. Изображение доменной структуры выводится на монитор персонального компьютера с помощью высокоразрешающей цифровой видеокамеры Nikon DXM 1200. Разработанное программное обеспечение позволяет автоматизировать процессы измерения и обработки экспериментальных данных.

Решение задачи о проникновении магнитного поля в идеально проводящую незамкнутую эллипсоидальную оболочку в присутствии проводящей толстостенной сферической оболочки сведено к решению интегрального уравнения Фредгольма второго рода. Численно исследовано влияние угла раствора незамкнутой эллипсоидальной оболочки, некоторых геометрических параметров экранов и электрофизических свойств материала сферической оболочки на коэффициент ослабления поля внутри эллипсоидальной оболочки. PACS: 41.20.-q

Экспериментально и теоретически изучен процесс зарождения и роста островков новой фазы на поверхности твердых тел на примере фазового перехода из пирохлорной фазы в перовскитовую в тонкой пленке сегнетоэлектрика цирконата-титаната свинца. Данное превращение выбрано потому, что островки новой фазы в этом случае имеют устойчивую круглую форму, относительно большие размеры (10-5-10-4 m), позволяющие вести за ними наблюдения в оптическом микроскопе, и низкую скорость роста (10-8-10-9 m/s). Проведен теоретический анализ этого процесса на основе предложенной ранее кинетической теории фазовых переходов первого рода, вычислены зависимости от времени всех основных характеристик фазового превращения: скорости зародышеобразования, концентрации островков новой фазы, их распределения по размерам и относительного перегрева. Эти же зависимости измерены экспериментально, что впервые позволило провести подробное сравнение теоретических и экспериментальных данных по кинетике фазовых переходов первого рода. Установлено хорошее соответствие их друг другу.

Теоретически исследуется статика одиночных упругих доменов (двойников) в эпитаксиальных тонких пленках тетрагональной симметрии, выращенных на кубической подложке. Рассмотрены различные возможные варианты геометрической формы домена: пластинчатая, трапецеидальная и треугольная кофигурации. Неоднородные внутренние напряжения, существующие в полидоменных эпитаксиальных системах, рассчитываются методом эффективных дислокаций. Отсюда определяются упругие энергии, запасенные в гетероструктурах с различными доменами. Путем минимизации полной внутренней энергии гетероструктуры вычисляется равновесная ширина домена. Далее из энергетических соображений строится диаграмма устойчивости одиночных доменов в эпитаксиальных пленках. Показано, что в значительной части этой диаграммы трапецеидальные домены энергетически более выгодны, чем пластинчатые домены. Исследовано влияние внешнего электрического поля на устойчивость 90o доменов в эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках.

Рассмотрены основы теории метода измерений тепловых свойств анизотропных твердых тел и нанесенных на них тонких диэлектрических пленок. Проведен анализ решений, позволяющий установить предельные возможности метода периодического нагрева и условия, которые необходимы для эксперимента, позволяющего проводить измерения теплоемкости и теплопроводности пленок с достаточной точностью.

Методом локального когерентного потенциала в рамках теории многократного рассеяния рассчитана электронная энергетическая структура дефектной системы c-BNx со структурой типа ZnS. Использована кластерная версия MT-приближения для расчета кристаллического потенциала. В рамках одного приближения проведено изучение влияния релаксации кристаллической решетки на электронную структуру нестехиометрического нитрида бора c-BN0.75 и ее сопоставление с электронной энергетической структурой c-BN.

Методы двух- и трехкристального дифрактометров были использованы для исследования структурного совершенства эпитаксиальной системы Ga1-xInxSb1-yAsy--GaSb (x=0.9, y=0.8) с толщиной пленки около 1 mum. Показано, что рассеяние от образцов этой системы может быть разделено на когерентное и диффузное. Расположение узлов обратной решетки пленки и подложки на двумерном распределении интенсивности для асимметричных отражений показывает отсутствие релаксации упругих напряжений. Сетки дислокаций не образуется, а диффузное рассеяние обусловлено дефектами кулоновского типа. Из локализации диффузной интенсивности в обратном пространстве следует, что эти дефекты находятся в эпитаксиальной пленке. Для асимметричных отражений выявлен аномальный характер распределения диффузного рассеяния, вытянутого в направлении, параллельном поверхности, и расщепленного на два максимума. Предложены и реализованы схемы измерения интегрального распределения интенсивности дифракции вдоль поверхности и по нормали к ней и показаны ее возможности для изучения диффузного рассеяния от дефектов.

Проведены экспериментальные исследования тепловых свойств тонких пленок SrTiO3 с помощью регистрации амплитуды и фазы колебаний температуры плоского зонда при тепловом потоке, перпендикулярном плоскости пленки. Представлены результаты измерений теплоемкости и теплопроводности подложки из лейкосапфира и теплопроводности пленки SrTiO3 толщиной 2 mum.