Методом МОС-гидридной эпитаксии получены асимметричные лазерные гетероструктуры раздельного ограничения со сверхшироким волноводом в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs (длина волны излучения ~1080 нм). Исследованы оптические и электрические свойства лазеров с полосковым контактом шириной ~100 мкм. Показано, что в лазерах на основе асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом (более 1 мкм) удается достичь генерации на основной поперечной моде и снизить внутренние оптические потери до0.34 см-1. Влазерных диодах с длиной резонатора более3 мм достигнуто снижение теплового сопротивления до2oC/Вт и получена характеристическая температура T0=110oC в диапазоне от0 до100oC. Визготовленных лазерах достигнуты рекордные значения коэффициента полезного действия 74% и мощности оптического излучения16 Вт в непрерывном режиме генерации. Наработка лазеров на отказ при 65oC, рабочей мощности 3--4 Вт в течение 1000 ч привела к падению мощности на3--7%.

Экспериментально определены параметры решетки, ширина запрещенной зоны для структур Si--Si1-xGex в зависимости от соотношения химических компонентовx (0=<q x=<q 1). Исследованы распределение компонентов по толщине твердых растворов Si1-xGex и некоторые фотоэлектрические свойства. Экспериментальные данные указывают на совершенство полученных структур. Варизонные твердые растворы Si1-xGex (0=<q x=<q 1) могут быть применены для изготовления фотоэлектрических приборов, чувствительных к излучению в видимой и ближней инфракрасной областях, а также использоваться как подложечный материал для выращивания на нем GaAs и его твердых растворов.

Предложен простой метод расчета коэффициента межзонного поглощения света в однородном электрическом поле, позволяющий из самых общих соотношений исследовать особенности электропоглощения в широком классе полупроводниковых систем. Развитый метод применен к исследованию электропоглощения в двумерных системах с различным профилем одномерного потенциала, в квантовых ямах и сверхрешетках в магнитном поле.

Согласно концепции мощных полупроводниковых лазеров, в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии выращены симметричные и асимметричные гетерострутуры раздельного ограничения. На основе лазерных структур изготовлены мощные полупроводниковые лазеры с апертурой излучения100 мкм, излучающие в диапазоне длин волн 808-850 нм. Внутренние оптические потери в асимметричных гетероструктурах раздельного ограничения с расширенным волноводом снижены до0.5 см-1. Влазерах с толщиной волновода1.7 мкм достигнута мощность оптического излучения7.5 Вт в непрерывном режиме генерации благодаря снижению плотности оптического излучения на зеркале резонатора до4 МВт/см2. PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb

Методом МОС-гидридной эпитаксии получены асимметричные GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры, излучающие на длинах волн 940 и 980 нм. Состав твердого раствора волноводного слоя Ga0.74In0.26As0.47P0.53 был выбран на основе расчета энергии выброса электронов из квантовой ямы активной области в волновод. Полученные гетероструктуры использовались для изготовления полупроводниковых лазеров с апертурой излучения 100 мкм. Внепрерывном режиме генерации лазеров при комнатной температуре была достигнута максимальная выходная оптическая мощность12 Вт. Внутренние оптические потери составляли 0.6 и 0.3 см-1 соответственно на длинах волн 940 и980 нм. PACS: 42.55.Px; 85.60.Jb; 78.67.-n

Установлено, что причиной, ограничивающей максимально достижимую мощность оптического излучения в полупроводниковых лазерах, является конечная величина времени рассеяния энергии электронов на неравновесных оптических фононах в квантово-размерной активной области. Экспериментально исследованы мощностные и спектральные характеристики полупроводниковых лазеров при высоких уровнях возбуждения (до100 кА/см2) в импульсном режиме генерации (100 нс, 10 кГц). Получено, что с увеличением тока накачки максимальная интенсивность стимулированного излучения насыщается, а рост излучаемой мощности происходит за счет расширения спектра в коротковолновую область. Насыщение интенсивности излучения обусловлено ограничением скорости стимулированной рекомбинации. Фактором, ограничивающим скорость стимулированной рекомбинации, является конечная величина времени рассеяния энергии электронов на полярных оптических фононах. Обнаружено, что расширение спектра стимулированного излучения связано с ростом концентрации носителей тока в активной области, что приводит к усилению выброса электронов в волноводные слои. С ростом тока накачки концентрация носителей тока в волноводе достигает порогового значения и возникает эффективный канал токовых утечек из активной области. Экспериментально показано, что появление волноводной полосы генерации коррелирует с резким снижением дифференциальной квантовой эффективности полупроводникового лазера. PACS: 42.55.Px, 78.45.th, 63.40.Kr

Методические основы регулирования инвестиционно-строительной деятельности в регионе в условиях ограниченности ресурсов: Автореф.дис. ...канд.экон.наук: 08.00.05 / С. В. Фирцева; Санкт-Петербург.гос.инженер.-экон.ун-т. - СПб., 2001. - 17с.

Никифоров А.ю. Концептуальный подход к оценке показателей радиационной стойкости ИС в условиях ресурсных ограничений // Научная сессия МИФИ-2000. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 79-80

Муравьев С.к. Оптимизация траектории материальной точки в ограниченной области на сфере // Научная сессия МИФИ-2000. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии и параллельные вычисления, стр. 14-15

Попов Э.в. Разработка технологии и методов общения конечных пользователей с реляционными БД на ограниченном естественном языке // Научная сессия МИФИ-2000. Т.3 Банки данных и анализ данных. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программных систем, стр. 48-49