Теоретически исследована добротность монополярных полупроводниковых материалов с невырожденным газом носителей заряда с учетом рассогласования температур электронов и фононов, которое возникает вследствие действия на них разных поверхностных механизмов релаксации энрегии на контактах образца с термостатом. Показано, что в случае изотермических граничных условий для электронной подсистемы и адиабатических условий для фононной подсистемы термоэлектрическая добротность образца будет возрастать при уменьшении его линейных размеров, достигая максимального значения в пленках субмикронной толщины.

Проведено исследование переходного тока, ограниченного пространственным зарядом в пористом Si приготовленном из кристаллического Si n-типа. Определены значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок как из значения времени пролета носителей заряда через образец, так и из величины начального фототока.

Исследованы диодные лазеры на основе InAsSb/InAsSbP с раздельным электрическим и оптическим ограничением, излучающие в области 3/4 мкм. Более высокая рабочая температура лазеров достигается в том случае, если электрическое ограничение осуществляется с помощью гетеропереходов IIтипа. В лазерах этого типа интерфейсная оже-рекомбинация подавляется, экспериментальная плотность тока близка к теоретически рассчитанной для случая преобладания объемной оже-рекомбинации при температуре 180/220 K.

Исследована фотопроводимость структур на основе Si : B с блокированной проводимостью по примесной зоне с концентрацией бора в активном слое ~1018 см-3. Измерения проводились в диапазоне температур 4.2/10 K при различных интенсивностях возбуждающего излучения 1010/ 1015 фотон/см2·с. Фотовозбуждение осуществлялось с помощью излучения полупроводникового лазера на длине волны 5.5 мкм. Обнаружено, что при температурах ниже 6 K и малых напряжениях смещения (

В рамках нелинейной диффузионной модели рассмотрены стационарные характеристики фотокатода и характерные времена переходных процессов при мгновенном включении и выключении освещения в условиях высокой интенсивности возбуждения, с учетом зависимости параметров приповерхностного слоя от фотонапряжения. Для стационарного случая получены аналитические зависимости квантового выхода от фотонапряжения и интенсивности излучения. Найдено критическое значение интенсивности освещения, соответствующей переходу в режим ограничения заряда эмиссии. Показано, что время выхода на стационарный режим зависит от величины установившегося фотонапряжения на барьере и определяется в основном временем установления равновесия между потоками электронов и дырок на поверхностные центры рекомбинации. При больших интенсивностях освещения время установления обратно пропорционально интенсивности освещения, что приводит при интенсивностях, соответствующих полному запиранию катода, к ограничению заряда эмиссии. Время релаксации фотонапряжения может достигать микросекунд. Сравнение результатов расчета зависимости квантового выхода от фотонапряжения с экспериментом позволяет восстановить зависимость туннельной прозрачности активационного слоя от фотонапряжения.

Исследована однофононная рекомбинация носителей на мелкие примесные состояния в параболических квантовых ямах в продольном электрическом поле. Показано, что в размерно-ограниченных системах процессы однофононной рекомбинации происходят более активно, чем в объемном материале. Обсуждается возможность электроиндуцированного одноквантового перехода, возникающего в размерно-ограниченной системе.

Теоретически исследовано примесное поглощение света с участием многих фононов. Связанное состояние описывается в модели потенциала нулевого радиуса. Полученные частотная зависимость коэффициента поглощения света и полуширина линий поглощения сравниваются с экспериментальными данными.

Исследованы электрические свойства монокристаллов синтетического полупроводникового алмаза p- и n-типа проводимости с примесями B иAs. Методами токов, ограниченных пространственным зарядом, обнаружены связанные с присутствием As моноэнергетические ловушки носителей заряда, а также ловушки с экспоненциальным распределением плотности состояний по энергии. Показана возможность использования кристаллов синтетического полупроводникового алмаза для регистрации alpha-излучения и в качестве термосенсоров.

Проведено сравнительное исследование переходного тока, ограниченного пространственным зарядом, в пористом кремнии и пористом анатазе(TiO2). Определенные из времени пролета значения дрейфовой подвижности электронов при комнатной температуре в пористом кремнии и пористом анатазе составляют10-2 и5·10-6 см2/В · с соответственно. Обсуждаются особенности токов, ограниченных пространственным зарядом, в пористом анатазе.

Теоретически и экспериментально исследованы внутренние оптические потери в лазерных гетероструктурах раздельного ограничения со сверхшироким волноводом (более 1 мкм). Установлено, что асимметричное положение активной области в сверхшироком волноводе снижает величину фактора оптического ограничения для мод высших порядков и увеличивает для них пороговую концентрацию на 10-20%. Показано, что только в асимметричных гетероструктурах раздельного ограничения расширение волновода более 1 мкм ведет к снижению внутренних оптических потерь. Васимметричном волноводе толщиной4 мкм расчетное значение внутренних оптических потерь достигает ~0.2 см-1 (lambda~1.08 мкм). Минимальное значение внутренних оптических потерь ограничено фундаментальным пределом и определяется потерями на рассеяние на свободных носителях заряда при концентрации прозрачности в активной области. Васимметричных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения со сверхшироким волноводом (1.7 мкм), изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии, достигнута величина внутренних оптических потерь 0.34 см-1. Получена генерация на основной поперечной моде за счет существенного различия между пороговыми концентрациями фундаментальной моды и мод высших порядков. На основе полученных гетероструктур в лазерах с апертурой 100 мкм и длиной резонатора Фабри-Перо ~3 мм достигнуты рекордная мощность излучения 16 Вт в непрерывном режиме генерации и максимальное значение кпд--- 72%.