Исследованы рамановские спектры и электропроводность тонких пленок гидрогенизированного кремния со смешанным аморфно-нанокристаллическим фазовым составом. Показано, что интерпретация экспериментальных результатов в рамках теории протекания позволяет определить отношение интегральных поперечных сечений рамановского рассеяния нанокристаллической и аморфной фаз и провести количественную оценку объемной доли каждой фазы.

Исследовано влияние мощных поверхностных акустических волн (ПАВ) на сверхпроводящее состояние пленок Pb при различных напряженностях поперечного магнитного поля. Установлено, что звуковая волна большой интенсивности изменяет величину Tc пленки и форму сверхпроводящего перехода, причем наблюдаемые изменения тем больше, чем выше интенсивность ПАВ. Обнаружено, что мощные ПАВ могут вызывать депиннинг вихрей в пленке и уменьшать величину критического тока. Обсуждаются различные механизмы, ответственные за природу наблюдаемых эффектов.

Теоретически исследован ряд новых размерных резонансных эффектов в объемной ядерной спиновой динамике тонкой магнитной пленки. Физическим механизмом, ответственным за их формирование в ограниченном магнетике, является косвенный обмен ядерных спинов через поле виртуальных фононов "лэмбовского" типа.

Изучалось формирование сигналов многократного ядерного спинового эха в тонких ферромагнитных поликристаллических пленках 3d-металлов и их сплавов с наведенной анизотропией в интервале температур от 2.2 до 300 K при двухимпульсном и трехимпульсном возбуждении. Предложена методика экспериментального определения вкладов различных механизмов в формирование сигналов спинового эха в случае магнетиков с большой неоднородностью зеемановского и квадрупольного взаимодействий. Показано, что в ферромагнетиках с большим коэффициентом усиления радиочастотного поля на ядре при наблюдении сигналов ядерного спинового эха на ядрах с большой величиной магнитного момента уже при температурах жидкого гелия существенное влияние оказывает механизм частотной модуляции.

В сверхпроводящих пленках YBCO с различной морфологией впервые измерена в широком диапазоне (1.5 Hz--150 kHz) частотная характеристика фотовольтаической компоненты оптически индуцируемых напряжений. Показано, что обнаруженное в одном из образцов отклонение высокочастотного поведения от обычной релаксационной зависимости может объясняться разбросом параметров элементарных фотоэдс, генерируемых в различных участках пленки. Полученные данные позволили оценить ряд величин, характеризующих фотопроводящие свойства неметаллических областей протяженных неоднородностей, с которыми связывается появление фотовольтаического сигнала.

Усредненные диэлектрические, пьезоэлектрические и упругие константы поликристаллических тонких пленок титаната бария и титаната свинца теоретически рассчитываются с помощью модернизированного метода эффективной среды, в полной мере учитывающего пьезоэлектрические взаимодействия между кристаллитами. Рассматриваются пленки с кристаллической текстурой c- или a-типа, порождаемой механическим взаимодействием с подложкой в процессе перехода пленки в сегнетоэлектрическое состояние при охлаждении гетероструктуры. Описываются зависимости эффективных материальных констант текстурированных пленок от величины остаточной макроскопической поляризации пленки. Анализируется влияние двумерного зажатия пленки на толстой подложке на результаты экспериментальных измерений диэлектрических и пьезоэлектрических констант.

Исследованы спектры фотолюминесценции тонких пленок гидрогенизированного кремния со смешанным аморфно-нанокристаллическим фазовым составом. Обнаружено сильное влияние интерференции Фабри--Перо на форму спектров. Анализ спектров, выполненный с учетом интерференционных поправок, показывает, что в области 0.6--1.0 mum формируется только одна полоса излучения, обусловленная рекомбинацией носителей заряда на центрах одного и того же типа.

Золь-гель методом получены тонкие пленки состава Bi12SiO20. Приводятся особенности технологии получения пленок. Принадлежность пленки к структурному типу gamma-Bi2O3 подтверждается дифратометрическим методом. Исследовались спектры пропускания пленок. Спектральная зависимость коэффициента поглощения пленок хорошо стыкуется со спектрами, определенными с использованием объемных кристаллов Bi12SiO20.

Впервые методом диаграмм Арганда экспериментальная кривая диэлектрической функции флюорита разложена в области 10.5--18 eV (90 K) на 11 компонент и 10--35 eV (300 K) на 18 компонент. Для каждой из них определены три параметра (энергия максимума и полуширина полосы, сила осциллятора). Предложена схема природы компонент диэлектрической проницаемости флюорита.

Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния, факторизованными по неприводимым представлениям группы симметрии гетероструктуры, исследовано влияние реального микроскопического потенциала на характеристики резонансного туннелирования электронов из Gamma-долины GaAs через барьер AlAs толщиной в одну постоянную решетки. Переходные области между потенциалами компонент и барьерная область рассматриваются как составные части периода сверхрешетки Ga2Al2As4, чтобы обеспечить непрерывность кристаллического потенциала на границах сшивания волновых функций. Показано, что по сравнению с результатами модели с резкой границей при учете реального потенциала меняется число и положение Фано-резонансов, усиливается локализация электронной плотности в барьере резко увеличивается время туннелирования. Работа выполнена при поддержке программы Миннауки "Поверхностные атомные структуры" (проект N 5.12.99).