Методом рентгеновской эмиссионной Si L2,3 (электронный переход 3d3s->2p) спектроскопии исследованы образцы кремния p- и n-типа, имплантированные ионами Fe+ в импульсном режиме (энергия имплантации 30 keV, ток в импульсе до 0.5 A, длительность импульса 400 mus, дозы облучения от 1014 до 1017 cm-2). Установлена зависимость рентгеновских эмиссионных спектров как от доз ионного облучения, так и от ускоряющего напряжения электронного пучка, используемого при рентгеновских измерениях. Анализ Si L-спектров посредством сравнения со спектрами эталонов и их моделирование показали, что с увеличением дозы облучения имеет место разупорядочение структуры, частичная аморфизация образца от поверхности в объем вплоть до глубины ~ 7200 Angstrem и его последующая рекристаллизация (эффект больших доз). Показано, что обнаруженный эффект наиболее сильно выражен в слоях на глубине ~ 1000 Angstrem, не связан с формированием в объеме образцов силицида железа FeSi, и, вероятнее всего, обусловлен нарушениями связей Si--Si в процессе ионной имплантации при использванных дозах облучения. Работа выполнена при поддержке проектов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-16438 и 05-02-16448), гранта Минобразования --- CRDF: Annex BF4M05, EK-005-X2 [REC-005], BRHE 2004 post-doctoral fellowship award Y2-EP-05-11, а также Совета по грантам Президента РФ для ведущих научных школ (грант НШ-1026.2003.2). PACS: 61.10.Ht, 61.72.Tt

Приведены результаты плазмохимического синтеза и исследования методом электронного магнитного резонанса железо-фуллереновых кластеров. Показано, что такие кластеры можно получать как при плазменном синтезе фуллеренов с железом, так при смешивании раствора фуллеренов и порошка наночастиц железа, покрытых углеродной оболочкой. Приведена методика разделения железо-фуллереновых кластеров методом жидкостной хроматографии. Работа выполнена при частичной поддержке фондов INTAS (проект N 01-2399), РФФИ (проект N 03-03-32326) и Министерства образования и науки (программа \glqq Развитие научного потенциала высшей школы\grqq), а также поддержана Советом по грантам Президента РФ. PACS: 61.48.+c, 76.30.Mi

Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с использованием синхротронного излучения изучен твердофазный синтез силицидов железа на поверхности Si(100)2x1, на которую при комнатной температуре была нанесена пленка железа толщиной 5 ML. С помощью компьютерного моделирования измеренных Si 2p-спектров показано, что процесс силицидообразования в исследованной системе обнаруживается уже при отжиге образца до 60oC и состоит в последовательном формировании трех фаз силицидов железа --- моносилицида varepsilon-FeSi, метастабильного дисилицида gamma-FeSi2 и дисилицида beta-FeSi2. Определены температурные диапазоны существования этих фаз. Обнаружена сегрегация кремния на поверхности gamma-FeSi2. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-17651), Федерального агентства по науке и инновациям РФ (госконтракт N 02.434.11.2027) и Российско-германской лаборатории на синхротроне BESSY. PACS: 68.37.Xy, 68.43.Bc, 68.43.Dc, 68.55.Jk, 68.60.Wm

Обнаружено аномальное двугорбое распределение атомов Fe по глубине при одновременной имплантации ионов Fe+ и Co+ в Si при невысоких плотностях ионного тока (j=< 10 мкА/см2) и соотношении ионов железа и кобальта в пучке 1 : 3. Образование такого профиля происходит при условии, что время диффузии атомов железа к стокам (поверхности и области линейных дефектов в глубине образца) становится меньше эффективного времени силицидообразования.

Представлены результаты исследований электрических, гальваномагнитных свойств кристаллов CdxHg1-xSe (x=0.23), легированных железом в различной концентрации в температурном интервале 77/ 400 K и магнитных полях до1.6 Тл. Установлено, что железо, введенное в матрицу кристалла, стабилизирует его физические свойства. Показано, что отжиг образцов в парах селена слабо влияет на их физические характеристики.

Методами электонного парамагнитного резонанса и эффекта Холла изучались процессы низкотемпературной релаксации твердого раствора железа в фосфиде галлия, а также профили распределения парамагнитных центров железа в GaP: A-центра (g=2.02) и B-центра (g=2.133). Полученные данные согласуются с тем, что A-центры соответствуют атомам железа в положении замещения, т. е. Fes3+(Ga) (3d5), в то время как B-центры--- это межузельные нейтральные атомы железа, т. е. Fei0 (3d8). В процессе низкотемпературной релаксации твердого раствора GaP : Fe в интервале температур 293/ 800 K A-центры устойчивы к отжигам, тогда как интенсивность спектра электронного парамагнитного резонанса от B-центра имеет сложную кинетику, которая качественно совпадает с кинетикой отжига парамагнитных центров Fei0 в кремнии.

Проведены экспериментальные исследования теплопроводности varkappa на образцах HgSe : Fe с различным содержанием примесей железа NFe в интервале температурар 8-60 K. Обнаружено, что при низких температурах зависимость теплопроводности от концентрации железа varkappa(NFe) является необычной. При T

Методом электронного парамагнитного резонанса непосредственно исследовалось влияние внешних воздействий на дефектную систему неоднородно легированных железом кристаллов фосфида галлия. Замещающие галлий ионы Fes3+(Ga) (A-центры) и межузельные атомы Fei0 (B-центры) рассматриваются в качестве индикаторов и участников перестройки дефектной системы кристалла. Обнаружено дальнодействующее влияние ионного облучения аргоном, химического травления или механической шлифовки на A- и B-центры. Эффект дальнодействия объясняется пластической деформацией кристалла GaP : Fe и взаимодействием дислокаций с A- и B-центрами при модификации кристалла ионным облучением или удалением с одной стороны вызывающего механические напряжения слоя, насыщенного Fes3+(Ga)-центрами. В случае ионного облучения, по-видимому, важна роль упругих волн, генерируемых в зоне торможения ионов аргона и взаимодействующих с B-центрами и дислокациями.

В пленках аморфного углерода, модифицированного железом, методом рамановского рассеяния исследованы спектры колебательных частот углерода в диапазоне1000--1800 см-1. Концентрация железа в пленке задавалась технологически с помощью изменения отношения площадей графитовой и железной частей мишени от образца к образцу и контролировалась с помощью обратного резерфордовского рассеяния. Были выращены слои аморфного углерода, содержащие 3, 26, 38 и54 ат%железа. Спектры рамановского рассеяния представляли собой широкую полосу с особенностями, характерными для аморфного углерода и лежащими вблизи1332 см-1 (D-полоса) и 1552 см-1 (G-полоса). При концентрациях 38 и 54 ат%железа спектр распадается на ряд полос, что свидетельствует о фрагментации матрицы аморфного углерода с ростом концентрации железа. Показано, что интегральная амплитуда рассеяния нелинейно уменьшается с увеличением содержания железа в образце. Эффект исследован с помощью модели, учитывающей линейную зависимость скорости изменения концентрации атомов, дающих вклад в рассеяние, при изменении атомной доли углерода от общего числа атомов углерода в пленке.

Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 57Co(57mFe) выявлена зависимость зарядового состояния примесных атомов железа вGaAs от положения уровня Ферми взапрещенной зоне, идентифицированы нейтральные иионизованные состояния примесных атомов как вприповерхностной (они входят всостав ассоциатов свакансиями решетки), так ивобъемной областях (они входят ввиде изолированной примеси замещения) материала. Для частично компенсированных образцов вобъемной области материала обнаружен процесс быстрого электронного обмена между нейтральными иионизованными акцепторными центрами железа, осуществляемый дырками через валентную зону.