Лаврентьев В.И., Погребняк А.Д., Шандрик Р.. Локальные поверхностные сегрегации имплантированного алюминия в слабодефектном кристалле железа // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Григорьев С.В., Климко С.А., Малеев С.В., Окороков А.И., Рунов В.В., Кампманн Р., Экерлебе Х.. О двух магнитных корреляционных радиусах выше $T_c$ в железо-никелевом инварном сплаве // Письма в ЖЭТФ, том 66, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Балагуров А.М., Сиколенко В.В., Любутин И.С., Андрэ Ж., Бу-рэ~Ф., Ду Х.М.. Магнитная структура UPd$_2$Ge$_2$, допированного железом // Письма в ЖЭТФ, том 66, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru

Бражкин В.В.. Исследование кристаллизации жидкого железа под давлением: экстраполяция вязкости расплава в мегабарный диапазон // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

Евтеев А.В., Косилов А.Т., Миленин А.В.. Компьютерное моделирование кристаллизации аморфного железа в условиях изохронного отжига // Письма в ЖЭТФ, том 71, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru

С помощью детальных первопринципных расчетов электронной структуры кристаллов alpha-железа на изотерме P(V,T=0) обнаружено существование узкого интервала удельных объемов, при которых dP/dV>0. По расчетам данная аномалия имеет место при давлениях от -3 до -5 ГПа и вызвана интенсивной перестройкой энергетического спектра кристалла, сопровождающейся почти одновременным возникновением восьми электронных топологических переходов.

С целью проверки наличия области аномальной сжимаемости железа при отрицательных давлениях, предсказанной первопринципными расчетами, проведена регистрация отражения импульсов сжатия в монокристаллах железа от поверхности образцов. В диапазоне достигнутых растягивающих напряжений до 7.6 ГПа не обнаружено признаков ожидавшегося формирования ударных волн разрежения. Значения разрушающих напряжений достигают 25--50% предельной теоретической прочности железа при длительности нагрузки sim10-8 с. Зависимость сопротивления разрушению от скорости растяжения не выявляет каких-либо особенностей в области предполагаемой аномалии сжимаемости железа.

Проведены ЭПР исследования в кондо-полупроводнике SmB6, легированном 1 ат.% Fe. Ферромагнитное упорядочение ионов железа, наблюдаемое при относительно высокой температуре 100 К, объясняется их косвенным обменом через поляризацию матрицы SmB6, усиленную благодаря ионам с флуктуирующей валентностью.

Методами дифракции нейтронов и синхротронного излучения определена кристаллическая и магнитная структуры магемита gamma-Fe2O3, синтезированного внутри пористого стекла в форме наночастиц со средним диаметром 106(2) {AA}. Наноструктурированный магемит со структурой шпинели имеет вакансии в октаэдрической и в тетраэдрической позициях. Магнитная структура соответствует обычному ферримагнитному типу. Измеренные магнитные моменты сильно уменьшены по сравнению с моментами в обычном образце. Более того, моменты в октаэдрической и в тетраэдрической позициях сильно различаются, что объясняется различием в обменном взаимодействии для моментов в разных позициях.

Сообщается о возможности лазерного синтеза разбавленных магнитных полупроводников на основе германия и кремния, легированных до 10--15 ат.% марганцем или железом. Примеси Mn и Fe, согласно данным об электронных уровнях 3d-атомов в полупроводниках, наиболее предпочтительны для реализации в Ge и Si ферромагнетизма по механизму Рудермана--Киттеля--Касуи--Иосиды (РККИ). Тонкие толщиной 50--110 нм эпитаксиальные слои Ge и Si выращивались на подогретых до 200--480 circС монокристаллических подложках арсенида галлия или сапфира. Содержание 3d-примеси измерено рентгеноспектральным методом. Ферромагнетизм слоев, высокие магнитная и акцепторная активность Mn в Ge, Mn и Fe в Si проявились в наблюдениях при 77--500 К эффекта Керра, аномального эффекта Холла, высокой дырочной проводимости и анизотропного ферромагнитного резонанса (ФМР). По данным ФМР точка Кюри Ge:Mn, Si:Mn на подложках GaAs и Si:Fe на Al2O3 была не ниже 420, 500 и 77 К, соответственно.