В рамках системы уравнений феррогидродинамики и магнитостатики выведено линейное уравнение в частных производных, описывающее эволюцию начального возмущения плоской свободной поверхности тонкого слоя вязкой магнитной жидкости, покрывающего горизонтальную пластину, при наличии однородного магнитного поля. Исследовано влияние эффекта намагничивания пластины на устойчивость плоской свободной поверхности. Получена оценка нижней границы величины тангенциальной составляющей вектора намагниченности жидкости, вызывающей радикальную перестройку финальной картины распада сплошного слоя.

Исследованы структурные и фазовые превращения в пленках титана при обработке в азот-водородной плазме. Установлены закономерности формирования и роста нитрида титана в зависимости от параметров плазменного облучения. Определено удельное электросопротивление облученных пленок.

Проведено теоретическое исследование распространения СВЧ импульса в структуре тонкая ферритовая пленка--подложка в режиме переотражений ("звона") акустической компоненты подложки. Показано, что в результате взаимодействия СВЧ импульсов с границами подложки распространение СВЧ возбуждения в системе можно рассматривать как распространение волнового пакета в периодической неоднородной среде. Получены основные характеристики распространяющегося волнового пакета.

Обнаружена и исследована нелинейность оптических параметров полупроводниковых и диэлектрических пленок на длине волны излучения 0.63 nm при интенсивности света менее 100 mW/cm2.

В тонких пленках цирконата-титаната свинца, полученных методом ВЧ катодного распыления, исследовались эффекты, связанные с объемным зарядом. В сегнетоэлектрической фазе наблюдались эффекты, свидетельствующие о формировании объемного заряда при диэлектрическом старении. Процессы накопления и разрушения объемного заряда исследовались методом токов термостимулированной деполяризации. Определены пики токов, обусловленные предварительной поляризацией постоянным электрическим полем, а также связанные с диэлектрическим старением. Впервые наблюдались эффекты, которые можно объяснить перестройкой структуры точечных дефектов с образованием более сложных комплексов дефектов, например димеров. Приведены значения энергии активации опустошения ловушек (0.98 eV) и разрушения комплексов дефектов (1.20 eV).

На основе феноменологической теории фазовых переходов Ландау рассмотрено плавление сдвигом тонкого слоя вещества, заключенного между двумя кристаллическими поверхностями. Рассмотрена кинетика плавления и затвердевания при статических и знакопеременных нагрузках. Обсуждается возможность двух последовательных переходов "плавления", в результате одного из которых модуляция микроскопической плотности исчезает только в направлении сдвига (частичное плавление), а в результате второго она исчезает также и в перпендикулярном направлении (полное плавление).

Проведен сравнительный анализ температур инициирования твердофазных реакций в двухслойных тонких пленках и температур Курнакова фаз, образующихся в продуктах реакции. Для типичных в явлении упорядочения сверхструктур показано, что температура Курнакова совпадает с температурой инициирования твердофазных реакций, если по диаграмме состояния переходу порядок--беспорядок не предшествуют другие твердофазные структурные превращения. Предложено правило для определения пленочных пар, между которыми возможны твердофазные реакции, и их температур инициирования.

Исследован импульсный нагрев микроволнами с интенсивностью около 10 kW·cm-2 тонких слоев (0.05 cm) механических смесей проводящих и диэлектрических порошков. Установлено, что характер длины поглощения в таких смесях микроволн mW мощности порядка 1 cm. При интенсивностях 10 kW· cm-2 и выше и длительностях импульса 5-8 ms в серии до 5 импульсов наблюдается расплавление порошкового слоя, а характерный масштаб поглощения падает до значения ~0.05 c. Зарегистрировано падение коэффициента поглощения образцов в течение микроволнового импульса. Рассматривается возможность эффективного поглощения излучения в результате поверхностных пробоев и образования плазмы в порах между крупинками порошка в его объеме.

Исследовано влияние низкоэнергетической ионной бомбардировки на рост тонких пленок, получаемых плазменным распылением при низких температурах подложки. Получены зависимости толщины, плотности, параметров кристаллической структуры и электропроводности пленок от напряжения смещения на подложке в процессе их роста в условиях высокочастотного (ВЧ) распыления. При смещении от 0 до -30 V пленки никеля Ni формировались поликристаллическими, при более высоком смещении --- с аксиальной текстурой (111). При смещении -60 V получены пленки Ni с плотностью, близкой к плотности массивного образца, и максимальным кристаллическим упорядочением. При дальнейшем увеличении смещения плотность пленок уменьшалась в результате врастания атомов аргона и остаточных газов. Аналогичная зависимость плотности от смещения наблюдалась и для аморфных пленок бинарных сплавов d-f-металлов. Максимальную плотность в этом случае имели пленки, полученные при смещении -40 V.

Представлены экспериментальные результаты распределения толщины пленки разлагающихся полупроводниковых соединений, полученных с использованием капиллярных испарителей. В приближении вязкого потока получено выражение, описывающее толщину пленки на поверхности подложки в зависимости от расстояния от края капилляра до площадки осаждения и угла между осью капилляра и направлением осаждения.